一種具有0.5dB噪聲系數的450～470MHz單片集成LNA
2014-12-25 14:09:40曾健平戴志偉楊浩張海英鄭新年
湖南大學學報·自然科學版 2014年2期
曾健平 戴志偉 楊浩 張海英 鄭新年
摘要：基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝，設計制造了一款工作于450～470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器（LNA），該LNA采用阻容負反饋的方式實現輸入阻抗匹配，減小了無源元件占有的芯片面積，達到了單片集成的目的，同時降低了使用成本.測試結果表明，該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數，其低噪聲性能十分優秀，這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優異的低噪聲特性.endprint
摘要：基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝，設計制造了一款工作于450～470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器（LNA），該LNA采用阻容負反饋的方式實現輸入阻抗匹配，減小了無源元件占有的芯片面積，達到了單片集成的目的，同時降低了使用成本.測試結果表明，該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數，其低噪聲性能十分優秀，這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優異的低噪聲特性.endprint
摘要：基于0.5um贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝，設計制造了一款工作于450～470 MHz頻段的單片集成低噪聲放大器（LNA），該LNA采用阻容負反饋的方式實現輸入阻抗匹配，減小了無源元件占有的芯片面積，達到了單片集成的目的，同時降低了使用成本.測試結果表明，該單片集成LNA具有40 dB左右的增益和約0.5 dB的噪聲系數，其低噪聲性能十分優秀，這得益于pHEMT管不引入高損耗的片上電感所帶來的好處及其本身優異的低噪聲特性.endprint
