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基于時間戳的FTL實現(xiàn)的連續(xù)數(shù)據(jù)恢復方法

2015-12-20 06:58:02宋賀倫張耀輝
計算機工程與設計 2015年1期
關(guān)鍵詞:信息

袁 芳,劉 偉,宋賀倫,張耀輝

(1.中國科學院大學 納米技術(shù)與納米仿生研究所,北京100049;2.中國科學院 蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 系統(tǒng)集成部,江蘇 蘇州215123)

0 引 言

為了保證存儲信息的安全,很多研究者提出連續(xù)數(shù)據(jù)保護 (continuous data protection,CDP)方法。固態(tài)硬盤(solid state drive,SSD)是采用半導體存儲介質(zhì)進行數(shù)據(jù)存儲和讀取的一種存儲設備。它因為數(shù)據(jù)存取速度快、體積小、功耗小、噪音低、發(fā)熱量小、抗震能力好、不易損壞等優(yōu)點而備受關(guān)注。要實現(xiàn)CDP,需要記錄數(shù)據(jù)的每次更新信息,這些信息將占用大量額外的存儲空間,雖然很多研究者著力于研究怎么分散這些存儲空間,但又會對設備的性能造成影響。在SSD 中,由于閃存的固有特性,不存在嚴格意義的覆蓋寫,SSD 不允許直接向一塊已經(jīng)寫入數(shù)據(jù)的區(qū)域再寫入數(shù)據(jù)。如果要達到覆蓋寫的效果,必須首先執(zhí)行一次擦除操作,將數(shù)據(jù)塊的原有數(shù)據(jù)進行擦除,然后再寫入新的數(shù)據(jù)。這些未被擦除的數(shù)據(jù)恰巧可以用來實現(xiàn)CDP,基于此點出發(fā),本文提出應用在SSD 上的CDP方法,它很好地解決了由于數(shù)據(jù)的變化信息而占用存儲空間的問題,并且由于不需要記錄數(shù)據(jù)的更新信息,其對硬盤的性能影響非常小。

1 研究背景和思路

CDP技術(shù)在很多領(lǐng)域都有廣泛應用,如電力企業(yè)數(shù)據(jù)中心建設、醫(yī)院信息系統(tǒng)數(shù)據(jù)保護[1]等等。典型的連續(xù)時間保護方法的實現(xiàn)可以基于數(shù)據(jù)塊層、文件層和應用層?;跀?shù)據(jù)塊的連續(xù)時間數(shù)據(jù)保護方法直接在物理存儲設備上運行,需要將所有更改過的數(shù)據(jù)塊按時間順序保存下來;它與應用的相關(guān)性比較小 (與文件系統(tǒng),設備無關(guān))?;谖募壍倪B續(xù)數(shù)據(jù)保護方法工作在文件系統(tǒng)上,可以跟蹤文件系統(tǒng)中文件數(shù)據(jù)或元數(shù)據(jù)的改變,及時備份這些變動信息,并記錄發(fā)生改變的時間。基于應用層的連續(xù)時間數(shù)據(jù)保護是在受保護的應用程序中直接插入并運行連續(xù)時間數(shù)據(jù)保護功能程序代碼,它能實現(xiàn)與應用程序的無縫整合,確保應用程序的數(shù)據(jù)在連續(xù)數(shù)據(jù)保護過程中的一致性,管理靈活,用戶容易部署和實施。但是上訴實現(xiàn)方法均需要大量額外的存儲空間來保存數(shù)據(jù)的改變。數(shù)據(jù)塊級別的連續(xù)時間數(shù)據(jù)保護因為與應用的相關(guān)性小,成為很多研究者研究的目標。傳統(tǒng)磁盤因為是 “原地更新”,舊數(shù)據(jù)會被新數(shù)據(jù)覆蓋,為了可以恢復任意時間點的數(shù)據(jù),需要在數(shù)據(jù)更新時備份數(shù)據(jù)的變化。備份這些數(shù)據(jù)需要占用大量的存儲空間。很多研究者著力于研究怎樣最大限度的降低這種空間浪費,并且能夠在故障發(fā)生時盡快的恢復數(shù)據(jù)。NPCDP[2]將鄰近時間點恢復劃分為4 種類型,給出一種用“位表”標記差異數(shù)據(jù)塊、把多余數(shù)據(jù)剔除、缺少數(shù)據(jù)寫入的 “差異算法”,減少了數(shù)據(jù)讀寫、開銷,提高了恢復效率。MM-CDP[3]設計了3 種元數(shù)據(jù)管理方法,包括簡單的基于MySQL 數(shù)據(jù)庫的實現(xiàn)的DIR-MySQL、OPTMySQL和根據(jù)應用特點設計的META-CDP,前兩種隨著恢復數(shù)據(jù)的增加,所需的恢復時間增加,而后一種恢復時間增加很小,效率要高很多。TH-CDP[4]采用日志結(jié)構(gòu),并把數(shù)據(jù)塊的每次更新信息存儲在原始磁盤上。HSTIM[5]旨在提高連續(xù)數(shù)據(jù)保護的響應時間。VDISK[6]是另外一個可靠的數(shù)據(jù)塊級別保護的系統(tǒng),它通過一個用戶級別的工具來驅(qū)動和解釋變化數(shù)據(jù),并將它記錄進一個只讀盤中,同時它對標準的文件系統(tǒng)也提供文件粒度的保護。

