SABRE3D:技術和生產力領先者：WLP Electrodeposition

(1.泛林研究（美國）公司，圖拉丁，俄勒岡州，美國；2.泛林研究（新加坡）有限公司，Serangoon North Avenue 5，新加坡；3.泛林半導體設備技術（上海）有限公司，上海201203)

ZHU Huanfeng1，CheePing Lee2，ZHANG Mike3，Damo Srinivas1，LI Xiao3，TAN Sherry3

(1.泛林研究（美國）公司，圖拉丁，俄勒岡州，美國；2.泛林研究（新加坡）有限公司，Serangoon North Avenue 5，新加坡；3.泛林半導體設備技術（上海）有限公司，上海201203)

隨著消費者對移動電子設備不斷提出“更小，更快，更強大”的需求，先進封裝技術變得越來越重要。外形尺寸的減少，功耗的降低，系統級封裝等正是得益于該技術的廣泛推廣。

相對于傳統的封裝，以硅通孔（TSV）和晶片級封裝（WLP）為代表的2.5D和3D堆疊集成技術在減少線寬，增大I/O密度的同時，能夠實現更直接的芯片到芯片互連，從而獲得“摩爾定律”之外的性能提高。

所以，以WLP為代表的先進封裝已成為半導體行業中增長最快的領域之一，而且這種趨勢會隨著包括硅通孔TSV、Pillar、Micro-Bumps以及先進的再分配層（RDLs）等在內的3D技術日益成熟而持續下去，同時這些3D集成方案也在不斷推動新的金屬和介電互連材料和應用。

1 領先的生產力

2 業內領先的技術

（1）先進的前處理（APT）采用真空/液體回填技術，實現晶圓完全潤濕，確保100%的無氣泡缺陷的凸點電鍍性能。

（2）革命性的TurboCell電鍍室的設計，配以泵對流設計，最大限度地形成孔內對流，提高了電鍍均勻性指標（Features，Die，Wafer），使其非常適合于小型和細線寬微凸以及RDL結構。

（3）Smart Spin通過軟件控制邊緣的非均勻性的校正技術，能夠有效地降低晶圓邊緣電流密集效應。客戶無需額外專門的腔體/硬件操作進行調節，就能夠達到不同邊緣布局的晶圓都能有高良率，提高晶圓產量。

（4）Ecobump克服了錫銀電鍍中的根本性問題。SABRE3D通過金屬離子分離陽極室（MISAC）和工藝控制系統，以及一個專有離子選擇性膜，實現了無鉛的錫-銀可溶陽極電鍍。極大地減少低阿爾法錫金屬電鍍成本，以及添加劑的消耗。這已成為目前客戶的首選方案。

（5）SABRE3D的在線化學液控制系統能實現正反向回饋來控制化學液組成，維持晶片到晶片工藝穩定性，大大減少了線下操作的成本和風險，提高化學液的壽命和設備運行時間。

3 著眼未來

Lam Research會繼續朝著實現優良均勻性，高電鍍速率，低成本，少缺陷等方向努力，通過克服各種技術挑戰，不斷傾聽客戶的需求，為客戶提供全面的生產解決方案。例如：目前根據客戶的需求，SABRE3D已具備處理各種尺寸的晶片（200～330 mm），復合“晶圓”材料（如純玻璃，玻璃粘結，和環氧樹脂模制化合物），并能處理翹曲晶片的能力（如Fan-Out WLP處理）。同時Lam不斷提供技術更新來增強或提高現有設備能力，以滿足客戶不斷變化的業務需求。作為設備可擴展性設計理念的一部分，能夠實現不同電鍍化學液的轉換兼容，縮短客戶從研發轉向量產的時間，并在現有設備上無縫銜接更多先進功能，最大限度地提高客戶端運營效率。

想了解更多相關信息，請致電銷售人員（李瀟+86-135-01620385電郵:xiao.li@lamresearch.com）