蚌埠學院 唐立飛 李瑜慶
?
ZrN力學性質與電子結構的第一性原理研究
蚌埠學院 唐立飛 李瑜慶
【摘要】采用基于密度泛函理論的第一性原理方法對B1-ZrN的彈性性質和電子結構進行理論計算,通過計算得到多晶體的體模量、切變模量及楊氏模量。 結果表明:B1-ZrN彈性模量比較高是由于sp 軌道雜化程度比較高引起的。
【關鍵詞】第一性原理;ZrN;力學性質;電子結構
ZrN (氮化鋯)不但具有過渡金屬氮化物的一系列有益的性能,如高硬度[1]、耐磨損[2]等,而且還具有金屬光澤,可廣泛由于名貴飾品的保護涂層。ZrN還具有良好的導電性,被廣泛應用于場發射器件和微電子領域。ZrN 薄膜擁有廣泛的應用前景,并且在工業上已經具有廣泛的應用,但實際生產時對其性能的控制主要以經驗為主,仍缺乏完善的理論依據,有必要對其性能做進一步的研究,探索膜結構和性能之間的聯系。
1.1 計算方法
計算采用基于第一性原理密度泛函理論的CASTEP 軟件包完成。為了提高計算的準確性,電子間的交換關聯能選擇廣義梯度近似(GGA)的Perdew-Burke-Ernzerhof來處理。在結構模型的優化與馳豫中,采用BFGS(broyden fletcher goldfarb shanno)算法。收斂性測試表明平面波截止能選取為 450 eV、Brillouin 區的K點取7×7×7即可保證總能量的收斂。自洽收斂精度設為2.0×10-6eV/atom,原子間的相互作用力收斂標準設置為5.0×10-4eV/A,晶體內應力收斂標準為0.02GPa。
1.2 晶體結構與模型
ZrN為NaCl(B1)結構,晶胞中原子坐標分別為Zr(0,0,0)和N(0.25,0.25,0.25),B1-ZrN晶體結構如圖 1所示。

圖1 B1-ZrN晶體結構
2.1 彈性性質
首先對ZrN晶胞進行結構優化,優化后的晶格常數為4.618?,而實驗值為4.58?[3],誤差為0.82%,與實驗結果吻合的很好,說明計算方法是可行的,所選取的參數是適當的。
不同晶系的晶體具有不同數量的獨立彈性常數。對于立方晶系,C11、C12和C44是3個獨立的彈性常數。晶體穩定需滿足穩定性判據C11>|C12|、C44>0和C11+2C12>0;計算時首先B1-ZrN晶胞進行優化,在此基礎上計算其彈性常數,計算的彈性常數如表1所示。從表中可以看出,B1-ZrN的彈性常數滿足力學穩定性判據,表明 B1-ZrN晶體在力學上是穩定的,且該計算結果與其他理論計算值和實驗結果基本相符。

表1 B1-ZrN的彈性常數
通過前面計算出彈性常數,可以計算得到B1-ZrN的彈性性質參數,如體模量B、切變模量G、楊氏模量(彈性模量)E、泊松比υ等。彈性性質計算結果如表2所示。

表2 B1-ZrN的體模量B、切變模量G、楊氏模量E
2.2 電子結構
為了揭示B1-ZrN彈性性質的物理本質,又計算了B1-ZrN的能帶(band structure)、總態密度(density of states)和分態密度(partial sensity of states)。B1-ZrN的能帶和態密度如圖2所示。圖中,Fermi能的位置是能量值為0 eV的位置。在圖中可以明顯地看出,B1-ZrN的總態密度均由s軌道和p軌道雜化而成,s軌道在遠離費米面的低能成鍵區域起主導作用,而在-10 eV以上的區域,p軌道起主導作用。其中,B1-ZrN的sp軌道雜化程度比較高,這決定了c-BN的彈性模量比較高。

圖2 B1-ZrN的能帶和態密度
B1-ZrN的體模量和楊氏模量分別為213GPa和378GPa,比較高,是由于B1-ZrN 的sp軌道雜化程度比較高。
參考文獻
[1]C.Brugnoni,et al.,Evaluation of the wear resistance of ZrN coatings using thin layer activation[J].Surf.Coat.Technol.,1998,100-101﹕23-26.
[2]C.-S.Chen,et al.,Influence of substrate bias on practical adhesion,toughness,and roughness of reactive dc-sputtered zirconium nitride films[J].J.Vac.Sci.Technol.A,2004,22﹕2041-2047.
[3]A.F.Guillermet,et al.,Phys.Rev.B 45(1992)﹕11557.
[4]Meenaatci A T A et al.,Pressure induced phase transition of ZrN and HfN﹕A first principles study[J].J.at.mol.sci,2013,4(4)﹕321-335.
[5]Chen,X.-J.,et al.,Hard superconducting nitrides,Proc.Nat.Acad. Sci.,102,3198-3201,2005.
基金項目:國家級大學生創新創業訓練計劃項目(201411305030)。