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開關電源待機功耗分析

2017-04-23 03:20:37王學軍
電子技術與軟件工程 2017年5期

王學軍

摘 要 開關電源是利用現代電力電子技術,采用功率半導體器件作為開關,通過控制開關晶體管開通和關斷的時間比率(占空比),調整輸出電壓,維持輸出穩定的一種電源。開關電源是電子電源的主要大類產品,由于其小型化、重量輕、功率密度/轉換效率高、輸入電壓范圍廣、熱消耗較少等眾多種優點,并得益于電子產品輕、薄、小的需求趨勢,其發展迅速,將全面取代線性電源而普及于各種電子產品領域。

【關鍵詞】待機功耗 開關管損耗 高壓啟動 6級能效

從2011年至2015年每年全球開關電源市場銷售額平均保持了6.5%左右的幅度增長, 2016年中國電源產業產值將超過2156億元,我國開關電源產值將達到1875億元。

可以預計,下面幾個問題是開關電源發展的永恒方向:

(1)開關電源頻率要高,這樣動態響應才能快,配合高速微處理器工作是必須的;也是減小體積的重要途徑。

(2)體積要減小,變壓器電感、電容都要減小體積。

(3)效率要高,產生的熱能會減少,散熱會容易,容易達到高功率密度。

(4)待機功耗低,這樣才能節能減排,做到低碳環保。

1 提高整機效率與降低待機功耗理論分析

1.1 開關電源的損耗包含功率管導通損耗、開關損耗以及外圍控制電路損耗,電路不同部分的損耗成因各不相同,因此減小損耗的方法也有不同

需要用數學方程式量化這些損耗,進而整理出降低各部分損耗的方法,才能得出具體有效降低整體損耗的方案。

1.2 主要導通損耗

如表1、表2、表3所示。

1.3 主要開關損耗

如表4、表5、表6所示。

1.4 外圍控制電路損耗

表7所示。

2 整機待機功耗分析

2.1 D4875手機充電器5V2A整機實際線路

從圖1整機線路分析功耗來源,主要可以分為以下幾類:開關損耗、電阻損耗、緩沖網絡損耗、PWM控制器功耗等。

2.2 開關損耗

2.2.1 測試條件

VAC=264V。下面為輔助繞組對地的波形(如圖2、圖3、表8所示)

原因分析:MOSFET的導通損耗,開關交疊損耗均與頻率成正比關系,即與單位時間內開關次數成正比。

2.3 啟動電阻損耗

如表9所示。

(1)測試條件VAC=264 V,RIN=1MΩ→2 MΩ

啟動電阻RIN上最大損耗:

備注:低頻整流后的電壓存在一定波動,故實際測試值與理論計算值有一定偏差。當然目前市場上已有采用高壓啟動的芯片(此類芯片半導體工藝相對復雜),也就是啟動后切斷電阻上的電流,可以達到沒有損耗。

(2)同時可以通過把RIN的位置從低頻整流后轉到低頻整流前,這樣可以進一步降低待機功耗。測試條件VAC=220V,RIN=1MΩ或2MΩ,改變RIN連接位置,如表10所示。

(3)啟動電阻值的增加,可以降低整機待機功耗,但同時會導致整機開機時間的延長,故待機功耗的降低是以犧牲整機開機時間為前提的。由于整機開機時間不能超過一定的時間(一般2S),各個廠家又有所不同,故根據實際情況進行選擇,選擇的標準是在不超過規定的開機時間下盡量增加啟動電阻,從而降低待機功耗,如圖4、圖5所示。

測試條件:VAC=110 V,full load 2 A,RIN=1MΩ→2MΩ

(4)輸出分壓電阻RO最大損耗(RO包括兩個分壓電阻總和):

測試條件:VAC=220V,RO=2KΩ→20 KΩ,如表11所示。

2.4 緩沖網絡損耗

2.4.1 二次側整流二極管RC緩沖網絡損耗

測試條件:R=18 Ω,C=102→103(如表12、表13所示)。

從表14可看出,電容C=102時主要吸收高頻,那樣就不會吸收掉正常工作的低頻頻率,功耗較低,但噪聲與尖峰會很大。電容C=103時同時吸收低頻高頻,吸收效果好,噪聲和尖峰會相應的小很多,但功耗會較大。由于吸收過來的能量會損耗在電阻上,因此電阻越大能量損耗也相應會增加。

2.5 RCD緩沖網絡

2.5.1 測試條件

如表15所示。

D=FR107,R=100 KΩ,C=101→102→103

2.5.2 測試條件

如表16所示。

D=FR107,C=102,R=50 KΩ→100 KΩ→200 KΩ

原理分析如圖6所示。

電容Csn=101時主要吸收高頻,那樣就不太會吸收掉正常工作的低頻頻率,功耗較低,但噪聲和尖峰會很大。電容Csn=103時同時吸收低頻高頻,吸收效果好,噪聲和尖峰會相應的小很多,但功耗會較大。由計算公式可以看出損耗在RSN上的能量與RSN的阻值成反比,故電阻越大,損耗越小。在實際調試過程中,當能耗降低會導致尖峰值增加,從而引起EMI問題,這時需要在兩者之間權衡,同時兼顧效率與EMI。

2.6 D4875 PWM控制器損耗

2.6.1 芯片D4875上最大損耗

P=VDD×IDD

2.6.2 測試條件

VDD=12 V→18 V

從表17可看出,降低VDD的供電電壓與供電電流能有效的降低待機功耗。

4 結論

要減小開關電源待機損耗,提高待機效率,根據開關電源損耗的構成分析,最有效的方法就是切斷啟動電阻,優化緩沖網絡,降低芯片工作電壓與工作電流,降低開關頻率,減小開關次數可減小待機損耗,提高工作效率。

參考文獻

[1]王志強,肖文勛.開關電源設計[M].北京:電子工業出版社,2010.

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