雖然上述這些應用在硬盤上的方法都旨在解決因為CDP而帶來的各種問題,但卻沒有考慮硬盤的存儲介質(zhì)的特性。對于SSD 來說,在閃存中由于特殊的數(shù)據(jù)復寫機制,舊的數(shù)據(jù)被擦除之前仍舊逗留在閃存中,在舊數(shù)據(jù)未被垃圾回收 (garbage collection,GC)[7]之前,它代表的恰恰就是CDP需要保存的歷史數(shù)據(jù)。另外閃存的讀寫單位為頁,這與我們的操作系統(tǒng)讀寫數(shù)據(jù)單位不同。而為了不加重操作系統(tǒng)的負擔,SSD 采用軟件的方式建立上層系統(tǒng)和閃存的聯(lián)系,這就是閃存地址映射層 (flash translation layer,F(xiàn)TL)[8]。當文件系統(tǒng)發(fā)送指令要寫入或者更新一個特定的邏輯頁時,F(xiàn)TL實際上是把數(shù)據(jù)寫入到一個不同的空閑物理頁,并更新映射信息,最后把這個頁上包含的 “舊數(shù)據(jù)”標記為 “無效”。想要恢復某個時刻的數(shù)據(jù),需要滿足兩個條件,一是該時刻的數(shù)據(jù)依然存在閃存中,二是FTL 中映射信息表中此數(shù)據(jù)的物理地址為該時刻該數(shù)據(jù)存儲的位置。因此為了實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)保護,在確保數(shù)據(jù)存在的前提下,還要恢復FTL中的映射信息。本文就是基于SSD 的這種天然特性出發(fā)提出的利用其使用過程中的殘留數(shù)據(jù)進行的連續(xù)數(shù)據(jù)保護方法。為了提高硬盤的性能,F(xiàn)TL 的相關(guān)信息存儲在以DRAM 為介質(zhì)的內(nèi)存中。BVSSD[9]提出的基于SSD 的連續(xù)時間數(shù)據(jù)保護方法,在內(nèi)存中記錄FTL中映射信息的每次變化。雖然它是利用了SSD 的介質(zhì)特性,但需要在內(nèi)存中記錄數(shù)據(jù)更新所引起的映射信息的改變,相對來說也占用了額外的DRAM 空間。本文提出的方法中,在映射信息表中加入時間戳,映射信息直接與時間相關(guān),不需要在DRAM 中開辟額外空間記錄每次映射關(guān)系的改變。BVSSD 中受DRAM 空間的限制,可以保存的FTL的變化信息有限,這樣就導致數(shù)據(jù)可恢復時間短,本文通過使可以恢復的時間始終保持在一個穩(wěn)定的區(qū)間。

