極紫外投影光刻光學系統

王麗萍

(中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,吉林長春 1300332)

1 引 言

極紫外光刻 (EUVL)是以波長為 11～14 nm的 EUV射線為曝光光源的微電子光刻技術,適用于特征尺寸為 32 nm及更細線寬的集成電路的大批量生產[1]。EUV光源的特點決定了 EUVL必須采用鍍有多層膜的反射光學元件。為滿足光刻成像的質量要求,EUVL光學系統像差要控制在1 nm以內。波像差需細致地分配到影響成像質量的每個細節因素之中,如反射鏡基底、膜層厚度等等。由于元件工作面的中、高頻粗糙度直接影響像面對比度和系統能量傳輸,元件的面形精度和粗糙度要達到深亞納米量級。經過 20年的發展,隨著對波像差、元件面形粗糙度及多層膜厚度要求的改進和提高,EUVL的光學加工、裝調及鍍膜技術日趨成熟。光學元件面形誤差及中、高頻粗糙度加工精度達 0.1 nm r ms的大口徑 EUVL元件已經集成到 EUV光學系統中,EUV光學系統的波像差達到衍射極限[2,3]。EUV光學技術的發展為與之有相似研究平臺的科學領域,如空間光學、X射線顯微鏡、等離子體診斷等技術的進步提供了支持。本文詳細介紹了現有 EUVL實驗樣機及其光學系統的參數特性,總結了 EUV光學系統設計原則,深入討論了 EUV投影曝光系統及照明系統設計方法。

2 EUVL實驗樣機及其光學系統

隨著極紫外投影光刻 (EUVL)技術的不斷進步,EUVL系統經歷了可行性驗證、關鍵技術評估、商業化生產 3個發展階段。根據不同階段目標要求,該光學系統歷經了一系列演變。

EUVL光學系統由照明系統和微縮投影光學系統組成,受其工作波段限制只能采用全反射式系統。而鍍制了Mo/Si多層膜的反射元件,正入射時只能獲得 70%左右的反射率,因此,EUVL光學系統必須盡可能減少反射鏡的個數。

微縮投影光學系統的設計指標體現了 EUVL不同階段的發展目標。考慮到掃描曝光時掩模和硅片位于系統同側引起的硅片移動受限和光路內機械結構的遮攔等影響,光學系統設計宜采用少于 8片的偶數片光學元件。

EUVL研究初期,日本 NTT公司、美國 LLNL以及美國(AT&T)公司采用非球面兩鏡曝光系統分別獲得了100 nm線寬/間距曝光條紋,論證了EUVL成為新一代光刻技術的可行性[4～9]。此階段的兩鏡系統設計有 Schwarzschild、Offner及平場結構,其數值孔徑 (NA)取值接近 0.1,后兩者采用環形視場用于大視場、無遮攔、掃描曝光系統的初步研究。上述兩鏡系統均屬于原理性實驗裝置,直到 2000年,美國能源部下屬的 3個實驗室開發出 ETS(Engineering Test Stand)原型機,EUVL向產業化邁進的技術路線才得到了驗證。ETS實現了 100 nm分辨率全視場掃描曝光,真正奠定了 EUVL向商業化發展的道路。該系統由 4個反射鏡組成,如圖1所示,圖中M1,M2,M4為非球面,M3為球面,鏡面的面形精度達 0.22 nm,每個鏡面均鍍制有中心波長為 13.4 nm的Mo/Si多層反射膜。系統的 NA為 0.1,微縮比為4∶1,像方掃描視場為 26 mm×1.5 mm的環形視場,成像分辨率 ＜100 nm,設計殘差 ＜0.25 nm RMS值。裝調后 EUV干涉儀檢測得到的系統波像差 RMS值達到 1.2 nm。第一套 ETS系統獲得了 100 nm線寬 /間距掃描曝光條紋,第二套 Set2系統獲得了60 nm線寬 /間距靜態曝光條紋[10],如圖2所示。

