周 濤,文 理,劉超英
(1.廣東捷成科創(chuàng)電子股份有限公司,廣東 肇慶 526060;2.肇慶學(xué)院 電子信息與機(jī)電工程學(xué)院,廣東 肇慶 526061)
PS46×46片式微型壓電揚(yáng)聲器振子的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
周濤1,文理1,劉超英2
(1.廣東捷成科創(chuàng)電子股份有限公司,廣東 肇慶526060;2.肇慶學(xué)院 電子信息與機(jī)電工程學(xué)院,廣東 肇慶526061)
片式壓電平板揚(yáng)聲器是繼傳統(tǒng)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器之后發(fā)展起來(lái)的新型揚(yáng)聲器,具有電磁干擾小、功率低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、重量輕、尺寸薄的優(yōu)點(diǎn).壓電揚(yáng)聲器的振子直接決定了其片式壓電平板揚(yáng)聲器的性能,本文從PS46×46片式壓電揚(yáng)聲器的材料、工藝、結(jié)構(gòu)及應(yīng)用等方面進(jìn)行了研究分析.
片式;微型壓電揚(yáng)聲器;材料;工藝;結(jié)構(gòu)
片式壓電平板揚(yáng)聲器是繼傳統(tǒng)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器之后發(fā)展起來(lái)的新型揚(yáng)聲器,是壓電陶瓷[1-5]的一種新型應(yīng)用.與傳統(tǒng)的動(dòng)圈式揚(yáng)聲器相比(見(jiàn)圖1),壓電平板揚(yáng)聲器(見(jiàn)圖2)具有以下幾方面優(yōu)勢(shì):
1)壓電平板揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)中不需要磁鐵,因而也不會(huì)存在任何磁場(chǎng)對(duì)周?chē)娐樊a(chǎn)生干擾和影響.
2)僅需壓電陶瓷片和振膜即可構(gòu)成發(fā)聲結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且可靠性高.
3)壓電平板揚(yáng)聲器的厚度超薄,目前所制成的壓電揚(yáng)聲器本身的厚度僅有0.7 mm,而動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的厚度一般在2.4 mm以上.相比之下,壓電平板揚(yáng)聲器可安裝于更為狹小的空間中,這一優(yōu)勢(shì)使其在當(dāng)今市場(chǎng)中極具競(jìng)爭(zhēng)力.
4)壓電平板揚(yáng)聲器具有輕便的特點(diǎn),重量一般小于1 g,比傳統(tǒng)的動(dòng)圈揚(yáng)聲器輕30%~50%.
5)壓電平板揚(yáng)聲器的功耗低,一般小于15 mW,是動(dòng)圈式揚(yáng)聲器消耗功率的1/5~1/2,這大大延長(zhǎng)了器件的電池壽命.
6)壓電平板揚(yáng)聲器的聲學(xué)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,背面只需很少空間.

