摘要:傳統(tǒng)的電壓模式D類功率放大器(VMCD PA)由于寄生電容放電造成的能量損耗,無法應(yīng)用在頻率大于1GHz的射頻電路中。電流模式D類功率放大器(CMCD PA)通過實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)避免了漏極電容放電造成的能量損耗,使高效高頻率D類功率放大器的實(shí)現(xiàn)成為可能。CMCD PA可以看作push-pull結(jié)構(gòu)的兩個(gè)F-1類功率放大器,在設(shè)計(jì)時(shí)可以使用F-1類功率放大器的設(shè)計(jì)方法。本文分析了CMCD PA的基本原理和設(shè)計(jì)方法,設(shè)計(jì)了一種新型高效CMCD PA,在2.65GHz時(shí)具有73%的效率、12.3dB的功率增益和40.3dBm的輸出功率。本文網(wǎng)絡(luò)版地址:http://www. eepw.com.cn/article/245928.htm
關(guān)鍵詞:電流模式D類功率放大器;高頻率;高效;零電壓開關(guān)
DOI: 10.3969/j.issn.1005-5517.2014.4.006
引言
功率放大器(PA)的效率是整個(gè)無線通訊系統(tǒng)效率最重要的影響因素,傳統(tǒng)的線性PA(包括A類,B類,AB類和C類)具有良好的線性度,但效率卻非常低,造成了大量的能量損耗,這不僅增加了無線通訊系統(tǒng)的成本,并且給整個(gè)系統(tǒng)的散熱帶來了巨大的困難;而開關(guān)類功率放大器(SMPA)由于具有很高的效率,已經(jīng)成為無線通訊行業(yè)的研究焦點(diǎn)。
在SMPA中,驅(qū)動(dòng)電壓幅度足夠強(qiáng)(過驅(qū)動(dòng)),使得輸出晶體管相當(dāng)于受控的開關(guān),在完全導(dǎo)通(晶體管工作于線性區(qū))和完全截止(晶體管工作于截止區(qū))之間瞬時(shí)切換,在理想情況下,開關(guān)上的電壓和電流沒有交疊,可以達(dá)到100%的效率[1]。然而在實(shí)際電路中,由于寄生阻抗和有限的開關(guān)速度,晶體管并不是一個(gè)理想的開關(guān),SMPA的效率會(huì)隨著頻率的增加而快速地下降。D類PA作為最早被報(bào)道的SMPA已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。傳統(tǒng)的VMCD PA在每個(gè)信號(hào)周期內(nèi),晶體管漏極電容(Cds)的放電會(huì)造成了1/2CV2的能量損耗(V為晶體管導(dǎo)通瞬間時(shí)的初始漏極電壓)[2-3],頻率越高,其造成的能量損耗越大,因此傳統(tǒng)的VMCD PA在高頻時(shí)無法實(shí)現(xiàn)較高的效率,其很少應(yīng)用在射頻領(lǐng)域。E類PA通過實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)很好地解決了這個(gè)問題,在開關(guān)導(dǎo)通的瞬間,晶體管上的電壓為零從而避免了電容放電造成的能量損耗[4]。然而不確定的占空比、非線性的電容和其他的寄生阻抗都會(huì)降低E類PA的效率。
CMCD PA的出現(xiàn)提供了另一種實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)的方法,其漏極電壓為半正弦波,在晶體管導(dǎo)通和關(guān)閉的瞬間,晶體管上的電壓為零,避免了漏極電容放電造成的能量損耗。CMCD PA的出現(xiàn)使高頻D類PA的實(shí)現(xiàn)成為可能,近些年許多高效率的射頻CMCDPA被報(bào)道出來[5-8],其中頻率最高的達(dá)到了2.6GHz[7]。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)工作在2.65GHz的高效CMCD PA,其EM仿真功率附加效率(PAE)達(dá)到了73%,輸出功率在10W以上。
1 D類 PA基本原理
圖1(a)所示是VMCD PA 的基本結(jié)構(gòu),兩個(gè)晶體管偏置于近似B類的工作狀態(tài)且輸入信號(hào)相位相差為180°,因此兩個(gè)晶體管各導(dǎo)通半個(gè)周期。晶體管輸出端接一個(gè)串聯(lián)的LC濾波器,其諧振頻率為信號(hào)的中心頻率。串聯(lián)LC濾波器使得PA的輸出電流為標(biāo)準(zhǔn)正弦波形,圖1(b)所示是VMCD PA的理想電壓電流波形,每個(gè)晶體管的漏極電流為半正弦波,漏極電壓為方波,晶體管的漏極電流電壓波形不存在交疊,其效率為100%。實(shí)際電路中,晶體管的輸出電容Cds的放電會(huì)對(duì)漏電壓產(chǎn)生影響,使其無法成為標(biāo)準(zhǔn)的方波。在每個(gè)信號(hào)周期內(nèi)電容放電造成的能量損耗為1/2CV2,頻率越高,能量損耗越高,因此VMCD PA在音頻頻段內(nèi)較為流行,在射頻領(lǐng)域則很難保證高效率。
圖2(a)為CMCD PA的電路原理圖,這里將串聯(lián)LC濾波器換為并聯(lián)LC濾波器,并聯(lián)LC濾波器使得輸出電壓為標(biāo)準(zhǔn)的正弦波,圖2(b)為晶體管理想的電流和電壓波形,每個(gè)晶體管的漏極電壓為半正弦波,漏極電流為方波,晶體管的漏極電流電壓不存在交疊,其效率為100%。