圖1 ETS光學系統Fig.1 Optics of ETS

圖2 ETS Set2靜態曝光條紋Fig.2 Elbow patterns printed by ETS Set2

隨著 EUVL技術的發展及 193 nm浸液式光刻 45 nm節點的產業化技術的成熟,2000年后EUVL直接邁向 32 nm的技術節點。在此期間的關鍵任務是攻克實現 32 nm技術節點產業化的各項單元技術,如光學元件的制造、檢測,掩模及抗蝕劑制造,真空系統及環境控制等,為商業化生產提供技術支持。Sematech、Nikon、Canon等公司均已成功研制了 NA為 0.3,微縮比為 5∶1的小視場兩鏡曝光系統—MET、H INA、SFET見圖3～6,為32 nm技術節點商業化生產做出了技術積累與評估[11～16]。這些系統為掩模及抗蝕劑制造技術進一步發展提供了實驗平臺,亦可作為 EUVL技術在生產條件下使用的測試平臺,發現并解決量產過程中出現的問題。這是 EUVL產業化過程中的關鍵階段,各項技術在此階段逐步走向成熟。2001年 ～2005年間,Sematech公司研制了 4套MET,Nikon公司研制了 3套 H INA,在不斷的技術改進過程中系統逐漸完善。MET光學系統由Carl Zeiss公司提供,鏡面的面形精度達0.21 nm,像方曝光視場為 0.2 mm×0.6 mm,裝調后系統波像差 RMS值達到 0.7 nm。Nikon公司的 H INA的面型加工精度達到 0.25 nm[17],H INA、SFET像方曝光視場均為 0.3 mm×0.5 mm,裝調后系統波像差 RMS值達到 0.9 nm[18]。MET、H INA 、SFET最終都獲得了 32 nm線寬 /間距曝光條紋,完成了 32 nm節點產業化技術評估。

圖3 MET的光學元件Fig.3 Optical element ofMET

圖4 H INA的外廓圖Fig.4 Internal structure of H INA

圖5 H INA元件的安裝圖Fig.5 Photographs of projection optics of H INA

圖6 SFET的投影光學系統Fig.6 Projection optics of SFET

2006年,AS ML的兩套 Alpha樣機 ADT研制成功,分別交付美國 CNSE與比利時 IMEC。ADT是世界上第一臺NA為 0.25,可實現 35 nm線寬 /間距分辨率、26 mm×33 mm全視場曝光的全功能 EUV光刻設備[19～21],見圖7。ADT的最初設計目標是為 EUVL積累技術,因此,該設備的產量不高。投影光學系統系統包含 6個反射鏡,由Carl Zeiss公司設計加工,鏡面的面形精度達0.25 nm,微縮比為 4∶1,像方曝光視場為 26 mm ×2 mm的環形場,系統的成像分辨率 ＜40 nm,裝調后 EUV干涉儀檢測得到的系統波像差 RMS值達到 1.1 nm。2007年,ADT在 80 nm焦深范圍內獲得了 32 nm線寬 /間距曝光條紋。目前 ADT的研發目標是 EUVL22 nm及 32 nm技術節點的曝光光學系統 3300B和 3300C[22]。

圖7 ADT的外廓圖及設計指標Fig.7 Photograph ofADT and its specification

Nikon六鏡系統 EUV1(圖8)的各視場波像差 RMS均值達到 0.4 nm,獲得了 26 nm節點 (密線及單線)曝光圖形。該系統環形曝光視場為26 mm ×2 mm,微縮比為 4∶1。圖9為 EUV1光學元件的低頻、中頻、高頻粗糙度 (Low-spatial-frequency Roughness,LSFR;Mid-spatial-frequency Roughness,MSFR;High-spatial-frequency Roughness,HSFR)和功率譜密度 (Power Spectral Density,PSD),其系統反射元件的面形精度已達 27 pm[23,24]。Canon公司六鏡系統 VSI仍處于研發階段,兩套系統都以實現 EUVL的量產為目標[25]。

圖8 EUV1光學系統模塊Fig.8 Photograph of projection optics of EUV1

圖9 EUV1光學元件加工精度Fig.9 LSFR,MSFR,HSFR and PSD of a polished aspheric mirror in projection optics of EUV1

2008年,美國LBNL實驗室設計了 NA為 0.5的曝光系統 MET2[26],為 16～11 nm節點 EUVL技術研究做儲備,設計分辨率為 8 nm的MET2將為大數值口徑 EUVL系統研究提供幫助,促使半導體工業向新技術節點邁進。

