ATO透明導(dǎo)電薄膜的研究進(jìn)展

趙 禎，張健民，吳 姣，席運(yùn)澤，楊東麟，蘇玉長(zhǎng)

（中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，長(zhǎng)沙 410083）

0 引 言

1972年，Vossen等［1］報(bào)道由磁控濺射法制備的摻銻氧化錫（ATO）薄膜表現(xiàn)出了良好的光傳輸性和高導(dǎo)電性。此外，該薄膜還具有高透過(guò)率和高硬度等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于平板液晶顯示器［2］、太陽(yáng)能電池［3］、微波反射膜［4］、薄膜電阻氣敏元件、透明電極、存儲(chǔ)設(shè)備、電容器、光發(fā)射二極管［5］等方面。

摻銻氧化銦（ITO）透明薄膜是電子制造業(yè)的重要材料，但是其成本較高，且在厚度小于100nm時(shí)不穩(wěn)定，制約了ITO系列薄膜的應(yīng)用與發(fā)展。而ATO透明薄膜的穩(wěn)定性良好，原料成本較低，儲(chǔ)量相對(duì)較大，特別是與ITO透明薄膜相比具有優(yōu)異的紅外光吸收特性，在透明吸波隔熱薄膜等節(jié)能材料領(lǐng)域具有更好的發(fā)展前景。因此ATO透明導(dǎo)電薄膜成為了目前的一個(gè)研究熱點(diǎn)，且已開(kāi)發(fā)出了多種制備方法，不同方法所制備薄膜的光學(xué)性能也明顯不同。為了給相關(guān)人員提供參考，作者根據(jù)大量ATO透明導(dǎo)電薄膜研究成果，對(duì)比介紹了ATO薄膜的各種制備方法，分析了主要制備工藝參數(shù)對(duì)其光學(xué)性能的影響，并指出了ATO透明導(dǎo)電薄膜今后的發(fā)展方向。

1 制備方法及光電特性

ATO薄膜的制備方法主要有溶膠凝膠法、射頻磁控濺射法、噴霧熱解法、化學(xué)氣相沉積法等。

1.1 溶膠凝膠法

溶膠凝膠法是以高化學(xué)活性組分的化合物（金屬醇鹽或無(wú)機(jī)鹽）為前驅(qū)體，在一定溶劑中將前驅(qū)體均勻混合，并進(jìn)行水解、縮合反應(yīng)，形成穩(wěn)定的透明溶膠體系，溶膠經(jīng)陳化后膠粒間緩慢聚合，形成凝膠。凝膠經(jīng)過(guò)干燥、燒結(jié)固化制備出分子乃至納米亞結(jié)構(gòu)的ATO薄膜。

曾凡菊等［6］用溶膠凝膠法，以乙二醇甲醚為溶劑，無(wú)水SnCl2為前驅(qū)物，在800℃下，按銻與錫質(zhì)量比為0.15的配比將一定濃度的SnCl2（分析純）溶液加入到SbCl3溶液當(dāng)中，攪拌、陳化后得到溶膠，制備得到透過(guò)率高達(dá)87%的ATO薄膜。張道禮等［7］以金屬無(wú)機(jī)鹽SnCl2和SbCl3為原料，用溶膠凝膠法在普通的載玻片基底上，制備出透過(guò)率在85%以上、方塊電阻在100Ω·cm－2左右的ATO導(dǎo)電薄膜 。吳春春等［8］用溶膠凝膠法，以SnCl4為前驅(qū)體，按SbCl3與SnCl4質(zhì)量比為6%配料，在700℃的固化溫度下制備出電導(dǎo)率為3.7×10－3S·m－1的ATO薄膜。