2 設計方案介紹

SSD 中數(shù)據(jù)在邏輯和物理層的管理結(jié)構(gòu)如圖1 所示。主要包括兩個部分,閃存地址映射層和數(shù)據(jù)存儲層。用戶端向硬盤中寫數(shù)據(jù)時,地址映射層為該邏輯地址分配物理地址。首先在DRAM 中記錄此邏輯地址對應的物理地址和寫入時間,然后將數(shù)據(jù)寫入閃存的該物理地址處,并同時將該數(shù)據(jù)寫入時間記錄在FLASH 的該物理地址對應的OOB區(qū)域中。用戶提出恢復申請前需要知道硬盤可以恢復的時間范圍,即為恢復窗口,此時間存儲在圖1中的NOR FLASH 中。在垃圾回收時,本方案的垃圾回收策略確保那些在恢復窗口內(nèi)的數(shù)據(jù)不被回收。當用戶告知硬盤想要恢復的時間點,硬盤即還原此時間點時的地址映射層中的映射信息,如此即可完成數(shù)據(jù)的恢復。

2.1 閃存地址映射層

地址映射采用頁映射[10],包括邏輯頁和物理頁一一對應的映射表、標識每個物理頁有效性的位圖和其它一些控制信息表格。映射表中每條映射信息包括邏輯地址、物理地址和寫入時間,因為每次數(shù)據(jù)的讀寫都需要訪問映射表,為了可以快速操作映射表,把它存儲于DRAM 中。位圖所占空間大小為若干個字節(jié),其中每一個Bit代表物理空間中的一個物理頁,當某一Bit位為1時表示它對應的物理頁是有效頁,否則為0時表示該物理頁是無效頁。其它控制信息是指為地址分配提供輔助作用的一些標識信息,如:記錄每個Block中有效頁的個數(shù)的表格等。主機端進行讀操作時,硬盤根據(jù)地址映射表中該邏輯地址對應的物理地址進行讀取。主機端進行寫操作時,F(xiàn)TL 會新分配一個物理頁來寫入數(shù)據(jù),這個物理頁的物理地址和當前寫入時間會更新到映射表中。由于加入了時間戳標記,映射信息表中映射信息與時間直接相關(guān),反映的是時間點上的映射信息。

圖1 數(shù)據(jù)管理的結(jié)構(gòu)

2.2 物理存儲區(qū)

包括基于NAND FLASH 的存儲區(qū)和基于NOR FLASH 的存儲區(qū)。在NAND FLASH 區(qū)管理中,將若干個數(shù)據(jù)頁組合成一個可以擦除的數(shù)據(jù)塊,數(shù)據(jù)塊的大小取決于閃存的物理結(jié)構(gòu)。每個數(shù)據(jù)頁包含數(shù)據(jù)區(qū) (Data Zone)和帶外區(qū) (OOB Zone),數(shù)據(jù)區(qū)存儲用戶的數(shù)據(jù),此數(shù)據(jù)頁中數(shù)據(jù)的寫入時間值和數(shù)據(jù)校驗信息存儲在OOB 區(qū)中。OOB是FLASH 中為了存放每個數(shù)據(jù)頁的校驗數(shù)據(jù) (ECC)和其它一些控制信息的,對用戶不可見,在Flash顆粒出廠時就預留的,可以在其中添加一些控制信息來提升性能或者添加功能,本文中在其中記錄每個數(shù)據(jù)頁的寫入時間。Nor Flash區(qū)中包含若干個扇區(qū)單元,扇區(qū)是擦除操作得最小單位,它包含若干個Byte,Byte是讀寫操作的最小單位。當要寫數(shù)據(jù)到Nor Flash中時,可以指定任意的物理地址。當要讀取其中的數(shù)據(jù)時,可以讀取指定地指處的某個Byte。當執(zhí)行擦除操作時,必須擦除一個扇區(qū),擦除成功的扇區(qū)可以再次用來存儲數(shù)據(jù)。

