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基于Sweet Spot的線性高效率功率放大器設計

2015-10-14 07:11:30何松柏陳金虎童仁彬彭瑞敏
電子科技大學學報 2015年2期
關鍵詞:效率信號

何松柏,陳金虎,童仁彬,彭瑞敏

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基于Sweet Spot的線性高效率功率放大器設計

何松柏,陳金虎,童仁彬,彭瑞敏

(電子科技大學電子工程學院 成都 611731)

該文通過IMD Sweet Spot解決高效功率放大器的線性問題,使功率放大器在保證一定線性指標時還保持了高效率。IMD Sweet Spot是由受偏置電壓影響的小信號失真(弱非線性)和由器件的開啟及飽和特性所決定的大信號失真(強非線性)相互作用的結果。通過改變偏置電壓可以控制其弱非線性,從而控制IMD Sweet Spot的產生。尋求合適的偏置電壓使得IMD Sweet Spot在增益開始壓縮時產生,功率放大器可以有較高的效率,且線性較好。基于該原理設計的線性高效功放測試結果表明,在中心頻率2.2 GHz處輸出功率為37.1 dBm時,三階交調失真分量(IMD3)和五階交調失真分量(IMD5)均小于-30 dBc,此時漏極效率達到53.4%。

高效率; 交調失真; 線性; 功率放大器

隨著無線通信技術的迅速發展以及不斷增加的信息需求,使得通信系統的通信質量不斷提高,而射頻與微波功率放大器作為無線通信系統中最重要的有源模塊,對于整個系統的性能有著非常重要的影響,其關鍵性能指標直接影響整個通信系統的性能,也同樣關系著整個通信系統的運營成本。通信質量的保證由線性度衡量,功耗的指標則由效率度量。

線性和高效這兩個指標在實際設計中,往往二者不可兼得,呈現此起彼伏的矛盾狀態[1]。增強線性度的方法主要有兩種方案,一是采用外部線性化技術,在功率放大器前增加附加的電路來消除IMD;二是直接改進功放的設計。前一種方案增加了成本及面積,且很難調節,所以直接優化功放的設計引起更多人的興趣。在不采取外部電路消除交調失真的情況下,為了保證線性度,功率放大器必須工作在回退區,這樣效率就會大大降低。利用某個偏置以及輸入功率的條件出現大信號IMD Sweet Spot的方法,在保證效率的情況下實現高線性。

IMD Sweet spot是各種功率管的固有特性,是功率放大器弱非線性和強非線性相互作用的結果。前者取定于靜態工作點,影響電路的小信號失真;后者取決于器件的開啟和飽和特性,主要影響大信號失真[2]。功率放大器的線性不僅受基波阻抗影響,二次諧波阻抗和包絡阻抗對其影響也很大[3]。本文根據IMD Sweet Spot產生原理[4],合理地選擇偏置電壓控制IMD Sweet Spot的產生,并且通過控制包絡阻抗和二次諧波阻抗設計高效率高線性功率放大器。

1 基于Sweet Spot高效線性PA設計

1.1 偏置電壓的選擇

根據文獻[4],整個電路的三階交調失真電流可表示為:

式(1)囊括了小信號失真以及大信號失真的貢獻,可以看出當輸入功率趨近無窮大時,三階交調失真分量收斂于一個恒定的功率,且與其輸出功率相位相差。其中代表IMD的小信號部分(弱非線性部分)貢獻,主要由偏置(靜態工作點)決定,代表IMD的大信號部分貢獻,主要由開啟區和飽和區的非線性導致。因為小信號與泰勒級數關系為:

(2)

式中,系數3和5隨偏置變化而變化。改變管子的偏置點就可以改變小信號IMD行為。只要小信號相對輸出功率表現出0°相位差,大信號IMD表現出180°的相位差,就可以產生IMD Sweet Spot。所以,可通過優化偏置電壓來控制IMD Sweet Spot的產生。