溶膠凝膠法將前驅(qū)體被分散到溶劑時(shí)，可以在很短的時(shí)間內(nèi)獲得分子水平的均勻性，并具有復(fù)合材料尺寸易于控制、試驗(yàn)設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)張道禮等［7］通過(guò)改善熱處理?xiàng)l件、優(yōu)化升溫速率和延長(zhǎng)降溫時(shí)間等措施，使薄膜的晶化程度和致密度進(jìn)一步提高，制備出了高性能的ATO薄膜。近年來(lái)，隨著真空熱處理工藝的發(fā)展，溶膠中結(jié)晶相的添加，摻雜環(huán)境的優(yōu)化，用溶膠凝膠法制備的ATO膜最小電阻率已接近理論最佳電阻率［9］5.0×10－4Ω·cm，對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率也達(dá)到90%以上。溶膠凝膠法是目前最常用的ATO薄膜的制備方法。然而該方法制備的ATO薄膜晶粒堆積疏松，膜層多孔的缺陷難以得到根本改觀；此外混雜在中間產(chǎn)物中的Cl－難以洗滌干凈，殘余的Cl－在提高薄膜穩(wěn)定性的同時(shí)，會(huì)降低膜的導(dǎo)電性能［10］。

1.2 射頻磁控濺射法

射頻磁控濺射法是利用電子在電場(chǎng)作用下加速飛向基片的過(guò)程中與惰性氣體（如氬氣等）原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片，在此過(guò)程中電子又不斷和惰性氣體原子碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子；離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊陰極靶濺射出靶材原子或分子，并沉積在襯底材料上，經(jīng)冷凝、形核、長(zhǎng)大而形成薄膜。

Yu等［11］以氬氣和氧氣為濺射氣體（氣體的總壓力為0.5Pa，濺射速率為280nm·min－1），在200℃石英玻璃基板上制得的ATO薄膜在可見(jiàn)光波段內(nèi)透過(guò)率高達(dá)80%。王玉恒［12］等用射頻磁控濺射法，以純度為99.99%的SnO2和Sb2O3的混合粉燒結(jié)成的陶瓷為靶材（其中Sb2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是4%），以純度為99.99%的氬氣和氧氣作為工作氣體，在玻璃基板上以150W的濺射功率制備出了具有純氧化錫四方金紅石結(jié)構(gòu)的多晶ATO膜薄，薄膜在392nm附近存在強(qiáng)的紫外-紫光發(fā)射，發(fā)射強(qiáng)度隨制備功率的增加而增強(qiáng)，且薄膜退火后發(fā)射強(qiáng)度也明顯增強(qiáng)。陳甲林等［13］以Sb2O3與SnO2質(zhì)量比為6∶94的氧化物陶瓷為靶材，在1.5Pa氧氣分壓下，制備了光電性能很好的ATO薄膜，其可見(jiàn)光透過(guò)率為70%，電阻率為2.5×10－3Ω·cm。

射頻磁控濺射法操作簡(jiǎn)單，制得的薄膜與基板的附著力強(qiáng)，薄膜致密，質(zhì)量較高。磁控濺射技術(shù)目前被廣泛應(yīng)用于鍍膜玻璃的大規(guī)模生產(chǎn)，可以用于制備高熔點(diǎn)的薄膜。用射頻磁控濺射技術(shù)制備的ATO薄膜的電阻率達(dá)到2.5×10－3Ω·cm左右，是具有良好應(yīng)用前景的ATO制膜方法之一。然而射頻磁控濺射法的濺射效率不高，造成靶材的浪費(fèi)，且相關(guān)的設(shè)備價(jià)格高，故成本較高，另外高能離子會(huì)對(duì)薄膜表面造成一定損傷。通過(guò)用旋轉(zhuǎn)靶取代固定靶［14］，可以使靶材利用率提高至80%以上，延長(zhǎng)了靶材的使用壽命，杜絕靶中毒現(xiàn)象。

1.3 噴霧熱解法

噴霧熱解法是指將前驅(qū)體溶于水或有機(jī)溶劑中形成均勻溶液，溶質(zhì)與溶劑發(fā)生反應(yīng)生成尺寸極小的粒子，然后再將溶液霧化成小液滴，當(dāng)小液滴接觸到已加熱的基板時(shí)，溶劑揮發(fā)，溶質(zhì)就發(fā)生熱解反應(yīng)沉積成膜。