3 EUVL光學系統設計原則

3.1 EUVL投影光學系統設計要求

(1)非球面加工因素

EUVL光學系統每一個參數的選定都需要有充分的考慮。曝光系統的設計不僅要達到衍射極限分辨率的要求,更要兼顧到影響系統集成的各種因素以降低系統研制風險[3]。非球面光學元件加工、檢測水平是其中最嚴重的制約因素。設計過程中首先要考慮鏡面最大非球面度的允許值,它決定了干涉儀最大條紋數及補償光學系統參數。非球面度的增大會帶來中頻波紋度升高的風險。非球面度在徑向上的梯度變化是更重要的指標,它決定了干涉儀的測量精度即局部條紋密度。梯度變化越快,所需的加工磨頭越小,加工時間越長,在此過程中由磨頭定位、震動引起的中頻波紋度將會增加,最終導致中頻波紋度平滑效率下降。

(2)系統結構參數

考慮到真空系統及機械結構方面要求,后工作距應留有一定余量,以保證像方機械調整及系統波像差檢測的順利進行。微縮倍率的選取需兼顧物像距、掩模條紋大小等因素。曝光系統微縮比通常為 5∶1和 4∶1。

(3)多層膜對系統波像差影響

考慮到光學元件表面需鍍制Mo/Si多層反射膜,鏡面曲率及入射光在鏡面上的角度變化都要加以控制,入射角度變化范圍大的元件需鍍制梯形膜。多層膜缺陷不僅帶來振幅變化,影響鏡面反射率,它還帶來位相變化,影響系統的波像差[27,28]。薄膜位相變化常引入兩種波像差:離焦和像散。它帶給光學系統的波像差通常在毫波長級,一般光學系統對此影響可忽略不計,但對于大數值孔徑、成像質量達到衍射極限的反射式EUVL光學系統,則必須考慮此因素的影響。

3.2 EUVL照明系統設計要求

照明系統也是 EUVL的核心部分之一,光源發出的光束經照明系統后照明掩模板,再由投影物鏡系統將掩模板上的電路圖形復制到硅片表面。對線寬只有 32 nm甚至更小的線條圖形進行精確復制,要求照明系統與投影系統必須協調工作[29]。

投影光刻對照明系統的要求:

(1)照明分布均勻

照明區域內照度均勻是獲得均勻曝光量的必備條件,EUV要求照明均勻性應 ＜±1%。如果照度不勻,在掩模上相同線寬的圖形,在硅片上因圖形位置不同會復制出不同線寬。

(2)相干因子

照射到掩模各點的照明光NA與投影光學系統掩模側NA的比值稱為照明相干因子σ,它是控制曝光裝置分辨率的關鍵量。σ=0時是相干照明;σ=∞時是非相干照明。實際裝置的相圖因子位于 0＜σ＜1之間。折中考慮 EUVL曝光系統所需的分辨率和像對比度,σ選值為 0.7。

σ是直接影響投影光學系統分辨率的參數,如果照明區σ值不均勻,各向異性將導致分辨率因曝光范圍或圖形方向不同而不同[30,31]。

(3)元件數量及光線入射角限制

采用反射式系統,反射角度分為近似正入射和掠入射兩種,前者入射角 ＜25°,后者入射角 ＞75°。兩種情況下,反射元件的反射率分別為70%和 90%左右,增加反射元件的數量會減小硅片上的曝光強度,所以極紫外照明系統使用的反射元件數量必須嚴格控制。

(4)結構緊湊

考慮到真空系統及機械結構調整要求,照明系統應結構緊湊,保證照明系統光軸與投影系統光瞳銜接及系統波像差檢測的順利進行。

4 EUVL投影光學系統及照明系統設計方法

4.1 EUVL投影光學系統設計

分辨率 (RES)和焦深 (DOF)是極紫外投影光刻成像系統的重要參量,二者由 Fraunhofer公式和 Rayleigh公式給出[32]:

式中,k1、k2與系統工藝相關,λ為成像系統所使用的波長。從式 (1)可以看出,提高分辨率可以通過減小λ和提高NA來達到。為了滿足高精度的成像質量要求,光學系統要求達到近衍射極限的分辨率,根據 Rayleigh 1/4波長原則和Marechal條件,其綜合波像差分別為:δ=1/4λ峰谷值 (PV),σ=1/14λ均方根值 (RMS),而分配到每個光學元件的面形精度要求更高,分別為:

制約 EUVL提高NA的主要因素是焦深減小和設計加工難度。表1給出了NA、特征尺寸與工藝因子k1及焦深的關系。k1＞0.5時,通過光學鄰近效應校正滿足分辨率要求;0.3＜k1＜0.4時,需要引入離軸照明等其它分辨率增強技術。NA＞0.3的 EUVL光學系統可用于 22 nm節點技術研究;NA＞0.4的可用于 16 nm節點;NA超過0.5的光學系統可用于 11 nm節點技術研究[24]。