圖1 動(dòng)圈揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)圖

圖2 壓電平板揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)圖
片式壓電平板揚(yáng)聲器已成功生產(chǎn)出新一代壓電揚(yáng)聲器(外型結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖3),PS46×46片式壓電揚(yáng)聲器是高性能多層壓電揚(yáng)聲器中的一種.該揚(yáng)聲器可應(yīng)用于高聲壓要求的手機(jī)、平板終端設(shè)備、MID(mobile inter-net device移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、掌上電腦(PDA)、筆記本電腦、便攜式音頻播放器、電子書(shū)、電子詞典、手持游戲機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域.
片式壓電平板揚(yáng)聲器的核心技術(shù)包括壓電陶瓷材料配方設(shè)計(jì)、制程控制、元件結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)和揚(yáng)聲器模塊設(shè)計(jì).
1.1高性能、高可靠性的壓電陶瓷材料
高性能、高可靠性的壓電陶瓷材料,是制備性能優(yōu)異的PS46型微型壓電揚(yáng)聲器的重要前提.我們需要盡可能地提高陶瓷材料的機(jī)電耦合系數(shù),以獲得較大的機(jī)電轉(zhuǎn)換效率;同時(shí),需要改善其電性能參數(shù)的疲勞特性和老化特性.
為實(shí)現(xiàn)材料的高性能,我們選取了(PMN-PZN-PZT)四元系壓電陶瓷.通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)PZT-PMN-PZN多元壓電組成體系,設(shè)計(jì)與具有高介電常數(shù)的馳豫鐵電材料復(fù)合的近準(zhǔn)同型相界組成.先確定PMN-PZN-PZT主晶相的成分,經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明,PMN的增多使陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)從四方相過(guò)渡到三方相,準(zhǔn)同型相界的位置在PMN含量為6 mol處.此處電性能發(fā)生了突變,壓電常數(shù)、介電常數(shù)及機(jī)電耦合系數(shù)達(dá)到極大值,而介電損耗達(dá)到最大值,機(jī)械品質(zhì)因數(shù)達(dá)到最小值.由于PMN屬于“硬性”摻雜物,故增加它將使PMN-PZN-PZT陶瓷的介電常數(shù)、壓電常數(shù)降低,機(jī)械品質(zhì)因數(shù)升高.由于Zn-O的結(jié)合能大于Mn-O的結(jié)合能,Mn離子在氧八面體偏位處的穩(wěn)定性較低,自發(fā)極化定向不穩(wěn)定,較低的熱運(yùn)動(dòng)能即可摧毀其鐵電態(tài),故PMN的居里點(diǎn)低于PZN的居里點(diǎn).隨著PMN的增多,PMN-PZN-PZT壓電陶瓷居里點(diǎn)將會(huì)下降,因此,要在確保性能最優(yōu)化的情況下,選取合理的PMN-PZN-PZT配比.
在確定了主晶相的情況下,通過(guò)摻雜進(jìn)一步優(yōu)化及提高材料的電性能.引入微量的摻雜元素(La,Sb)及多種其他元素進(jìn)一步優(yōu)化材料的電性能,對(duì)PMN-PZN-PZT壓電陶瓷進(jìn)行Sr離子摻雜,Sr離子的半徑小于Pb離子的半徑,Sr離子的加入導(dǎo)致陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變,使晶體結(jié)構(gòu)從三方相轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较?隨著Sr離子的增多,陶瓷的介電常數(shù)、壓電常數(shù)及機(jī)械品質(zhì)因數(shù)都得到了提高,而機(jī)電耦合系數(shù)略有降低.在具有良好性能配方的基礎(chǔ)上,添加了SiO2.研究發(fā)現(xiàn),SiO2在燒結(jié)前期作為助熔劑降低了陶瓷的燒結(jié)溫度,在燒結(jié)后期又溶入到主晶格,起到摻雜改性的作用.摻雜SiO2的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.05時(shí),壓電常數(shù)、介電常數(shù)及介電損耗均達(dá)到了最大值,隨著SiO2含量的增多,陶瓷中出現(xiàn)了非晶相,惡化了陶瓷的電性能.電疇的翻轉(zhuǎn)特性可達(dá)到提高機(jī)電耦合性能、改善疲勞和老化特性的目的.通過(guò)選擇合適的氧化物(氧化鍶、氧化硅、氧化鑭、氧化銻)及適宜的比例,獲得性能優(yōu)異的高性能的材料配方;通過(guò)引入微量的摻雜元素及其他的多種稀土類(lèi)元素,進(jìn)一步優(yōu)化電疇的翻轉(zhuǎn)特性,達(dá)到提高機(jī)電耦合性能、改善疲勞和老化特性的目的.
壓電陶瓷材料的電性能如表1所示.

