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高速高密度PCB電源完整性分析

2012-12-28 09:19:12閆靜純蘇浩航
電子器件 2012年3期
關鍵詞:分析

閆靜純,李 濤,蘇浩航

(北京空間機電研究所,北京100076)

隨著器件工藝和封裝集成技術的發展,更多功能的模擬和數字電路制作或集成到單個芯片中。從芯片的集成度[1]和工作頻率發展趨勢上看,①芯片的工作電流在不斷增加,功耗也在相應的增加。②芯片主時鐘頻率越來越快,從而要求邊沿切換時間越來越短。③芯片的工作電壓卻不斷減小,電壓噪聲容限也隨之減小。因此,當大量高速開關器件同時快速切換狀態時,就會產生電源噪聲,干擾周圍的高速信號,并且由于噪聲容限變小,嚴重時,可引發芯片的誤動作,造成不利影響。因此對電源完整性的研究顯得越來越重要[2-3]。

本文以一塊8層板為例,運用目標阻抗法對其電源分配網絡進行分析,針對網絡中的電源完整性問題,采用合適的修改措施,使其電源分配網絡設計滿足要求。

1 電源分配網絡設計

高速PCB電源完整性的意義就是為系統內所有器件或芯片提供足夠的電源,并滿足穩定性要求[4]。在實際高速電路系統中,電源分配網絡在不同頻率時,存在不同電源阻抗,當大量開關同時切換狀態產生的噪聲電流通過時,會產生一定的電壓降和電壓擺動,造成供電不連續,可能會影響高速系統的正常工作。所以為了保證每個器件始終都能得到正常的電源供應,就需要對電源分配網絡的電源阻抗進行控制,盡可能降低其阻抗。

PCB的電源分配網絡PDN組成部件[5]如圖1所示,包括穩壓模塊VRM、去耦電容、電源地平面耦合電容。它們分別在不同的頻率范圍內做出響應。穩壓模塊的頻率響應范圍大約是0~1 kHz;大電解電容提供電流并在1 kHz~1 MHz頻率范圍內保持較低阻抗;高頻陶瓷電容在1 MHz至幾百兆赫茲頻率范圍內保持較低阻抗;電源地平面對則在100 MHz以上頻率范圍內保持較低阻抗;更高頻率范圍的低阻抗要求則需要芯片內部電源網絡來提供。

圖1 PDN的組成部件

穩壓模塊VRM(Voltage Regulator Module)是最大的電荷存貯和輸送源,為整個電子系統提供能量。圖2是VRM的簡化線性模型,Rout為等效輸出電阻,Lout為等效輸出電感,Rflat為等效串聯輸入電阻,Lslew為等效串聯輸入電感。

圖2 VRM的簡化線性模型

去耦電容[6]的主要功能是可以在開關器件瞬時狀態切換時提供電荷。當VRM的輸出阻抗超過目標阻抗時,去耦電容可以把VRM旁路,為高頻突變電流提供低電感的回路,直接給開關電路供電。使用去耦電容可以有效的抑制同步開關噪聲,減小電壓波動。

由于去耦電容本身存在等效串聯電阻RES和等效串聯電感LES。因此在電源完整性分析中采用的簡化電容模型是由電容、電阻和電感串聯組成的,即一個RLC串聯諧振電路,其等效阻抗和諧振頻率為:

式中:Z是電容的等效阻抗;f0為電容的諧振頻率;RES為電容的等效串聯電阻;LES為電容的等效串聯電感。

在進行PCB設計時,要選擇RES較小、諧振頻率和電路工作頻率相近的去耦電容,在此基礎上,容值較大,LES較小為好。在實際電路中,為使去耦電容在一定的工作頻率范圍內保持較低阻抗,通常采用大小電容并聯的方法,且并聯電容的容值相差兩個數量級即100倍。并聯使得RES和LES減小,容值增大,去耦效果更好。

在高速PCB上放置去耦電容的基本原則是靠近電源管腳且確保安裝電感盡量小。布線時盡量減少焊盤與電源地連線的長度,使用寬的連線。如果空間允許的話,可以多打連接過孔,形成并聯方式來降低電感;如果工藝允許的話,可以直接在電容焊盤上打盲埋孔,這是降低電感的最好辦法。

當前電源完整性分析的主要方法是目標阻抗設計法[7],計算公式如下:

式中:Zm為目標阻抗;Vsupply為供電電壓;IDynamic是ΔI噪聲電流與瞬態負載電流的總和。

電源完整性分析將PDN看成一個網絡,以各個功耗器件的最大電流激勵PDN,為了使電壓波動小于電源噪聲容限,PDN的電源阻抗必須小于目標阻抗。通過PDN的頻域阻抗曲線,可以清楚地判斷在哪些頻點上會出現嚴重的電源噪聲。