2.3 垃圾回收機制 (GC)

數(shù)據(jù)存儲在NAND FLASH 中,寫入單位為數(shù)據(jù)頁,也即是地址映射層中的物理頁地址。因為固態(tài)硬盤不支持“原地更新”操作,若一個物理地址空間中已經(jīng)寫入數(shù)據(jù),當希望再次寫入此地址空間時,首先要擦除其中的數(shù)據(jù),也即是 (寫前擦除)。由于閃存的擦除單位是 “塊”,因此需要當整個塊達到一定條件后,才會進行擦除。當硬盤空間不足時,為了保證硬盤的正常讀寫性能,需要擦除一些數(shù)據(jù)塊。選擇哪些數(shù)據(jù)塊,何時進行擦除以及塊中數(shù)據(jù)如何處理也即是GC[10]機制需要考慮的問題。

假定一個數(shù)據(jù)塊被選作擦除,首先需要將此數(shù)據(jù)塊中有效的頁搬移到別的數(shù)據(jù)塊中,然后擦除此數(shù)據(jù)塊,以用作后續(xù)數(shù)據(jù)的寫入。為了減少搬移操作的負擔,盡量選取那些其中有效數(shù)據(jù)比較少的數(shù)據(jù)塊,另外,考慮到數(shù)據(jù)保護,F(xiàn)TL用位圖來代表硬盤中哪些數(shù)據(jù)頁是有效的,位圖中每一位來標識每個數(shù)據(jù)頁的有效性,這樣可以靈活的控制數(shù)據(jù)頁,對于那些CDP需要保護的數(shù)據(jù),在擦除前也需要搬移到新的數(shù)據(jù)塊中,以備數(shù)據(jù)恢復時使用。這一點與一般SSD 的GC機制是不同的,一般SSD 的GC 機制會將這些歷史數(shù)據(jù)都刪除,不會進行搬移。因為數(shù)據(jù)搬移引起的寫操作和用戶端的數(shù)據(jù)寫不同,它在硬盤中記錄數(shù)據(jù)頁的寫入時間時,記錄的是從該頁中讀出的時間值,此時間值是最初用戶數(shù)據(jù)寫入硬盤時記錄的寫入時間。

2.4 恢復窗口

恢復窗口 (recovery window)指的是硬盤的CDP可以恢復的最遠時刻,從當前時刻到恢復窗口的這段時間的數(shù)據(jù)可以恢復。因為本文利用殘留在硬盤中未被回收的數(shù)據(jù)來實現(xiàn)數(shù)據(jù)保護,但是一些數(shù)據(jù)可能因為硬盤空間不足而被回收。因此可以恢復的時間窗口是會變化的。硬盤需要告知用戶哪些時間的數(shù)據(jù)仍然可以恢復,這就需要恢復窗口的概念。

因為垃圾回收時會擦除一些數(shù)據(jù)頁,這些數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)不能再恢復,這會造成恢復窗口的改變。為了能實時告知用戶最新的恢復窗口,需要記錄它的每次變化。如果恢復窗口用數(shù)據(jù)頁中數(shù)據(jù)的寫入時間來表示,它會頻繁更新,會占用存儲空間,也會對硬盤的性能造成一定的影響。本文中恢復窗口用數(shù)據(jù)塊的標識來表示,因為垃圾回收的單位為數(shù)據(jù)塊,當由于數(shù)據(jù)塊被回收而引起恢復窗口改變時才進行更新,這大大降低了更新的頻率。另外,更新窗口值時只需要計算數(shù)據(jù)塊的標識號,不需要再讀取Flash中的數(shù)據(jù)頁,減小了對硬盤性能的影響。在NOR FLASH中,僅使用其中的小部分空間來記錄數(shù)據(jù)塊標識,這里用其中的兩個扇區(qū)來記錄。每個數(shù)據(jù)塊標識占4個Byte,每個扇區(qū)可以記錄若干個塊標識,當一個扇區(qū)剩余的空間不夠存下一個標識時,則在新的扇區(qū)中繼續(xù)寫,為了安全性,不讓一個塊標識跨越兩個扇區(qū)??紤]到數(shù)據(jù)塊的標識對用戶不可見,當用戶需要恢復窗口值時,通過記錄的最新的數(shù)據(jù)塊標識,讀取OOB 中記錄的此數(shù)據(jù)塊的第一個數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)寫入時間,此時間值也既是硬盤可恢復的最遠時刻。

