我國(guó)開(kāi)發(fā)成功64Mb阻變存儲(chǔ)器晶圓

我國(guó)開(kāi)發(fā)成功64Mb阻變存儲(chǔ)器晶圓

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心聯(lián)合西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司，以及清華大學(xué)、北京大學(xué)、西安交通大學(xué)等單位的研究人員，在阻變存儲(chǔ)器（ReRAM）及其與標(biāo)準(zhǔn)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝的集成研究中取得了新進(jìn)展。

研究人員在完成前端工藝的晶圓上，依托微電子所的8英寸CMOS先導(dǎo)工藝研發(fā)平臺(tái)，完成了64Mb ReRAM和內(nèi)嵌ReRAM IP的SoC的阻變存儲(chǔ)后端集成工藝開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證，開(kāi)發(fā)的基于HfOx材料的ReRAM單元具有良好的一致性、持久力等性能，陣列制備工藝簡(jiǎn)單，不僅可與CMOS工藝完全兼容，而且僅增加了2層掩膜版，可快速、低成本地與邏輯工藝集成。該集成方案結(jié)合了代工廠(chǎng)工藝穩(wěn)定和實(shí)驗(yàn)室工藝靈活的優(yōu)點(diǎn)，不僅為ReRAM制備工藝轉(zhuǎn)向代工廠(chǎng)提供了前期技術(shù)儲(chǔ)備，也為新型存儲(chǔ)技術(shù)的開(kāi)發(fā)提供了一個(gè)研究開(kāi)發(fā)平臺(tái)。

64Mb ReRAM芯片和內(nèi)嵌ReRAM IP的SoC在實(shí)現(xiàn)基于ReRAM存儲(chǔ)機(jī)理和單元特性的讀寫(xiě)電路、芯片構(gòu)架、可測(cè)試性設(shè)計(jì)、冗余設(shè)計(jì)、糾錯(cuò)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)訪(fǎng)問(wèn)管理等方面實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新。兩款芯片均已完成了應(yīng)用演示等相關(guān)測(cè)試，其中，64Mb ReRAM芯片可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫(xiě)編輯及實(shí)時(shí)播放操作，功耗、速度和壽命等性能優(yōu)異。 (中 科)