垂直結(jié)構(gòu)酞菁銅薄膜晶體管的工作特性測(cè)試
2015-12-31 18:07:58王東興王澤英王玥玥張永霜王玥
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年4期
關(guān)鍵詞：結(jié)構(gòu)
王東興+王澤英+王玥玥+張永霜+王玥
摘要：傳統(tǒng)有機(jī)材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs）具有工作速度低、驅(qū)動(dòng)電壓高的缺陷，針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，垂直結(jié)構(gòu)的酞菁銅（CuPc）有機(jī)薄膜晶體管（VOTFTs）被制備，整個(gè)制備過(guò)程采用真空蒸鍍和直流磁控濺射鍍膜工藝，器件的層疊結(jié)構(gòu)為Au/CuPc/Al（半導(dǎo)電）/CuPc/Au，其中半導(dǎo)電Al柵極薄膜的制備是十分重要的。endprint
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