由于本文的GC 策略,SSD 始終能保存的數(shù)據(jù)量幾乎可以達到其容量的大小,比如一天寫入20GB 的數(shù)據(jù),那一個60G 大的盤可以恢復的時間可達3天。

2.5 數(shù)據(jù)恢復過程

例如:要回退到T 時刻,具體恢復過程如下:

(1)用戶通過應用程序向硬盤發(fā)送獲取時間窗口的命令,硬盤在接收到命令后,從NOR FLASH 中讀取記錄的最新的數(shù)據(jù)塊標識,讀取此標識數(shù)據(jù)塊中數(shù)據(jù)頁的OOB區(qū)中記錄的時間值,此時間值即為硬盤可以恢復的最遠時間窗口點,通過應用程序?qū)⒋藭r間值告知用戶。

(2)用戶根據(jù)獲取的時間窗口,告知硬盤需要回退的時間點T;將它寫入到NOR FLASH 中,硬盤根據(jù)NOR FLASH 中的記錄信息來確定是否需要進行恢復過程。

(3)因為回退后會照成硬盤中數(shù)據(jù)狀態(tài)的變化,為了保證數(shù)據(jù)的正確性,在進行回退前對硬盤進行安全關(guān)機。

(4)硬盤上電,開始恢復。首先查看NOR FLASH 中是否有回退時間T,如果有,則用戶提出了恢復請求。由于地址映射層反映的是某一時刻硬盤中的數(shù)據(jù)的地址映射情況,要恢復某一時刻的數(shù)據(jù),需要將此時刻的硬盤中數(shù)據(jù)所在的地址更新到地址映射層中。

(5)掃描OBB中每個數(shù)據(jù)頁的寫入時間。在掃描過程中,其中的數(shù)據(jù)頁中的數(shù)據(jù)有兩種情況,或者是由于GC造成的數(shù)據(jù)搬移時寫入的,或者是HOST 端寫入的。對于其中掃描到的因搬移而寫入的頁,查看其中記錄的寫入數(shù)據(jù)的時間戳,如果時間戳大于映射表中該條映射信息中記錄的時間戳,則修改映射表。對于其中掃描到的每一個HOST 端寫入的頁,查看其中記錄的寫入數(shù)據(jù)的時間戳,如果時間戳大于映射表中該條映射信息中記錄的時間戳,并且小于要恢復的時間點T,則修改映射信息。

(6)掃描完成后,映射信息都已經(jīng)恢復完成,備份映射信息,以防止掉電。

(7)擦除NOR FLASH 中的回退時間T,恢復完成。

數(shù)據(jù)恢復流程如圖2所示。

圖2 數(shù)據(jù)恢復流程

3 測試結(jié)果分析

選擇Intel L84A 顆 粒,共64 G 大 小 的Flash 顆 粒,DRAM 為64 MB,通過SATA 對硬盤進行數(shù)據(jù)讀寫操作。在上述條件下進行硬盤數(shù)據(jù)恢復的功能性測試和性能測試,并與未添加連續(xù)數(shù)據(jù)保護的硬盤做了測試對比,同時對其它實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)保護的策略進行了對比分析。

