我國在3D NAND存儲器研發領域取得突破性進展

我國在3D NAND存儲器研發領域取得突破性進展

由中國科學院微電子研究所與長江存儲科技有限責任公司聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。研究人員研制的32層3D NAND芯片通過了電學特性等各項測試，性能指標達到了預期要求。

3D NAND是新型半導體存儲技術，通過增加存儲疊層實現存儲密度的增加，從而拓寬了存儲技術的發展空間，但其結構的高度復雜性給工藝制造帶來了挑戰。在3D NAND存儲器研發項目中，研究人員攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成，以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點，為實現多層堆疊結構的3D NAND陣列打下了堅實的基礎；通過大量實驗和數據分

析，完成了器件各項可靠性指標的優化，實現了全部可靠性參數達標；通過對三維存儲結構進行建模，采用根據層數可調制的編程、讀取電壓配置，補償了器件特性隨陣列物理結構的分布差異，減輕了單元串擾影響。 (新 華)