贏創開發顯示器用半導體涂覆新技術
作為手機、筆記本、臺式機的主流顯示設備,薄膜晶體管(TFT)發揮著重要的作用。目前,企業多采用非晶硅(a-Si)和低溫多晶硅(LTPS)以提升TFT半導體的性能,但在性能和尺寸方面仍受到較多限制。金屬氧化物作為半導體材料可有效提升平板顯示器的遷移率,滿足高解析度平板顯示器的要求(>10 cm2/Vs)。與硅半導體TFT相比,金屬氧化物半導體具有能耗低、待機時間長、加工和使用便捷等優點。贏創工業集團利用獨有的技術開發了金屬氧化物半導體材料iXsenic S,該半導體并未采用較為普及的氣相沉積法(CVD),而是通過涂覆技術形成半導體層,不僅擁有和CVD法相媲美的效果,且成本大大減少,此外實現了不同尺寸的可控生產。預計在未來幾年內,iXsenic S有望投入市場。
賈磊譯自www.ixsenic.com.2015-12-17