表1 NA,k1與焦深的關系Tab.1 Relationship among NA,k1and DOF

圖10 非球面 6鏡投影光學系統結構Fig.10 6-mirror projection optics of EUVL

EUVL技術批量化生產很可能在 22 nm技術節點實現,通過使用分辨率增強技術,適應于22～16 nm節點的投影光學系統 NA約為 0.35。環形視場非球面 6鏡設計可以滿足此要求。EUVL 6鏡投影系統如圖10所示,常用型式有 4種[33～35]:

(1)PNPPNP型 (P表示凹面鏡 ;N表示凸面鏡)

與凹面鏡相比,凸面鏡的檢測更困難。此結構包括凹面鏡數量多,可降低元件加工難度和成本。光闌位于M2上,易于調節相干因子。M1承擔了較大的系統光焦度,導致M1,M2,M3面上入射角度大,在薄膜設計優化時要考慮此因素。此結構的缺點是后工作距過小,M2,M5鏡非球面度及陡度大。

(2)PPNPNP型

將正光焦度分配到M1,M2上可減小各光學面主光線入射角度,降低了反射膜的設計和鍍制難度。此結構元件非球面度小,總長較大。M4元件口徑過大是系統的主要缺點,也是減小入射角度的代價。

(3)PNNPNP型

此結構采用正負鏡連續組合的形式來消場曲,像差校正較好。非球面度和各鏡面主光線入射角度控制適當,具有擴大視場,提高系統 NA的潛力。此結構的缺點與 PPNPNP型相同,中間像點前的M4鏡口徑在加工、鍍膜中需注意。

(4)NPNPNP型

雖然凸鏡的檢測困難,但凸鏡的使用可減小主光線入射角度及非球面口徑。M2,M3及M4近同心,像差得到有效的控制,有擴大視場,提高系統NA的潛力。

從綜合像差特性、光線入射角度、后工作距及降低加工檢測風險考慮,PPNPNP結構是最合適的選擇。同時,NPNPNP和 PNNPNP結構也具有較強的可塑性。

16 nm技術節點 EUVL投影光學系統的 NA需大于 0.4,光學設計與加工難度將顯著提高。NA越大,滿足光學性能要求的環形視場寬度越小。增加反射鏡數量,允許中心遮攔可以為 EUVL光學系統設計提供更大的自由度,更可能實現大NA的系統設計。8鏡投影光學系統 NA可超過 0.4,但能量損失會顯著增大,且元件面形誤差要達到 pm級。如果設計中允許中心遮攔出現,投影系統NA可大于 0.5,但光瞳面光強分布不均將破壞系統的成像質量。

OanaMarinescu利用鞍點構建方法優化 EUV投影光學系統,獲得了新型投影物鏡結構[36]如圖11所示,但新設計的實用可行性有待分析。

圖11 由鞍點構建方法設計的投影光學系統結構Fig.11 Projection optics generated with saddlepoint construction

Carl Zeiss公司設計了分辨率可達 11 nm的投影光學系統[37]。圖12(a)為 8鏡無遮攔系統,圖12(b)為 6鏡有遮攔系統。兩種結構的 NA都為0.5。

圖12 Carl Zeiss設計的 NA為 0.5的投影光學系統Fig.12 Different type systems with NA of 0.5

4.2 EUVL照明光學系統設計

照明系統通常采用正入射復眼反射鏡的柯勒照明來確保照度及口徑均勻性。復眼結構是一種光學積分儀,將光源發射光束進行空間分離,形成由多個會聚點組成的二次光源。將這種二次光源當作發散光源。柯勒照明將光源像成像于投影光學系統入瞳。來自光源各處的光重疊照射在掩模板上,確保照度均勻性[38],圖13表述了這些原理。

圖13 復眼照明系統原理圖Fig.13 Principle of fly eye illumination optics

以下 4種方法可以提升照明系統性能[39～41]:

(1)改變復眼反射鏡的排列方式,將小鏡面由邊緣對齊的結構調整為邊緣不對齊的分布結構。由圖14(a)、(b)比較可發現,(b)所示復眼反射鏡形成的子光源在孔徑光闌內分布更均勻,更容易實現光能的均勻分布。