表1 壓電陶瓷材料的電性能
1.2高性能、高質(zhì)量超薄多層壓電陶瓷的制備技術(shù)
筆者采用一種新的粉體制作方法——如粉體快速合成工藝,使合成壓電材料細(xì)晶化;采用具有發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)的流延成型工藝,使用自動(dòng)精密流延機(jī)制成厚度10~30 μm的薄膜,可以減少微氣孔數(shù),避免燒結(jié)時(shí)晶粒長(zhǎng)大.
流延漿料制備技術(shù)是具有獨(dú)創(chuàng)性的,它摒棄了傳統(tǒng)工藝先將超細(xì)粉料制備成干粉,然后再將粘合劑、增塑劑等添加劑按配方加入進(jìn)行混合的做法.我們通過(guò)對(duì)超細(xì)粉料制備過(guò)程的有效控制,直接加入添加劑混合并得到性能很好的漿料,從而減少了生產(chǎn)環(huán)節(jié),降低了二次污染的可能性,在提高生產(chǎn)效率的同時(shí)降低了能耗.
既要顯著降低粘合劑的含量,又要保證生坯片具有足夠的強(qiáng)度和韌性,這既是矛盾所在,也是最大的困難所在.通過(guò)加入少量的表面活性劑、增韌劑,可以使流延漿料中的粘合劑、溶劑含量大幅度降低,但其稀稠度和流變性不會(huì)改變.
采用介質(zhì)層之間粘接的工藝制備多層陶瓷片,通過(guò)不斷完善制備工藝,可以保障所獲得的多層壓電陶瓷的可靠性、穩(wěn)定性和成品率.
擬解決方法:采用水基流延法制備10~30 μm超薄陶瓷坯膜.采用絲網(wǎng)印刷技術(shù),獲得粘結(jié)層可控且穩(wěn)定性高的多層壓電陶瓷片.
我們采用疊片燒結(jié)工藝制得單個(gè)平整的陶瓷片,大尺寸的超薄陶瓷膜片在高溫?zé)Y(jié)時(shí)會(huì)發(fā)生變形、彎曲.筆者的研究項(xiàng)目創(chuàng)新研發(fā)出一種新型的燒結(jié)工藝方法,可制備出平整度高的超薄陶瓷介質(zhì).
本研究采用膠粘工藝,將多個(gè)壓電片進(jìn)行逐層粘接,加熱固化后形成一體化,制得多層壓電片.采用這種工藝方法生產(chǎn)的陶瓷致密度高,陶瓷與電極的燒滲強(qiáng)度高,壓電片與壓電片的膠粘強(qiáng)度大,多層壓電片與金屬片的膠粘強(qiáng)度大,因此,多層壓電揚(yáng)聲器振子不但聲壓高、音質(zhì)好、靈敏度高,并且產(chǎn)品的可靠性得到有效保障.
1.3PS46型微型壓電揚(yáng)聲器的設(shè)計(jì)
PS46型微型壓電揚(yáng)聲器是一個(gè)機(jī)-電-聲耦合系統(tǒng),涉及材料、聲學(xué)、電子、機(jī)械等多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域.
解決方法:通過(guò)有限元法和傳統(tǒng)動(dòng)力學(xué)方法,建立機(jī)-電-聲耦合系統(tǒng)模型,其分析結(jié)果既有等效電路法的簡(jiǎn)潔性和直觀性,又能獲得有限元法的定量分析結(jié)果.
結(jié)合矩形薄型壓電振子在靜電壓下的受力形式并利用功的互等理論,可得到矩形薄型壓電振子靜態(tài)變形的解析.將對(duì)算例變形的計(jì)算結(jié)果與ANSYS的仿真結(jié)果及實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比對(duì),可看出矩形薄型壓電振子靜態(tài)變形的形狀和變形大小數(shù)量級(jí)的理論計(jì)算值均正確,但理論計(jì)算得出的最大變形量為2.39 μm,與ANSYS仿真值8.26 μm及實(shí)測(cè)值7.8 μm的偏差很大.由此可見(jiàn)ANSYS仿真的定量結(jié)果較為可信,但理論計(jì)算對(duì)理解矩形薄型壓電振子的變形機(jī)理和影響因素仍有一定意義.本文中,筆者基于ANSYS仿真,研究了電壓、陶瓷片的邊長(zhǎng)、厚度、材料、層數(shù)及振動(dòng)板的厚度、材料對(duì)矩形薄型壓電振子靜態(tài)變形的影響.
改進(jìn)后的PS46型微型壓電揚(yáng)聲器的各項(xiàng)指標(biāo)如下:
壓電陶瓷層數(shù)為1~5層,壓電陶瓷的層厚為10~30μm,壓電揚(yáng)聲器厚度≤0.7 mm,器件規(guī)格尺寸為46 mm×46 mm;器件的初次諧頻頻率范圍≤250 Hz,平均靈敏度規(guī)格≥110 dB(1 V,31.6 mm,軸向測(cè)試),波動(dòng)度(初次諧振頻率附近)≤4 dB(1 V,31.6 mm,軸向測(cè)試)(見(jiàn)圖4);抗疲勞性能:初次諧振頻率附近可連續(xù)工作3個(gè)月以上,可聽(tīng)域頻段上能連續(xù)工作6個(gè)月以上.

