傅文淵,凌朝東
(1.華僑大學(xué) 信息科學(xué)與工程學(xué)院,福建 廈門 361021;2.廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,福建 廈門 361008)
CMOS全差分跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的建模與設(shè)計(jì)
傅文淵1,2,凌朝東1,2
(1.華僑大學(xué) 信息科學(xué)與工程學(xué)院,福建 廈門 361021;2.廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,福建 廈門 361008)
研究帶增益自舉結(jié)構(gòu)的高速、高增益跨導(dǎo)運(yùn)算放大器,并對(duì)增益自舉運(yùn)放建立數(shù)學(xué)模型和進(jìn)行Matlab仿真驗(yàn)證.將設(shè)計(jì)的運(yùn)算放大器應(yīng)用于12bit 100MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)中,可得到輔助運(yùn)放的帶寬的最佳設(shè)計(jì).仿真結(jié)果表明:添加輔助運(yùn)放后,可以達(dá)到106dB的增益,增加了55dB;添加輔助運(yùn)放后的主極點(diǎn)較之前大大減小,次主極點(diǎn)略有減小,但輔助運(yùn)放的添加并不會(huì)影響運(yùn)放使用時(shí)的速度.
運(yùn)算放大器;全差分跨導(dǎo);增益自舉;模數(shù)轉(zhuǎn)換器;互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
在高速、高精度流水線型模數(shù)轉(zhuǎn)換器中,模擬信號(hào)經(jīng)采樣保持后得到的信號(hào)將經(jīng)過(guò)多級(jí)流水線級(jí)進(jìn)行處理.每個(gè)流水線級(jí)的輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)Flash模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)得到對(duì)應(yīng)的數(shù)字碼,而其中無(wú)法被分辨的殘余信號(hào)被本級(jí)放大后再輸出到下一級(jí)進(jìn)行處理[1],得到殘差信號(hào)并將其放大的電路即為殘差放大器(MDAC).殘差放大器是以運(yùn)放為基礎(chǔ)搭建的開(kāi)關(guān)電容放大器,其精度和速度直接影響到整個(gè)流水線ADC的速度和精度.為滿足高精度,要求運(yùn)算放大器必須具有非常高的開(kāi)環(huán)增益,傾向于選擇多級(jí)結(jié)構(gòu)和長(zhǎng)溝道器件[2];為了實(shí)現(xiàn)高速,要求運(yùn)算放大器具有大的單位增益帶寬,而單級(jí)運(yùn)放結(jié)構(gòu)和短溝道器件是能夠滿足的[3].然而,兩者不可避免會(huì)產(chǎn)生沖突,解決問(wèn)題的關(guān)鍵是尋找一種滿足要求的折衷結(jié)構(gòu).增益自舉技術(shù)大大增加了輸出阻抗以提高運(yùn)放增益[4],但并不增加額外的共源共柵器件,不會(huì)影響主運(yùn)放的輸出擺幅、單位增益帶寬.基于增益自舉結(jié)構(gòu)的運(yùn)算放大器[5]利用輔助運(yùn)放來(lái)提高增益,且不會(huì)影響運(yùn)放的輸出共模范圍和速度,適用于高速、高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器.本文基于12bit 100MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器,設(shè)計(jì)全差分跨導(dǎo)運(yùn)算放大器,并對(duì)增益自舉運(yùn)放建立數(shù)學(xué)模型和Matlab仿真驗(yàn)證.
采用增益自舉運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu),其頻率響應(yīng)特性近似為單極點(diǎn)系統(tǒng),并能實(shí)現(xiàn)高增益、大帶寬和快速建立時(shí)間,如圖1所示.該運(yùn)算放大器由一個(gè)套筒式共柵共源主運(yùn)放和兩個(gè)輔助運(yùn)放構(gòu)成.
M1的工作像一個(gè)反饋電阻,檢測(cè)輸出電流并把電流轉(zhuǎn)換為電壓;然后,將電壓經(jīng)輔助放大器A1通過(guò)M2的柵端反饋到輸出電流上,以此減小M2漏極電壓的變化對(duì)Vx的影響,從而使輸出電流更加穩(wěn)定,得到更高的輸出阻抗.
設(shè)輔助運(yùn)放直流增益為Aadd,根據(jù)電流-電壓反饋原理,電路的輸出阻抗增大了Aadd倍.因此,主運(yùn)放的套筒式共柵共源結(jié)構(gòu)加上輔助運(yùn)放后,其運(yùn)放的直流增益增大為


