基底偏壓對氮化硼薄膜場發射特性的影響
2005-04-29 00:44:03顧廣瑞李英愛林景波李全軍李哲奎鄭偉濤趙永年金曾孫
吉林大學學報(理學版) 2005年4期
顧廣瑞 李英愛 林景波 李全軍 李哲奎 鄭偉濤 趙永年 金曾孫
摘要：利用射頻磁控濺射方法，在n型(100)Si(0．008～0．02 Ω·m)基底上沉積了氮化硼 (BN)薄膜。紅外光譜分析表明，BN薄膜結構均為六角BN(h-BN)相。在超高真空系統中測量了BN薄膜的場發射特性，發現BN薄膜的場發射特性與基底偏壓關系很大，閾值電場隨基底偏壓的增加先增加后減小。基底偏壓為—140V時BN薄膜樣品場發射特性要好于其他樣品，閾值電場低于8V／tμm。F～N曲線表明，在外加電場的作用下，電子隧穿BN薄膜表面勢壘發射到真空。
關鍵詞：BN薄膜；場發射；偏壓；粗糙度
中圖分類號：O647．2
文獻標識碼：A
文章編號：1671—5489(1005)04—0513—04