圖1 IMD3和IMD5隨柵極偏置電壓的仿真結果

本文設計選用Gree公司CGH40010F晶體管。設計的關鍵之一在于選擇合理的偏置電壓。如果可以控制Sweet Spot在功放增益開始壓縮時產生,那么就可在保證線性的同時還能得到較高的效率。當漏極電壓為28 V,IMD3和IMD5隨柵極偏壓的仿真結果如圖1所示。在柵極偏置電壓為-3.2 V,此時線性最佳,IM3和IM5均低于-34 dBc。柵極偏置電壓為-3.2 V,其IM3和IM5隨輸入功率變化如圖2所示,可以看出當輸入為22 dBm時,出現IMD3 Sweet Spot,且此時增益開始壓縮。因此,偏置電壓選取柵極電壓為3.2 V,漏極電壓為28 V。

圖2 IMD3和IMD5以及增益隨輸入功率的變化

1.2 基于Sweet Spot線性高效功放電路實現

根據文獻[3],線性不僅與基波阻抗關系密切,且包絡阻抗和二次諧波阻抗對線性的影響也很大。為了減小記憶效應,包絡阻抗應保持短路[5]。在柵極偏壓為-3.2 V,漏極偏壓為28 V時,通過ADS2009仿真軟件,在雙音5 MHz信號下,包絡阻抗設置為短路,三次及三次以上諧波阻抗設置為開路,在保證輸出功率大于37 dBm,漏極效率大于60%,IM3、IM5均低于-32 dBc時進行負載牽引和源牽引找出最優負載阻抗值以及最有優源阻抗值如表1所示。

表1 負載牽引得到的最佳負載阻抗和源牽引所得到的最佳源阻抗

基于以上最佳阻抗值,采用圖3a所示的拓撲結構,通過優化設計得到最后輸出匹配網絡,所用底板為羅杰斯5880,介電常數r=2.2,厚度為0.787 mm。圖3b為輸出匹配阻抗隨頻率的變化曲線。仿真結果表明,包絡阻抗近似于短路,三次諧波阻抗接近開路,而基波、二次諧波阻抗很接近于負載牽引得到的阻抗值。

輸入匹配網絡采用同樣的拓撲結構,整個電路包括晶體管以及輸入輸出匹配網絡加上偏置網絡,如圖4所示。因為工作頻率較高,偏置網絡為了避免使用電感采用了圖3所示折疊結構,該結構能夠起扼流作用。考慮到電源紋波對線性的影響比較大[6],柵極偏置利用大電容濾去低頻紋波,利用小電容濾去高頻紋波。

a. 輸入輸出匹配網絡拓撲結構

b. 輸出匹配網絡阻抗變化曲線

圖3 匹配網絡拓撲結構及輸出匹配網絡阻抗分布

圖4 基于Sweet Spots線性高效功放實物

2 測試結果

對圖4的高效線性功放進行雙音間隔5 MHz測試,當柵壓偏置在-3.2 V時,工作頻率為中心頻率2.2 GHz,其輸出功率Pout、增益Gain、漏極效率、PAE,以及IMD3、IMD5隨輸入功率變化曲線如圖5和圖6所示。

從圖6可以看出,IMD3在輸入功率22 dBm附近時出現了一個低谷,此時IMD3為-40 dBc,出現IMD Sweet Spot,IM5維持在低于-30 dBc以下,此時在輸入為23 dBm增益開始壓縮;當輸入功率為23.9 dBm時,IMD3和IMD5均低于-30 dBc,此時其輸出功率為37.1 dBm(大于5 W),增益大于13 dB,漏極效率為53.4%,如圖7所示。

維持輸入功率為23.5 dBm,柵壓為-3.2 V,IMD3、IMD5,以及輸出功率、漏極效率隨頻率的變化曲線如下圖8和圖9所示。工作頻率在2.17~2.23 GHz內,IMD3和IMD5均小于-30 dBc,輸出功率在36 dBm以上,漏極效率維持45.8%~60.9%之間。本文實驗數據與近幾年國內外線性高效率功放研究成果對比如表2所示。雖然文獻[7]帶寬很寬,但是效率以及線性較差。文獻[8]以及文獻[9]分別是2012年和2013年IEEE國際微波會議研究生高效率功率放大器設計競賽的冠軍[10],雖然效率比本文的試驗高,但所用技術是Doherty功放,采取的是載波功放和峰值功放的線性抵消來實現,電路結構復雜。

