中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究獲進(jìn)展

中科院鍺輔助絕緣體上石墨烯材料生長研究獲進(jìn)展

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的研究人員在絕緣體襯底上直接制備石墨烯研究方面取得了新進(jìn)展，為獲得晶圓級(jí)絕緣體上石墨烯奠定了基礎(chǔ)，有助于推動(dòng)石墨烯材料在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用。

研究人員基于鍺襯底上生長高質(zhì)量單層石墨烯的研究基礎(chǔ)，使用鍺薄膜作為催化劑，采用化學(xué)氣相沉積（CVD）法，通過優(yōu)化石墨烯生長溫度和生長時(shí)間，在完全蒸發(fā)掉鍺薄膜的同時(shí)，成功在二氧化硅、藍(lán)寶石、石英玻璃等絕緣襯底上制備出了高質(zhì)量單層石墨烯材料，并成功將其應(yīng)用于除霧器等電加熱器件中。

研究人員還發(fā)現(xiàn)，石墨烯的形狀完全依賴于鍺薄膜的形狀，因此，該方法既可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)石墨烯薄膜的生長，也可以通過預(yù)先設(shè)計(jì)的鍺圖形定義后續(xù)石墨烯器件所需圖形化的生長。 (科 苑)