圖1 增益自舉運(yùn)放結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Structure of gain-boost operational amplifier
在增益自舉技術(shù)中,輔助運(yùn)放A1的添加會(huì)影響主運(yùn)放的性能,因此需要分析兩者的關(guān)系,使整體運(yùn)放達(dá)到最好的指標(biāo).考慮整體運(yùn)放的開(kāi)環(huán)特性,為簡(jiǎn)單計(jì),設(shè)輔助運(yùn)放為單極點(diǎn)系統(tǒng),其傳輸函數(shù)為

此時(shí),增益自舉運(yùn)放的增益可以表示為

式(3)中:gm1為輸入管 M1管跨導(dǎo);CL為負(fù)載電容;Rout(s)是頻率的函數(shù).Rout(s)的表示式為

式(4)中:gm2為 M2管跨導(dǎo);rds1與rds2分別為 M1與 M2管的輸出阻抗.將式(4)代入式(3),可得到

把式(2)代入式(5)并化簡(jiǎn),可得到總的開(kāi)環(huán)增益為

從式(6)可以看到,增益自舉運(yùn)放存在一個(gè)左半平面零點(diǎn),其值等于輔助運(yùn)放的單位增益帶寬(WGB),即ωZ=Aaddω1=WGBadd.由式(6)可以推導(dǎo)出其主極點(diǎn)和次主極點(diǎn)分別為

式(8)中:第1項(xiàng)為輔助運(yùn)放的單位增益帶寬;第2項(xiàng)為沒(méi)有添加增益自舉技術(shù)時(shí)主運(yùn)放的主極點(diǎn).當(dāng)次主極點(diǎn)的第1項(xiàng)遠(yuǎn)大于第2項(xiàng)時(shí),第2個(gè)極點(diǎn)p1≈Aaddω1≈ωZ.由此可以看出,輔助運(yùn)放對(duì)整體運(yùn)放產(chǎn)生了位置很相近的一個(gè)零極點(diǎn)對(duì).
進(jìn)一步考慮其閉環(huán)特性.在首級(jí)殘差放大器中,運(yùn)算放大器處于反饋系數(shù)為β的閉環(huán)結(jié)構(gòu)中.此時(shí),閉環(huán)傳輸函數(shù)可表示為



當(dāng)滿足上述要求時(shí),輔助運(yùn)放的頻率特性對(duì)整個(gè)放大器的頻率特性沒(méi)有太大的影響.增益自舉的單位增益帶寬主要由主運(yùn)放的單位增益帶寬決定,可表示為

針對(duì)輔助運(yùn)算放大器的主極點(diǎn),編寫Matlab程序,得出輔助運(yùn)放的主極點(diǎn)和整體運(yùn)放的建立時(shí)間、峰值電壓和峰值時(shí)間的關(guān)系圖,如圖2所示.由圖2可知,當(dāng)輔助運(yùn)放的主極點(diǎn)增大時(shí),運(yùn)放的峰值時(shí)間將減少,且減少趨勢(shì)逐步降低;在300~750MHz時(shí),峰值時(shí)間變化最小.同時(shí),運(yùn)放的峰值電壓隨著輔助運(yùn)放主極點(diǎn)增大而增加.
在320~890MHz之間,運(yùn)放的建立時(shí)間隨著輔助運(yùn)放主極點(diǎn)的增加而減少,但變化幅度較少(低于0.003 7%).因此,可以得出輔助運(yùn)放的主極點(diǎn)在320~890MHz之間變化時(shí),對(duì)增益自舉運(yùn)算放大器的建立時(shí)間影響不大,而在220~230MHz之間,運(yùn)放建立時(shí)間減少1ns,變化幅度較為劇烈(10%).此時(shí),輔助運(yùn)放的主極點(diǎn)將對(duì)整體運(yùn)放產(chǎn)生遲滯作用,增大整體運(yùn)放的建立時(shí)間.由此得到設(shè)計(jì)時(shí)在滿足式(13)條件的基礎(chǔ)上,輔助運(yùn)算放大器的單位增益帶寬不需太大,可以得到功耗和速度的優(yōu)化.
除了考慮輔助運(yùn)放的頻域、時(shí)域特性外,還必須考慮到其對(duì)整體運(yùn)放共模輸入范圍和輸出擺幅的影響[6-7].輔助運(yùn)算放大器采用折疊型共柵共源運(yùn)放結(jié)構(gòu),不會(huì)影響整體運(yùn)放的輸出擺幅.由于兩個(gè)輔助輸入共模電平的不同,其輸入管分別為PMOS管和NMOS管.圖3是輸入對(duì)管為NMOS管的輔助運(yùn)放A1.圖3中,A2也同為折疊式共柵共源運(yùn)放,只是輸入對(duì)管類型不同.