Thangaraju等［15］將SnCl2·2H2O和鹽酸的混合物以及SbCl3作為反應(yīng)先驅(qū)體，并將其霧化，以壓縮過(guò)濾的空氣作為載氣攜帶其進(jìn)入反應(yīng)室，然后噴灑在一定溫度的基板上，使其沉積形成ATO薄膜，薄膜紅外反射率達(dá)到88%～95%。張聚寶等［16］將一定比例的SbCl3溶液滴加到濃度為0.8mol·L－1的SnCl2溶液中，邊滴邊攪拌然后陳化，將所獲得的溶液通過(guò)噴霧熱分解法沉積成膜。薄膜的方塊電阻隨銻摻雜量的增加先快速減小然后緩慢增大，同時(shí)基板的溫度對(duì)薄膜的方塊電阻影響很大。通過(guò)調(diào)節(jié)涂膜液流量和基板溫度，當(dāng)銻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為11%時(shí)，所獲得的ATO薄膜最小電阻率為4.9×10－4Ω·cm，可見(jiàn)光透過(guò)率達(dá)到82%。

噴霧熱解法對(duì)真空、氣氛等試驗(yàn)條件要求不高，薄膜成分可以通過(guò)摻雜量和液流量很好地控制，制得的薄膜與基板結(jié)合能力強(qiáng)。該方法所需設(shè)備簡(jiǎn)單，成本低廉，適合于各種鍍膜生產(chǎn)，原料的選擇范圍也比較廣泛，是一種運(yùn)用最為普遍的鍍膜技術(shù)。并且國(guó)外現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)明了一種簡(jiǎn)化的噴霧熱解法，Ravichandran等［17］運(yùn)用霧化器噴霧技術(shù)替代傳統(tǒng)方法制備出了透過(guò)率達(dá)90%的ATO薄膜，在大面積生產(chǎn)ATO薄膜時(shí)能獲得很好的經(jīng)濟(jì)效益。

1.4 化學(xué)氣相沉積法

化學(xué)氣相沉積（CVD）法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種物質(zhì)在一定溫度下氣化，然后供給基板，在基板表面上反應(yīng)生成固態(tài)沉積物，進(jìn)而制得薄膜的方法。

謝蓮革等［18］用CVD法，在不同溫度下和不同銻摻雜量下用N2作為載氣將進(jìn)行氣化后的反應(yīng)先驅(qū)體MBTC和SbCl3攜帶進(jìn)入反應(yīng)室，制備了ATO薄膜。所獲得的薄膜主相晶體結(jié)構(gòu)為四方相，隨著銻摻雜量的增加，薄膜方塊電阻先減小后增加，當(dāng)銻摻雜量為2%時(shí)，薄膜的最小方塊電阻為7.8Ω·cm－2，可見(jiàn)光透過(guò)率在50%左右；在可見(jiàn)光區(qū)域，薄膜的紅外反射率和薄膜的方塊電阻有密切關(guān)系，銻摻雜量改變，透過(guò)率和反射率均會(huì)隨之不斷改變，其對(duì)光波的干涉峰位也不同。為了進(jìn)一步改善CVD法制得薄膜的均勻性和臺(tái)階覆蓋能力，周祥［19］先在普通的鈉鈣硅玻璃上鍍一層SiO2薄膜，然后采用CVD法獲得性能優(yōu)良的ATO薄膜。隨著基板溫度的升高，薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率增大；基板輸送速度越大，制備出的薄膜厚度越小，其透過(guò)率越高。

