日本研發出在晶片上形成GaN元件功率半導體的關鍵技術

日本研發出在晶片上形成GaN元件功率半導體的關鍵技術

日本三菱化學株式會社及富士電機控股公司、豐田中央研究所株式會社、京都大學、日本產業技術綜合研究所組成的聯合研究團隊成功突破了在氮化鎵（GaN）晶片上形成GaN元件功率半導體的關鍵技術。

GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。該聯合研究團隊制作了高質量2英寸GaN晶片和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），并面向功率半導體改良了GaN晶片量產技術——“氨熱法”，優化了晶體成長條件，將晶片平均缺陷密度減少到以往的數百分之一（每1cm2數千個）的水平。

未來，該聯合研究團隊還將從晶片到元件形成、加工技術、基礎物性的檢測分析等各個方面檢驗其實用性。 (科技部)