圖2 輔助運(yùn)放主極點(diǎn)的Matlab仿真Fig.2 Matlab simulition of auxiliary operational amplifier dominant pole

圖3 輔助運(yùn)放結(jié)構(gòu) Fig.3 Structure for auxiliary operational amplifier
運(yùn)放仿真性能指標(biāo):開(kāi)環(huán)增益為102dB;單位增益帶寬為1.95GHz;相位裕度為62°;建立時(shí)間為4.8ns;負(fù)載電容為3.5pF;供電電源為3.3V.在有、無(wú)增益自舉結(jié)構(gòu)情況下,套筒運(yùn)放在添加增益自舉結(jié)構(gòu)前后的幅頻特性和相頻特性,如圖4所示.圖4中:A為振幅增益;φ為相位裕度;f為頻率.

圖4 套筒運(yùn)放在添加增益自舉結(jié)構(gòu)前后的幅頻/相頻特性對(duì)比Fig.4 Contrast to the character of amplitude and phase when added to cascade operational amplifier
從圖4中可知,仿真結(jié)果和理論研究基本相符.在未加增益自舉結(jié)構(gòu)時(shí),運(yùn)放僅能達(dá)到51dB的增益;添加輔助運(yùn)放后,可以達(dá)到106dB的增益,滿足首級(jí)MDAC對(duì)運(yùn)放增益的要求.
在圖4中還可以看到,添加輔助運(yùn)放后的主極點(diǎn)較之前大大減小,次主極點(diǎn)略有減小.這是由于輔助運(yùn)放的添加增大了該點(diǎn)的寄生電容.但是,由于增益的提高,運(yùn)放的單位增益帶寬及相位裕度在兩種情況下基本不變,證明輔助運(yùn)放的添加并不會(huì)影響運(yùn)放使用時(shí)的速度.
系統(tǒng)分析了在Pipeline ADC設(shè)計(jì)中增益自舉結(jié)構(gòu)的跨導(dǎo)運(yùn)算放大器特性,揭示了輔助運(yùn)算放大器對(duì)整體運(yùn)算放大器帶寬影響的數(shù)學(xué)機(jī)理,對(duì)模數(shù)混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)者有較大的參考價(jià)值.
[1]GALTON S E.A digitally enhanced 1.8-V 15-bit 40-MSample/s CMOS Pipelined ADC[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2004,39(12):2126-2138.
[2]QUINN P J,VAN ROERMUND A H M.Design and optimization of multi-bit front-end stage and scaled back-end stages of pipelined ADCs[J].IEEE ISCAS,2005,40(3):1964-1967.
[3]BULT K,GEELEN G J G M.A fast-settling CMOS op amp for SC circuits with 90-dB DC gain[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1990,25(6):1379-1384.
[4]LOTFI R,TAHERZADEH-SANI M,AZIZI M Y,et al.Systematic design for power minimization of pipelined analog-to-digital converters[C]∥International Conference on Computer Aided Design.San Jose:[s.n.],2003:371-374.
[5]CHOKSI O,CARLEY R L.Analysis of switched-capacitor common-mode feedback circuit[J].IEEE Transactions on Circuit and Systems(Ⅱ):Analog and Digital Signal Processing,2003,50(12)::906-917.
[6]GRAY P R.Analysis and design of analog integrated circuits[M].New York:Wiley,2000.
[7]凌朝東,黃群峰,張艷紅,等.腦電信號(hào)提取專用電極芯片的設(shè)計(jì)[J].華僑大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2007,28(3):260-263.
Design and Modeling of a CMOS Fully Differential Transconductance Operational Amplifier
FU Wen-yuan1,2,LING Chao-dong1,2
(1.College of Information Science and Engineering,Huaqiao University,Xiamen 361021,China;2.Key Laboratory of ASIC and System of Xiamen,Xiamen 361008,China)
Research of high-speed and high-gain transconductance amplifier with the structure of gain-boost,the mathematical modeling and Matlab simulation is presented for gain-boost operational amplifier.Designed operational amplifier is used in 12bit 100MSPSADC,and the optimal design on the auxiliary amplifier bandwidth can be obtained.Simulation results show that gain is 106dB which increses of 55dB if an auxiliary operational amplifier is added.Besides,if we the auxiliary operational,dominant pole is greatly reduced and non-dominant pole slightly decreases,but the addition of auxiliary amplifier does not affect the speed of the operational amplifier.
operational amplifier;fully differential transconductance;gain-boosting;analog to digital converter;complementary metal-oxide-semiconductor
錢筠 英文審校:吳逢鐵)
TP 722.770.2
A
1000-5013(2012)01-0023-04
2011-01-13
傅文淵(1983-),男,助教,主要從事信號(hào)處理和混合信號(hào)電路的研究.E-mail:fwy@hqu.edu.cn.
國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目 (60772164);福建省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(T0850005)