相控陣雷達用C波段TR組件的研究
2012-04-29 00:00:00王家波潘書山藺蘭峰
中國信息化·學術版 2012年8期
【摘要】采用C波段微波芯片套片，研制出的C波段T/R組件，由功率放大支路、低噪聲接收支路和相位控制支路構成。發射支路末級功率放大器采用GaAs贗配高電子遷移晶體管（PHEMT）功率芯片，實現C波段15w的功率輸出，發射效率達到40%；采用基于低溫共燒陶瓷（LTCC）的集成基板，提高集成度，縮小了組件體積。該組件工作頻率為5.2～5.8GHz，飽和輸出功率達到了10w，附加效率（PAE）為30%。
【關鍵詞】GaAs；功率芯片；LTCC技術；TR組件
【中圖分類號】TN95 【文獻標識碼】A 【文章編號】1672—5158（2012）08-0069-02