圖14 復眼元件排列方式Fig.14 Arrangement of facets

(2)根據光源輻射特性,調整部分小鏡面傾斜角度,改變前后組復眼中小鏡面空間對應關系,改善掩模面照度均勻性。

(3)改變后組復眼反射鏡中小鏡面的截面形狀,提高照明系統能量利用率。當被照明區域長寬比大時,小鏡面形成的子光源大小將受到小鏡面較小邊限制,不利于光能收集,影響均勻照明。如圖15所示,改變前后組小鏡面橫截面形狀對應關系,前組的小鏡面橫截面形狀與掩模照明區相同,后組的小鏡面橫截面形狀接近方形。可以更有效地收集能量。

圖15 前后組復眼元件對應方式Fig.15 Rule of correspondence between the two facets

(4)可根據光路設計要求將元件面形復雜化以補償元件數量的限制,例如可通過將元件非球面化,提高照明系統性能。

5 結束語

今天,極紫外光刻已被認為是最有前景的光刻技術之一,其中,曝光光學系統性能直接決定著光刻圖形質量。本文介紹了 EUVL實驗樣機及其曝光系統設計,討論了 EUVL光學系統設計原則。對比分析了適用于 22 nm節點的 EUVL非球面六鏡投影光學系統,提出了改善 EUVL照明均勻性的方法。

EUVL技術經過近 20年的發展,在光學元件加工、系統檢測、裝調等關鍵單元技術方面均已逐步成熟。盡管隨著技術的進步,未來的光刻技術將是多元化的,應用領域也會不斷延深,但就占有率最大的半導體和微電子領域,極紫外光刻仍是最被期待的,有理由認為,EUVL很可能在 22 nm節點實現量產。

[1] HUDY MA R M.An overview of optical systems for 30 nm resolution lithography at EUV wavelengths[J].SPIE,2002,4832:137-148.

[2] WOODA O,KOAYB C-S,PETR ILLOB K.EUV Lithography at the 22 nm technology node[J].SPIE,2010,7636:76361M/1-76361M/8.

[3] BAKSH IV.EUVLithography[M].Bellingham:SPIE Press,2009.

[4] JEWELL T E.Reflctive system design study for softX-ray projection lithography[J].J.Vac.Sci.Technol.,1990,B8(6):1519-1523.

[5] GOLDS M ITHA J EM,BARRA P K,BERGERA KW.Recent advances in the Sandia EUV l0xmicrostepper[J].SPIE,1998,3331:11-19.

[6] KUR IHARA K.Two-mirror telecentric optics for soft X-ray reduction lithography[J].J.Vac.Sci.Technol.,1991,B9(6):3198-3192.

[7] JEWELL T E.Two aspheric mirror system design for SXPL[A].OSA Proceedings on Soft X-Ray Projection Lithography[C].Monterey,California,May 10-12,1993,18:71-74.

[8] GOLDS M ITH J E M,BERGER KW,BOZ MAN D R,et al..Sub-100-nm imaging with an EUV 10x microstepper[J].SPIE,1999,3676,:264-271.

[9] 金春水,王占山,曹健林.軟 X射線投影光刻原理裝置的設計[J].光學精密工程,2000,8(1):66-70.J IN CH SH,WANG ZH SH,CAO J L.Development of elementary arrangement for soft X-ray projeetion lithography[J].Opt.Precision Eng.,2000,8(1):66-70.(in Chinese)

[10] TI CHENOR D A,RAY-CHAUDHUR IA K,REPLOGL W C,et al..System integration and performance of the EUV engineering test stand[J].SPIE,2001,4343:19-37.

[11] BOOTH M,BR IOSO O,BRUNTON A.High-resolution EUV imaging tools for resist exposure and aerial image monitoring[J].SPIE,2005,575:178-89.

[12] SOUFL IR,HUDY MA R M,SP ILLER E,et al..Sub-diffraction-l imited multilayer coatings for the 0.3 numerical aperture micro-exposure tool for extreme ultraviolet lithography[J].Appl.Opt.,2007,46:3736-3746.

[13] GOLDBERG KA,NAULLEAU P P,DENHAM P E,et al..At-wavelength alignment and testing of the 0.3-NA MET optic[J].J.Vac.Sci.Technol.,2005,B22(6):2956-2961.

[14] ROBERTSL J M,BACU ITAL T,BR ISTOLL R L.One s mall step:world′s first integrated EUVL process line[J].SPIE,2005,5751:64-77.

[15] NAULLEAU P P,ANDERSON C N,Dean K,et al..Recent results from the Berkeley 0.3-NA EUV microfield exposure tool[J].SPIE,2007,6517:65170V/1-65170V/8.