化學(xué)氣相沉積法工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，重復(fù)性好，同時(shí)可以采用等離子和激光輔助技術(shù)，能顯著地促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，使沉積可在較低的溫度下進(jìn)行；它對(duì)基板形狀限制小，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良，可以通過(guò)預(yù)先在基板上鍍一層薄膜，從而形成高度致密的薄膜。然而由于適于做鍍膜玻璃膜層材料的氣相先驅(qū)體缺乏或價(jià)格昂貴，一般能用CVD法生產(chǎn)的鍍膜品種主要有鎳、鈷、鉻等金屬薄膜，以及一些半導(dǎo)體薄膜，這使得目前CVD法的應(yīng)用受到一定的限制，其制備ATO薄膜的效益還沒(méi)有被廣泛認(rèn)可［20］。

1.5 其他方法

制備ATO薄膜的方法還有激光脈沖沉積以及直流磁控濺射法等。激光脈沖沉積法對(duì)靶材的兼容性好、沉積速率高、具有良好的成分可控性。文獻(xiàn)［21－22］使用激光脈沖沉積法制備的ATO薄膜，可用于替代WO3作為光致變色器件的極性材料。李娜［23］使用激光脈沖沉積法，在最優(yōu)試驗(yàn)參數(shù)下制備出可見(jiàn)光透過(guò)率82%，電阻率為6.60×10－4Ω·cm的ATO薄膜。直流磁控濺射技術(shù)［24］沉積速率較高，但是適用靶材范圍較小，且靶材利用率比較低。

2 薄膜參數(shù)與后處理對(duì)ATO薄膜光學(xué)性能的影響

一直以來(lái)關(guān)于氧化錫薄膜的研究主要集中在透明導(dǎo)電、氣敏性質(zhì)、反射、透射和折射等光學(xué)性能方面，也有少量文章報(bào)道了氧化錫薄膜的光致發(fā)光性能。主要分析了一些薄膜參數(shù)與后處理如薄膜厚度、薄膜銻摻雜濃度、退火溫度及復(fù)合鍍膜及混合鍍膜等對(duì)薄膜光學(xué)性能的影響。

2.1 薄膜厚度的影響

在溶膠凝膠法制備ATO薄膜時(shí)，薄膜厚度與提拉次數(shù)通常呈線性關(guān)系，其薄膜結(jié)晶度會(huì)隨著膜厚的增加而逐漸增大并趨向于完整［25］。同時(shí)Senguttuvan等［26］指出用溶膠凝膠法制備ATO薄膜時(shí)，薄膜厚度大于600nm后，薄膜的質(zhì)量會(huì)明顯下降。隨著薄膜厚度的增加，薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率會(huì)降低，方塊電阻減小，由于薄膜的紅外反射率與方塊電阻呈近似負(fù)相關(guān)，薄膜的紅外反射率會(huì)隨之增加。Lim［27］用溶膠-凝膠浸涂法制備了ATO薄膜，基板提拉速度設(shè)為50mm·min－1，制備出的單層薄膜在150℃下干燥15min，550℃燒結(jié)后在N2中退火，可得到最佳透光性能的ATO薄膜，其可見(jiàn)光透過(guò)率達(dá)90%。

2.2 銻摻雜濃度的影響

由于不同制備方法沉積薄膜時(shí)微晶的堆積狀態(tài)有所差異，因此制備ATO薄膜時(shí)最佳的銻摻雜量也不同，銻摻雜氧化錫薄膜的電阻率隨銻含量的增加先減小，但當(dāng)銻的含量達(dá)到某一定值后又增加。這一現(xiàn)象是由于離化雜質(zhì)散射，Sb2O3的大量淀積或不斷增加的晶格缺陷造成的［28］。Shanthi等［29］最初使用噴霧熱解法制備銻原子分?jǐn)?shù)為2%～9%的ATO薄膜，并在400℃下退火，結(jié)果表明在9%的摻雜條件下可見(jiàn)光透過(guò)率最高，達(dá)到80%以上，其他條件下均低于80%。張聚寶等［16］以噴霧熱解法制備的ATO薄膜，在涂膜液流量為2mL·min－1、氣壓為0.4MPa、基板溫度為500 ℃條件下，摻雜量為11%的薄膜透過(guò)率最高，達(dá)到了82%以上。楊保平等［30］使用溶膠凝膠法在不同的銻摻雜濃度下制備了ATO薄膜，試驗(yàn)證明當(dāng)銻的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)為10%時(shí)，可見(jiàn)光透過(guò)率最高，接近于90%。