圖3 PS46壓電平板揚(yáng)聲器外觀圖

圖4 PS46壓電平板揚(yáng)聲器頻譜圖
1.4應(yīng)用
該產(chǎn)品已應(yīng)用于一些高聲壓要求的手機(jī)、平板終端設(shè)備、MID(mobile internet device移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、掌上電腦(PDA)、筆記本電腦、便攜式音頻播放器、電子書(shū)、電子詞典、手持游戲機(jī)等消費(fèi)類(lèi)電領(lǐng)域(見(jiàn)圖5).

圖5 壓電平板揚(yáng)聲器應(yīng)用領(lǐng)域
片式壓電揚(yáng)聲器振子的工藝路線見(jiàn)圖6.

圖6 片式壓電揚(yáng)聲器振子的工藝路線圖
開(kāi)發(fā)大功率壓電陶瓷材料,可采用粉體快速合成工藝使超薄壓電陶瓷片(10~30 μm)細(xì)晶化,解決絕緣電阻下降的問(wèn)題;采用水基流延制備10~30 μm超薄陶瓷坯膜;以超薄陶瓷片及介質(zhì)層之間的粘接工藝制備高性能、高質(zhì)量的多層壓電陶瓷;在46 mm×46 mm×0.05 mm的金屬基片上排列4片多層結(jié)構(gòu)的壓電片,優(yōu)化PS46型微型壓電揚(yáng)聲器的中低頻特性,提高其聲壓并增大其功率.
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The Design andApplication of PS46×46 Chip Micro Piezoelectric Loudspeaker
ZHOU Tao,WEN Li,LIU Chaoying
(1.Guangdong Jiecheng Electronic Limited by Share Ltd,Zhaoqing,Guangdong 526060,China;
2.College of Electronic Information and Mechatronic Engineering,Zhaoqing University,Zhaoqing,Guangdong 526061,China)
ractWith the advantage of small electromagnetic interference,low power,simple structure,light weight,and thin dimensions,chip piezoelectric panel speaker is a new speaker developed after the traditional moving coil loudspeaker.Piezoelectric speaker vibrator directly determines the pressure performance of the chip electric flat panel loudspeaker.The present paper analyzes the PS46 x 46 of chip pressure electric loudspeaker of the material,process,structure and application.
ordschip;micro piezoelectric speaker;material;process;structure
TN384
A
1009-8445(2016)02-0043-05
(責(zé)任編輯:陳靜)
2015-12-08
肇慶市科學(xué)技術(shù)計(jì)劃項(xiàng)目(2012G031)
周濤(1973-),男,四川宜賓人,廣東捷成科創(chuàng)電子股份有限公司研發(fā)部研究人員.