2 電源完整性仿真

本文以一塊8層板為例,如圖3所示,對其電源完整性進行分析,分析軟件為 Ansoft SIwave。該PCB板的疊層如圖4所示。板上包含模擬電路和高速數字電路,其中3.3 V的電源主要支持板上FPGA器件和數傳的主要工作,信號上升時間小于1 ns,因此該電源層上的噪聲對整個電路的影響至關重要,在設計中需要對3.3 V電源進行詳盡分析。

圖3 8層板PCB圖

圖4 8層PCB板疊層設置

2.1 諧振分析

首先對整板進行諧振分析,發現在FPGA附近有一個33 MHz左右的諧振模式,如圖5所示。如果諧振被激發,會影響FPGA的正常工作,故需進一步進行電源阻抗分析,以消除這個諧振,減小電源對FPGA工作的影響。

圖5 33 MHz諧振模式的電壓波動圖

2.2 電源阻抗分析[8]

在3.3 V數字電源上,器件時鐘頻率為100 MHz,估算取3.3 V電源上的ΔI噪聲電流與瞬態負載電流總和為1 A,允許波動范圍取5%,則根據式(2)可知,目標阻抗為0.165 Ω。通過計算在信號上升時間為1 ns時,根據信號完整性理論可知,其信號的轉折頻率[9]為500 MHz,因此該3.3 V電源的阻抗在500 MHz內均需要小于目標阻抗。

在各數傳芯片及FPGA的電源引腳處放置探針,對其進行電源完整性仿真,結果如圖6所示。

圖6 阻抗仿真結果圖

頻率100 MHz時各探針處的阻抗值如圖6所示,可以看出,只有port5處的阻抗值(0.289 Ω)高于目標阻抗(0.165 Ω),其余均低于目標阻抗。但在500 MHz內并不滿足要求低于目標阻抗的要求,需降低其電源阻抗。并且FPGA處的電源阻抗在30 MHz左右有一個波動,尖峰處(在31.3 MHz時為0.199 Ω)超過了目標阻抗,這與諧振分析一致。因此需要在附近添加去耦電容,以降低電源阻抗。

2.3 添加去耦電容

本文選取了容值為33 nF,寄生電感為0.47 nH,寄生電阻為0.03 Ω,諧振頻率為40 MHz的電容,以降低FPGA附近30 MHz處的高電源阻抗。選取2.2 nF、5.6 nF、470 pF三組電容降低500 MHz以內的高阻抗。這幾種電容具體的諧振曲線如圖7所示。

圖7 電容諧振曲線圖

2.4 修改后的阻抗分析

在FPGA及各數傳附近添加去耦電容之后,30 MHz左右時FPGA處的的電源阻抗尖峰消除了,并且FPGA及各數傳處的電源阻抗在530 MHz范圍內都低于目標阻抗值。3.3 V數字電在工作頻率范圍內滿足了阻抗低于目標阻抗設計要求,具體仿真結果如圖8所示。再次對PCB板進行諧振分析,FPGA附近33 MHz時的諧振消失了,仿真結果如圖9所示。

圖8 修改后的3.3 V電源阻抗分析圖

圖9 修改后的33 MHz諧振模式的電壓波動圖

3 結論

本文以具體的多層高速高密度PCB板為例,詳細地對電源完整性加以分析,并通過添加去耦電容,有效地改善了電源分配網絡的設計,對整個PCB的電源系統的設計具有明顯的指導意義。

[1]Sridharan V,Swaminathan M,Bandyopadhyay T.Enhancing Signal and Power Integrity Using Double Sided Silicon Interposer[J].IEEE Microwave and Wireless Components Letters,2011,21(11):598-600.

[2]白同云.高速PCB電源完整性研究[J].中國電子科學研究院學報,2006,1(1):22-30.

[3]周子琛,申振寧.高速嵌入式系統中的電源完整性設計方法[J].單片機與嵌入式系統應用,2010(3):19-21.

[4]張木水.高速電路電源分配網絡設計與電源完整性分析[D].西安:西安電子科技大學,2009.

[5]Swaminathan M,Kim J,Novak I,et al.Power Distribution Networks for System on Package:Status and Challenges[J].IEEE Transactions on Advanced Packaging,2004,27(2):286-300.

[6]Tzong-Lin Wu,Hao-Hsiang Chuang,Ting-Kuang Wang.Overview of Power Integrity Solutions on Package and PCB:Decoupling and EBG Isolation[J].IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility,2010,52(2):346-356.

[7]Madhavan Swaminathan,Ege Engin A,著.芯片及系統的電源完整性建模與設計[M].李玉山,等譯.北京:電子工業出版社,2009:13-14.

[8]李學平,李玉山.基于Ansoft仿真分析的SSN解決方案探討[J].微型機與應用,2011,30(4):68-70.

[9]林少晶.板級電源的完整性設計及驗證方法[J].廣東科技,2009(12):211-213.

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