2.3 退火條件的影響

退火處理是溶膠凝膠法中的一個(gè)制備環(huán)節(jié)。由于溶膠凝膠法是ATO薄膜的主要制備方法，探究該方法中的退火條件對(duì)于提高ATO薄膜的光學(xué)性能有重要意義。文獻(xiàn)［31－33］認(rèn)為500℃左右的退火溫度能使ATO薄膜得到最好的處理效果，此時(shí)薄膜結(jié)構(gòu)較致密，微晶發(fā)育完好，能制得結(jié)晶性能較好的薄膜，其具有好的導(dǎo)電性能、較高的可見(jiàn)光區(qū)透過(guò)率和紅外光區(qū)反射率。也有研究發(fā)現(xiàn)在500℃左右時(shí)薄膜的透過(guò)率與紫外吸收率并不隨熱處理溫度的升高有太大變化［34］，因?yàn)樵谕嘶鹛幚砗蟊∧す鈱W(xué)帶隙的變化不明顯，其吸收改變不大。王宇恒［12］等用磁控濺射法制備ATO薄膜時(shí)，發(fā)現(xiàn)薄膜在真空中退火后光致發(fā)光性能比在空氣中退火后的明顯減弱。理論上在真空中退火會(huì)引入更多的氧空位，可使發(fā)光強(qiáng)度提高；但銻摻雜量的減少可使發(fā)光強(qiáng)度降低。試驗(yàn)中發(fā)光強(qiáng)度降低的現(xiàn)象說(shuō)明了起關(guān)鍵作用的是銻摻雜而非氧空位濃度［35］。

2.4 復(fù)合薄膜的影響

ATO復(fù)合薄膜是通過(guò)在基板上分別沉積ATO薄膜與其他材料的單層膜制成，或者將ATO薄膜與其他材料的溶液先均勻混合再鍍膜制成。制備復(fù)合薄膜是提高薄膜光學(xué)性能的重要途徑，可在保持原有ATO薄膜光學(xué)性能基礎(chǔ)上起到改善薄膜厚度均勻性、提高紅外或紫外波段的阻隔率等作用。針對(duì)制備ATO薄膜時(shí)因薄膜厚度不均勻而產(chǎn)生的干涉色問(wèn)題，馬鳴明［36］用溶膠凝膠法，在優(yōu)化乙醇量的基礎(chǔ)上，在鈦酸丁酯與乙醇的物質(zhì)的量比為1∶80、銻與錫物質(zhì)的量比為5%、500℃熱處理20min條件下制備出折射率為1.8的TiO2薄膜，并將其作為中間層制成復(fù)合薄膜，與ATO薄膜的折射率相匹配，有效消減因ATO薄膜厚度不均勻而引起的干涉色。Wang［37］等將LaB6與ATO制成復(fù)合薄膜，然后進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚囼?yàn)表明溫度升高有利于提高薄膜的透過(guò)率，并且經(jīng)過(guò)1 000℃高溫?zé)崽幚砗螅∧?duì)可見(jiàn)光透過(guò)率達(dá)到80%左右。Wu［38］等用溶膠凝膠法將ATO、CeO2和TiO2制成的復(fù)合薄膜進(jìn)行500℃熱處理后，復(fù)合薄對(duì)紫外光的防護(hù)可達(dá)到100%，同時(shí)其可見(jiàn)光透過(guò)率基本不變，紅外光反射率大于30%。

3 結(jié)束語(yǔ)