[16] NAULLEAU P P,ANDERSON C N,BACLEA-AN L-M,et al..The SEMATECH Berkeleymicrofield exposure tool:learning at the 22-nm node and beyond[J].SPIE,2009,7271:72710W/1-72710W/11.

[17] O IZUM IH,TANAKA Y,KUMASAKA F,et al..Lithographic performance of high-numerical-aperture(NA=0.3)EUV Small-Field Exposure Tool(H INA)[J].SPIE,2005,5751:102-105.

[18] UZAWA S,KUBO H,M IWA Y,et al..Path to the HVM in EUVL through the development and evaluation of the SFET[J].SPIE,2007,6517:651708/1-651708/10.

[19] ME IL ING H,BOON E,BUZ INGN,et al..Performance of the full-field EUV systems[J].SPIE,2008,6921:69210L/1-69210L/13.

[20] ME IL ING H,BUZ ING N,CUMM ING S K,et al..EUVL systems:moving towards production[J].SPIE,2009,7271:727102/1-727102/15.

[21] HARNED N,GOETHALSN,GROENEVELD R,et al..EUV lithographywith the Alpha Demo Tools:status and challenges[J].SPIE,2007,6517:651706/1-651706/12.

[22] WAGNER C,HARNEDA N,KUERZB P,et al..EUV into production with AS ML′s NXE platform[J].SPIE,2010,7636:76361H/1-76361H/16.

[23] M IURA T,MURAKAM I K,SUZUKI K,et al..Nikon EUVL development progress summary[J].SPIE,2006,6151:1-10.

[24] M IURA T,MURAKAM I K,KAWA IN IKON H,et al..EUVL development progress update[J].SPIE,2010,7636:76361G/1-76361G/16.

[25] MOR I I,SUGA O,TANAKA H,et al..Selete′s EUV program:progress and challenges[J].SPIE,2008,6921:692102/1-692102/12.

[26] GOLDSTE IN M,HUDY MA R,NAULLEAU P,et al..Extreme-ultravioletmicroexposure tool at 0.5 NA for sub-16 nm lithography[J].Opt.Lett.,2008,33(24):2995-2997.

[27] SOUFL IR,SP ILLER E,SCHM IDTM A,et al..Multilayer optics for an extreme ultraviolet lithography toolwith 70 nm resolution[J].SPIE,2001,4343:51-59.

[28] CHEN L,M ICHAEL,DESCOUR R,et al..Multilayer-coating-induced aberrations in extreme-ultraviolet lithography optics[J].Appl.Opt.,2001,40(1):129-135.

[29] M ICHALOSKI P.Requirements and designs of illuminators formicrolithography[J].SPIE,2004,5525:1-10.

[30] HAGA T,K INOSH ITA H.Illumination system for extreme ultraviolet lithography[J].J.Vac.Sci.Technol.B,1995,13(6):2914-2918.

[31] KOMATSUDA H.Novel illumination system for EUVL[J].SPIE,2000,3997:765-776.

[32] BORN M,WOLF E.Principles of Optics7th Edition[M].Cambridge:Cambridge University Press,1999.

[33] HUDY MA R M.High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography:US,6072852[P].2000-06-00.

[34] CHAPMAN H N,HUDY MA R M,SHAFER D R,et al..Reflective optical imaging system with balanced distortion:US,5973826[P].1999-10-26.

[35] HUDY MA R M.High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet projection lithography:US,6033079[P].2000-03-07.

[36] MAR INESCU O,BOC IORT F.Saddle-point construction in the design of lithographic objectives[J].Opt.Eng.,2008,47(9):093002/1-093002/6.

[37] LOW ISCH M,KUERZ P,MANN H-J,et al..Optics for EUV production[J].SPIE,2010,7636:763603/1-763603/11.

[38] ANTON IM,S INGERA W,SCHULTZ J,et al..Illumination optics design for EUV-lithography[J].SPIE,2000,4146:25-34.

[39] MURAKAM I K,OSH INO T,KONDO H.Development of optics for EUV lithography tools[J].SPIE,2007,6517:65170J/1-65170J/8.

[40] OSH INO T,SH I RA ISH IM,KANDAKA N,et al..Development of illumination optics and projection optics for high-NA EUV exposure tool(HiNA)[J].SPIE,2003,5037:75-81.

[41] S M ITH D G.Modeling EUVL illumination systems[J].SPIE,2008,7103:71030B/1-71030B/8.