【摘要】采用c波段微波芯片套片,研制出的c波段T/R組件,由功率放大支路、低噪聲接收支路和相位控制支路構成。發射支路末級功率放大器采用Gahs贗配高電子遷移晶體管(PHEMT)功率芯片,實現c波段1 5w的功率輸出,發射效率達到40%;采用基于低溫共燒陶瓷(LTCC)的集成基板,提高集成度,縮小了組件體積。該組件工作頻率為5.2~5.8GHz,飽和輸出功率達到了10W,附加效率(PAE)為30%。
【關鍵詞】GaAs;功率芯片;LTCC技術;收發組件
【中圖分類號】F407.63 【文獻標識碼】A 【文章編號】1672-5158(2012)09-0178-01