針對(duì)目前產(chǎn)業(yè)對(duì)于銦資源匱乏的困擾，ATO薄膜作為優(yōu)質(zhì)廉價(jià)的導(dǎo)電薄膜是透明電極、顯示屏等生產(chǎn)行業(yè)中具有前景的ITO替代品。在光性能方面，ATO薄膜的高紅外反射率、高透射性在節(jié)能材料等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。在摻雜、退火等工藝對(duì)薄膜質(zhì)量的影響方面，國(guó)內(nèi)做了較多的研究；而國(guó)外近幾年對(duì)ATO薄膜的退火晶體重組機(jī)制［39］、基板表面定向沉積制備技術(shù)［40］以及制備和生產(chǎn)方法的創(chuàng)新［11］等方面也均有探索。目前開(kāi)發(fā)ATO薄膜的高效低成本生產(chǎn)工藝已成為其新的發(fā)展趨勢(shì)。一方面，要改變鍍膜工藝參數(shù)以提高鍍膜性能的穩(wěn)定性，改善膜層顆粒均勻性；另一方面，應(yīng)開(kāi)發(fā)出適合大規(guī)模生產(chǎn)的生產(chǎn)工藝。在工業(yè)應(yīng)用上，目前ATO薄膜主要的制備方法為溶膠凝膠法，不存在柔性基板上鍍膜時(shí)受熱會(huì)降低質(zhì)量的缺點(diǎn)，通過(guò)優(yōu)化沉積、干燥和退火過(guò)程中的工藝參數(shù)，有望使ATO薄膜的應(yīng)用拓展到柔性發(fā)光器件、塑料液晶顯示器和柔性基板非晶硅太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域中。

ATO薄膜在400nm以上波段具有大于70%的透過(guò)率，而多數(shù)ATO薄膜在紅外波段仍然延續(xù)了較高的透過(guò)率。隨著新產(chǎn)品的不斷開(kāi)發(fā)，人們希望在保持可見(jiàn)光區(qū)有較高透過(guò)率的基礎(chǔ)上，改善材料近紅外波段的吸光能力，使其能夠阻隔近紅外和紫外波段光，進(jìn)而開(kāi)發(fā)出具有透光和保溫隔熱作用的薄膜。目前國(guó)外已有研究將銦、錫、銻進(jìn)行三元摻雜［41］制備出IATO新型薄膜，在保留了ATO薄膜原有的高紅外發(fā)射率、高透射性等優(yōu)良性能的基礎(chǔ)上，錫和銦的同時(shí)作用使其在800～1 200nm的近紅外波段有大于50%的反射率。已有研究［42］顯示將In（NO3）3，SbCl3和SnCl2按90∶5∶5的比例混合時(shí)進(jìn)行摻雜可將近紅外波段透過(guò)率減小至20%，顯示出很好的應(yīng)用前景。國(guó)內(nèi)僅有制備IATO納米顆粒的研究［43］，還沒(méi)有薄膜沉積的相關(guān)報(bào)道，今后可在此方向開(kāi)展更深入的探究。

［1］ELANGOVAN E，RAMESH K，RAMAMURTHI K.Studies on the structural and electrical properties of spray deposited SnO2：Sb thin films as a function of substrate temperature［J］.Solid State Communications，2004，130（8）：523-527.

［2］DíAZ-FLORES L L，RAMIREZ-BON R，MENDOZA-GALVAN A，et al.Impedance spectroscopy studies on SnO2films prepared by the sol-gel process［J］.Journal of Physics and Chemistry of Solids，2003，64（7）：1037-1042.

［3］EMONS T T，LI J，NAZAR L F.Synthesis and characterization of mesoporous indium tin oxide possessing an electronical-ly conductive framework［J］.Journal of the American Chemical Society，2002，124（29）：8516-8517.

［4］JEON H J，JEON MK，KANG M，et al.Synthesis and characterization of antimony-doped tin oxide（ATO）with nanometer-sized particles and their conductivities［J］.Materials Letters，2005，59（14）：1801-1810.

［5］WU N L，HWANG J Y，LIU P Y，et al.Synthesis and characterization of Sb-doped SnO2xerogel electrochemical capacitor［J］.Journal of the Electrochemical Society，2001，148（6）：A550-A553.

