絕緣體上硅高溫壓力傳感器研究
2004-04-29 00:44:03張為姚素英張生才趙毅強張維新
西安交通大學學報 2004年2期
關鍵詞：有限元
張 為 姚素英 張生才 趙毅強 張維新
摘要：采用有限元分析工具ANSYS完成了一種矩形彈性膜絕緣體上硅(S01)高溫壓力傳感器的優化設計，制作出樣品，并與相同結構、工藝的多晶硅壓力傳感器進行了對比測試．結果表明：1：2的膜片寬長比可以使SOI壓力傳感器的靈敏度達到220mV／MPa，遠大于多晶硅壓力傳感器的靈敏度(約50 mV／MPa)．此外，該傳感器能夠工作在200℃的高溫環境中，有良好的長期穩定性，30d內的零點時間漂移為0．12％．關鍵詞：壓力傳感器；絕緣體上硅；高溫；有限元分析中圖分類號：TN379文獻標識碼：A文章編號：0253—987X(2004)02—0178—03
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