硬盤數據密度或達每平方英寸10太位

據美國物理學家組織網近日發表在最新一期《自然·光子學》雜志上的研究報告顯示，研究人員展示了一種可結合兩種硬盤寫入方式的新型數據存儲方法，其可將目前硬盤約為每平方英寸數百吉字節（1吉字節相當于1000兆字節）的存儲密度提升至1太位（1太字節相當于100萬兆字節），并有望將介質的存儲容量最高提升到每平方英寸10太位左右，可被應用于光刻、生物傳感器和納米操控等諸多領域。

兩種寫入方式之一的“熱輔助磁記錄技術”（TAR）通過激光照射寫入點對盤片微粒進行加熱的方式，加以輔助磁頭寫入來改變記錄單元的屬性。即硬盤介質受熱后，會使磁盤微粒按一定方向被磁化，數據位就形成了“1”和“0”的表示。熱量的產生能更容易地將數據記錄在盤片上，之后隨著快速冷卻，又可使已寫入的數據變得穩定，從而達到永久存儲的目的，而寫入時間也可小幅縮短。

事實上，當硬盤上的存儲單元彼此距離極小時，便會產生所謂的超順磁性現象。硬盤讀寫頭在向存儲單元中寫入數據時產生的熱量會致使該存儲單元周圍的數據損壞，而隨著硬盤存儲密度的提升，避免超順磁現象發生也變得越來越有難度。而此時，另一種名為“位式記錄技術”（BPR）的寫入方式會對記錄介質表面進行光刻處理，利用磁島分隔每個獨立的寫入事件，從而使“超順磁效應”不會對周圍的存儲單元造成影響。

研究人員表示，單獨使用這兩種寫入技術之一時，數據的存儲密度并不會有太大的提升，最多可提升到每平方英寸200吉字節至300吉字節左右。而將兩種技術結合使用，“位式記錄技術”的磁島可使“熱輔助磁記錄技術”因存儲介質顆粒偏小造成的不穩定性不再棘手，而“熱輔助磁記錄技術”則可放寬“位式記錄技術”對讀寫頭尺寸的苛刻要求，彌補兩種技術各自的缺陷，從而實現存儲密度的極大提升。而隨著單位存儲密度的提升，硬盤容量也有望提升數十倍，令傳統硬盤重獲新生。