［6］曾凡菊，李玲，周超.Sol-gel法制備ATO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究［J］.電子元件與材料，2009，28（12）：27-29.

［7］張道禮，鄧志兵，張建兵，等.溶膠凝膠法制備摻銻二氧化錫薄膜的光電特性和表面形貌［D］.武漢：華中科技大學(xué)，2006.

［8］吳春春，楊輝，陸文偉.Sol-gel法制備ATO透明導(dǎo)電薄膜［J］.電子元件與材料，2005，24（3）：44-46.

［9］范志新，睬玖琳，孫以材.二氧化錫薄膜的最佳摻雜含量理論表達(dá)式［J］.電子器件，200l，24（2）：132-135.

［10］郭銳，張華.溶膠凝膠法制備Sb摻雜SnO2透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)與性能研究［J］.科學(xué)技術(shù)與工程，2007，7（3）：360-363.

［11］MUTO Y，OKA N，TSUKAMOTO N，et al.High-rate deposition of Sb-doped SnO2films by reactive sputtering using the impedance control method［J］.Thin Solid Films，2011，520（4）：1178-1181.

［12］王玉恒，馬瑾，計(jì)峰，等.SnO2∶Sb薄膜的制備和光致發(fā)光性質(zhì)［J］.半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2005，26（5）：922-926.

［13］陳甲林，趙青南，張君.射頻磁控濺射法制備SnO2∶Sb透明導(dǎo)電薄膜的光電性能研究［J］.液晶與顯示，2005，20（5）：406-410.

［14］王大勇，顧小龍.靶材制備研究現(xiàn)狀以及研發(fā)趨勢(shì)［J］.浙江冶金，2007，11（4）：1-8.

［15］THANGARAJU B.Structural and electrical studies on highly conducting spray deposited fluorine and antimony doped SnO2thin films from SnCl2precursor［J］.Thin Solid Films，2002，402（1）：71-78.

［16］張聚寶，侯春，翁文劍，等.噴霧熱解法制備SnO2∶Sb透明導(dǎo)電薄膜［J］.硅酸鹽學(xué)報(bào)，2003，31（11）：1063-1068.

［17］RAVICHANDRAN K，PHILOMINATHAN P.Fabrication of antimony doped tin oxide（ATO）films by an inexpensive，simplified spray technique using perfume atomizer［J］.Materials Letters，2008，62（17）：2980-2983.

［18］謝蓮革，沃銀花，汪楚勛，等.CVD法制備Sb摻雜SnO2薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究［J］.浙江大學(xué)學(xué)報(bào)：工學(xué)版，2005，39（11）：174-178.

［19］周祥.APCVD法制備ATO薄膜及工藝參數(shù)對(duì)膜結(jié)構(gòu)、性能影響的研究［D］.上海：中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所，2000.

［20］楊邦朝，王文生.薄膜物理與技術(shù)［M］.成都：成都電子科技大學(xué)出版社，1994.

［21］MARCEL C，HEGDE MS，ROUGIER A，et al.Electrochromic properties of antimony tin oxide（ATO）thin fillms synthesized by pulsed laser deposition［J］.Electrochimica Acta 2001，46：2097-2104.

［22］NAGHAVI N，MARCEL C，DUPONT L，et al.On the electrochromic properties of antimony-tin oxide thin films deposited by pulsed laser deposition［J］.Solid State Ionics，2003，156：463-474.

［23］李娜.氧化錫銻（ATO）透明導(dǎo)電薄膜的脈沖激光沉積及其性能研究［D］.武漢：武漢理工大學(xué)，2012.

［24］林偉，黃世震，黃兆新，等.磁控濺射納米SnO2薄膜的氣敏特性［J］.傳感器技術(shù)，2003（1）：61-64.

