【摘要】利用InGaP/GaAsHBT技術研制了824~849MHz手機功率放大器芯片。在3.4V工作電壓下,低功率模式16dBm的效率達到9.5%,ACP@885kHz為-51.2dBc,ACP詞1.98MHz為-68dBc,高功率模式28dBm的效率達到40.3%,ACP@885kHz為-54dBc,ACP@1.98MHz為-61dBc。通過優化偏置電路,提高了電路性能對HBT電流增益的魯棒性。
【中圖分類號】TN722.1 【文獻標識碼】A 【文章編號】1672—5158(2012)08-O009-01