為了更加直觀的觀察每個恢復點的硬盤數(shù)據(jù)狀態(tài),編寫了應用程序,將需要寫入硬盤的數(shù)據(jù)設定為寫入硬盤時的精確到秒級的系統(tǒng)時間。測試發(fā)現(xiàn)當硬盤完成恢復點的恢復時,其中數(shù)據(jù)狀態(tài)可以準確達到恢復點時的數(shù)據(jù)狀態(tài),誤差僅在2~3s之內(nèi)。另外,在任意時間往硬盤中寫入文件或者文件夾,當需要恢復到任意時間點時,可以直觀地看出這些文件和文件夾在硬盤中的狀態(tài)。如圖3所示:在T1時刻,硬盤中只有之前寫入的文件夾,在T2時刻,硬盤中有文件夾和新寫入的Word文檔,在T3時刻硬盤中有文件夾、Word文檔和新寫入的TXT 文檔。在Now 時刻,用戶發(fā)現(xiàn)錯誤,想要硬盤的狀態(tài)恢復到T 時刻,硬盤完成恢復操作后,硬盤中的只有之前寫入的文件夾和Word文檔。

圖3 實現(xiàn)結(jié)果

因為并不需要記錄每次數(shù)據(jù)的變化引起的映射信息的變化,所以并不需要占用大量額外的內(nèi)存空間,表1中為內(nèi)存主要占用情況。其中除了地址映射表外,還包括記錄數(shù)據(jù)頁有效性的位圖表以及記錄每個數(shù)據(jù)塊中有效頁個數(shù)的表格。

在設定需要恢復的時間點后,硬盤中的數(shù)據(jù)會恢復到恢復點的狀態(tài)。在恢復的過程中所占用的時間主要是FLASH 中的塊掃描、塊排序。恢復時間見表2。在最好的情況下,F(xiàn)TL的最新備份可用,在最壞的情況下,最新備份不能用,需要掃描更多的數(shù)據(jù)頁,從表中數(shù)據(jù)可以看出,即使最差情況恢復時間也是相當短的。

表2 恢復時間

對硬盤的性能進行了測試,對添加此功能和不添加此功能的SSD 分別做了測試,其中圖4中pattern1為Sequential Read;pattern2 為Sequential Write;pattern3 為Random Read;pattern4為Random Write;pattern5為Random Read,4KB,Queue depth 1;pattern6為Random Write,4 KB,Queue depth 1;pattern7 為Random Read,4 KB,Queue depth 32;pattern8為Random Write,4KB,Queue depth 32;從圖中可以看出,在添加了CDP 的情況下,并未對SSD 的性能造成明顯影響。

圖4 帶CDP的SSD 與原始SSD 讀寫性能比較

圖5中是和BVSSD 的結(jié)果進行的對比,可以看出對不添加數(shù)據(jù)保護的SSD 的影響,本文的影響明顯小。像本文之前提到的,BVSSD 在RAM 中用一個表格來存儲FTL 中映射信息的每次改變,因為RAM 空間的限制,當此表格裝滿時,就把此表格中的信息存儲到FLASH 中,然后可以再次使用此表格記錄變化的映射信息。因為在硬盤寫的過程中,映射信息的變化很頻繁,需要不停的在RAM 和FLASH 之間切換,這會對硬盤的寫性能造成影響。而本方法則不存在這個問題。

4 結(jié)束語

圖5 本文和BVSSD 對原始SSD 性能影響

本文提出了一種應用在固態(tài)硬盤上的連續(xù)數(shù)據(jù)保護方法,包括歷史數(shù)據(jù)保護和地址映射層的建立和恢復,詳細說明了設計的思路和詳細實現(xiàn)方法,并對該方法進行了全面的分析。根據(jù)固態(tài)硬盤的天然特性,利用其中殘留數(shù)據(jù)實現(xiàn)了數(shù)據(jù)保護,解決了CDP中由于歷史數(shù)據(jù)備份帶來的空間浪費問題。在固態(tài)硬盤的閃存地址映射層中引入時間戳的概念,有效降低了CDP對硬盤帶來的性能影響。另外需要說明的是本文是在特定平臺上進行的測試分析,不同的平臺差異可能會導致結(jié)果略微存在差異。

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