相比VMCD PA,在開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)閉的瞬間,CMCD PA晶體管兩端電壓為零,避免了漏極電容放電所造成的能量損耗,實(shí)現(xiàn)了零電壓開關(guān),同時(shí)晶體管的漏極寄生電容,也可看作是并聯(lián)諧振器的一部分,從而減少了晶體管寄生電容對(duì)效率的影響。在高頻率時(shí),CMCD PA相比VMCD PA具有更高的效率,并且VMCD PA通常需要輔助器件或者抽頭式變壓器才能正常工作,而CMCD PA可以通過巴倫結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。CMCD PA的出現(xiàn)使高頻D類PA的實(shí)現(xiàn)成為可能。
通過上述分析,我們發(fā)現(xiàn)CMCD PA晶體管的漏極電流電壓波形與F-1類PA一致,因此我們也可以將CMCD PA看作兩個(gè)push-pull結(jié)構(gòu)的F-1類PA[8]。F-1類PA使用輸出濾波器對(duì)晶體管漏端電壓和電流中的諧波成分進(jìn)行控制,歸整晶體管漏端的電壓波形或者電流波形,使得它們沒有重疊區(qū),減小開關(guān)損耗,提高PA的效率[1]。理想狀態(tài)下,F(xiàn)-1類PA晶體管漏極電壓波中只含基波分量和偶次諧波分量,電流波只含基波分量和奇次諧波分量,漏極諧波輸出阻抗需要滿足如下關(guān)系式:
其中,Z1為輸出電路基頻阻抗,Zn為輸出電路n次諧波阻抗,Zopt為基頻最佳輸出阻抗。在設(shè)計(jì)CMCD PA時(shí)我們可以借鑒F-1類PA的設(shè)計(jì)方法,通過諧波匹配電路實(shí)現(xiàn)上述輸出阻抗,從而調(diào)節(jié)晶體管的漏極電壓和電流波形,提高CMCD PA的效率。
2 CMCD PA電路設(shè)計(jì)與仿真
針對(duì)上述理論分析,我們采用Cree公司的GaN HEMT晶體管CGH40006P設(shè)計(jì)了一種新型高效CMCD PA。GaN HEMT晶體管因?yàn)榫哂懈唠娮舆w移率、高功率密度、高擊穿電壓等特性,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在高效率、高功率射頻PA中。
CMCD PA 需要在輸入端和輸出端實(shí)現(xiàn)平衡和非平衡信號(hào)的轉(zhuǎn)換,因此需要選取合適的功率分配器與功率合成器,本文設(shè)計(jì)的CMCD PA選取了Anaren公司的巴倫3A625,其工作頻率為2.3~2.7GHz,滿足本設(shè)計(jì)的要求。
根據(jù)理論分析,CMCD PA應(yīng)偏置在B類的工作狀態(tài),通過直流仿真發(fā)現(xiàn)CGH40006P的開啟電壓約為-3.3V,考慮到晶體管的穩(wěn)定性,我們將CMCD PA晶體管的柵極電壓偏置在-3.4V,漏極電壓偏置在典型的28V。
CMCD PA高效率的關(guān)鍵在于輸出諧波匹配電路的設(shè)計(jì),該P(yáng)A的輸出匹配電路結(jié)構(gòu)采用了開路枝節(jié)微帶線的結(jié)構(gòu),其電路原理圖如圖3所示。其偏置電路采用了傳統(tǒng)的λ/4(90°)微帶線結(jié)構(gòu),其不僅能夠?yàn)榫w管提供穩(wěn)定的偏置電壓,并且在2次諧波和4次諧波時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗的短路,經(jīng)過后續(xù)電路的阻抗變換,實(shí)現(xiàn)了在晶體管漏極偶次諧波的開路;電路中的λ/12(30°)和λ/20(18°)開路枝節(jié)微帶線分別在3次諧波和5次諧波時(shí)實(shí)現(xiàn)了阻抗的短路,經(jīng)過后續(xù)電路的阻抗變換,實(shí)現(xiàn)了在晶體管漏極奇次諧波的短路。
CMCD PA電路的整體電路原理圖如3所示,輸入電路同樣采用了開路枝節(jié)微帶線的結(jié)構(gòu),偏置電路采用了傳統(tǒng)的λ/4微帶線,匹配電路采用了簡(jiǎn)單的L枝節(jié)匹配,同時(shí)輸入電路采用了RC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)和并聯(lián)到地的大電阻來提高電路的穩(wěn)定性。
該P(yáng)A的電磁仿真結(jié)果如圖4和圖5所示,圖4為晶體管漏極電壓電流波形和頻譜,從頻譜中可以看出該P(yáng)A實(shí)現(xiàn)了晶體管漏極偶次諧波的開路和奇次諧波的短路,漏極電流近似為方波,漏極電壓近似為半正弦波;圖5為CMCD PA的效率和輸出功率曲線,在28dBm輸入時(shí),輸出功率為40.3dBm,PAE為73%。
3 總結(jié)
本文分析了CMCD PA的基本原理和設(shè)計(jì)方法,提出了一種新型的高效CMCD PA結(jié)構(gòu),并采用GaN HEMT晶體管設(shè)計(jì)了一個(gè)工作在2.65GHz的高效CMCD PA,其在EM聯(lián)合仿真中具有12.3dB的功率增益、40.3dBm的輸出功率和73%的PAE。
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