圖5 輸出功率、增益和漏極效率、PAE隨輸入功率變化曲線圖

圖6 IMD3和IMD5隨輸入功率變化曲線圖

圖8 輸入為23.5 dBm柵壓為-3.2 V條件下,IMD3和IIMD5隨頻率的變化

圖9 輸入功率23.5 dBm,柵壓為-3.2 V下,輸出功率和漏極效率隨頻率的變化

表2 本文實驗與國內外報道的線性高效率功率放大器對比

3 結束語

本文通過控制柵極偏壓來控制Sweet Spot在增益開始壓縮時產生,保證一定線性指標下還能達到較高的效率。基于Sweet Spot原理設計的線性高效功放測試結果表明,當輸入為23.9 dBm時,能夠得到大于5 W的輸出功率和大于53%的漏極效率,并且此時IMD3和IMD5均小于-30 dBc。同時該功放工作在2.17 GHz~2.23 GHz時,IM3、IM5小于-30 dBc,輸出功率均大于36 dBm,漏極效率在45%~61%之間。

[1] PEDRO J C, DE CARVALHO N B. Intermodulation distortion in microwave and wireless circuits[M]. Norwood, MA : Artech House Inc, 2003.

[2] CARVALHON B, PEDRO J C. Large and small-signal IMD behavior of microwave power amplifiers[J]. IEEE Trans Microw Theory Tech, 1999, 47(12): 2364-2374.

[3] HUANG Chao-yi, HE Song-bai, YOU Fei, et al. Design of broadband linear and efficient power amplifier for long-term evolution applications[J]. IEEE Microw Wireless Compon Lett, 2013, 23(12): 653-655.

[4] FAGER C, PEDRO J C, DE CARVALHO N B, et al. Prediction of IMD in LDMOS transistor amplifiers using a new large signal model[J]. IEEE Trans Microw Theory Tech, 2002, 50(12): 2834-2842.

[5] AKMAL M, LEES J, CARRUBBA V, et al. The effect of baseband impedance termination on the linearity of GaN HEMTs[C]//Microwave Conference, 2010 European. Paris: IEEE, 2010.

[6] HALDI P, CHOWDHURY D, REYNAERT P, et al. A 5.8 GHz 1 V linear power amplifier using a novel on-chip transformer power combiner in standard 90 nm CMOS[J]. IEEE J Solid-State Circuits, 2008, 43(5):1054-1063.

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[9] MUSOLFF C, KAMPER M, ABOU-CHAHINE Z, et al. Linear and efficient Doherty PA at revisited[J]. IEEE Microw Mag, 2014, 15(1): 73-79.

[10] IEEE MTT-5. Announcement of the student competition [EB/OL]. [2014-02-14]. http://www.ims2014.org/images/ files/student_competition//IMS2014_SDC-2. pdf.

編 輯 稅 紅

Design of Linear High-Efficiency Power Amplifiers Based on Sweet Spot Effect

HE Song-bai, CHEN Jin-hu, TONG Ren-bin, and PENG Rui-min

(School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 611731)

This paper utilizes intermodulation distortion (IMD) sweet spot effect to solve the linear problem of high-efficient power amplifier (PA), so that PA can maintain high levels of both efficiency and linearity.IMD sweet spot is the result of interactions between circuit's small-signal nonlinear distortion (weak nonlinearity) determined by the PA quiescent operating point and large-signal distortion effects determined by the device current turn-on and current saturation (strong nonlinearity). The weak nonlinearity can be controlled by changing the gate bias. By seeking appropriate bias voltage for IMD sweet spot generated at the beginning of the transistor gain compression, PA can achieve high efficiency and good linearity. Based on the effect of sweet spot, a high-efficiency linear PA has been designed. Test results show that at center frequency of 2.2 GHz, 37.1 dBm output powers, 53.4% drain efficiency can be obtained, while the third-order intermodulation distortion (IMD3) and the fifth-order intermodulation distortion (IMD5) are less than-30 dBc.

high-efficiency; intermodulation distortion (IMD); linear; power amplifiers

TN7

A

10.3969/j.issn.1001-0548.2015.02.005

2014-02-16;

2014-04-17

國家自然科學基金(61001032, 61271036)

何松柏(1972-),男,博士,教授,主要從事射頻微波電路與無線通信系統等方面的研究.

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