［25］史金濤，趙高凌，杜丕一，等.溶膠凝膠法制備SnO2∶Sb膜的光學(xué)電學(xué)性能［J］.太陽(yáng)能學(xué)報(bào)，2003，24（1）：5-9.

［26］SENGUTTUVAN T D，MALHOTRA L K.Sol gel deposition of pure and antimony doped tin dioxide thin films by nonalkoxide precursors［J］.Thin Solid Films，1996，289（1）：22-28.

［27］LIMT Y，KIMC Y，KIMB S，et al.Effects of SiO2barrier and N2annealing on Sb-doped SnO2transparent conducting film prepared by sol-gel dip coating［J］.Journal of Sol-Gel Science and Technology，2004，31（1/3）：263-266.

［28］趙嵐.Sb摻雜SnO2薄膜的溶膠凝膠法制備及性能研究［D］.武漢：華中科技大學(xué)，2004.

［29］SHANTHI S， SUBRAMANIAN C， RAMASAMY P.Growth and characterization of antimony doped tin oxide thin films［J］.Journal of Crystal Growth，1999，197（4）：858-864.

［30］楊保平，鐘小華，張曉亮，等.銻摻雜量對(duì)ATO薄膜結(jié)構(gòu)及光、電性能的影響［J］.無(wú)機(jī)鹽工業(yè)，2012，42（1）：19-21.

［31］張君，趙青南，陳甲林，等.鍍SiO2膜玻璃基片上SnO2∶Sb薄膜的溶膠-凝膠法制備及表征［J］.硅酸鹽學(xué)報(bào)，2005，33（5）：553-558.

［32］董玉紅.玻璃基溶膠-凝膠法沉積紫外截止與防靜電雙功能薄膜［D］.武漢：武漢理工大學(xué)，2009.

［33］郭銳，張華利.溶膠凝膠法制備Sb摻雜SnO2透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)與性能研究［J］.科學(xué)技術(shù)與工程，2007，7（3）：360-363.

［34］鄧志兵.溶膠-凝膠法制備ATO透明導(dǎo)電薄膜的光電性質(zhì)［D］.武漢：華中科技大學(xué)，2006.

［35］王玉恒，馬瑾，計(jì)峰.退火處理對(duì)SnO2∶Sb薄膜結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光性質(zhì)的影響［J］.稀有金屬材料與工程，2005，34（11）：76-81.

［36］馬鳴明.普通玻璃基片上 TiO2/SnO2∶Sb薄膜的sol-gel法制備和表征［D］.武漢：武漢理工大學(xué)，2009.

［37］WANG W，YUAN Y，ZHANG L，et al.Annealing effects on properties of LaB6/ATO thin films deposited by magnetron sputtering［J］.Ceramics International，2012，38（5）：4313-4318.

［38］WU S，ZHAO Q，MIAO D，et al.Synthesis and characterization of Sb-doped SnO2－（CeO2－TiO2）composite thin films deposited on glass substrates for antistatic electricity and UV-shielding［J］.Journal of Rare Earths，2010，28：189-193.

［39］MONTERO J，GUILLéN C，HERRERO J.Nanocrystalline antimony doped tin oxide （ATO）thin films：a thermal restructuring study［J］.Surface and Coatings Technology，2011，211：37-40.

［40］DENG H，KONG J，YANG P.Optical and structural characteristics of Sb-doped SnO2thin films grown on Si（111）substrates by Sol-Gel technique［J］.Journal of Materials Science：Materials in Electronics，2009，20（11）：1078-1082.

［41］CHOISNET J，BIZO L，RETOUX R，et al.Antimony and antimony-tin doped indium oxide，IAO and IATO：promising transparent conductors［J］.Solid State Sciences，2004，6（10）：1121-1123.

［42］PARK J W，KIMS R，CHOI S M.Powder for isolating infrared rays，and isolating solution and goods using the same：U.S.Patent 7，465，496［P］.2008-12-16.

［43］袁留芳.銦錫銻多元金屬氧化物的制備［D］.南京：南京理工大學(xué)，2010.