無抽搐電休克治療對記憶功能影響的研究進展

王 曦

(重慶醫科大學附屬第一醫院精神科，重慶 400016)

無抽搐電休克(MECT)較傳統電休克增加了麻醉劑(常用丙泊酚)及肌松劑聯合面罩吸氧，減輕了患者對治療的恐懼，大腦缺氧時間縮短，減少了對大腦的損傷，因此具有適應范圍廣、安全性高、并發癥少的特點，且療效與傳統電休克相仿。隨著MECT在精神疾病治療上療效的肯定及廣泛應用，其治療不良反應成為患者及家屬是否同意該治療的關鍵，其中MECT治療對記憶力的影響是大家普遍關心的問題。記憶是人腦對經歷過的事物的反映，由識記、保存和再現(再認和回憶)3個環節構成，是能動的心理過程，它是進行思維、想象等高級心理活動的基礎，是人們學習、工作和生活的基本機能。目前MECT治療對患者記憶功能方面的影響仍存在諸多爭議，所以本文將近年來的研究結果作一綜述。

1 電休克致記憶障礙的機制

人類的記憶與大腦海馬結構、大腦內部的化學成分變化有關，電休克治療可能誘導海馬炎癥發生[1]。動物實驗研究[2]發現電休克治療所致記憶障礙可能與谷氨酸(Glu)信號系統功能異常有關。電休克導致海馬內Glu濃度過度升高，引起一系列氧化應激，導致海馬突觸可塑性上調至飽和狀態，無法進一步的上調以接收新的知識信息，最終導致記憶功能障礙[2]；τ蛋白與機體學習記憶能力相關，Glu濃度增加可導致τ蛋白過磷酸化，從而使神經信號傳遞障礙，甚至造成神經元凋亡或死亡[3]；學習記憶能力需要Glu與γ-氨基丁酸(GABA)功能狀態保持平衡，Glu/GABA過高或過低均會導致學習記憶功能降低[4]。Obergriesser等[5]發現MECT治療后腦脊液中膽堿復合物減少。同時，電刺激引起患者癇樣發作、意識喪失，從而導致腦細胞缺氧、內皮細胞損害也是記憶障礙的可能原因[6]。

2 MECT致記憶障礙的影響因素

2.1 治療模式

陳一郡等[7]通過對MECT LOW0.5和DGX兩種模式治療精神分裂癥的對照中發現：兩種模式療效相當，但LOW0.5模式起效慢，治療前后記憶無明顯影響，而DGX模式起效快，治療后記憶下降明顯，但在1～2周內逐漸得到恢復。

2.2 電極放置位置

電休克對記憶的損害以雙側電極放置更嚴重，而雙側顳葉和雙側額葉安放電極導致的認知功能不良反應差異無統計學意義[8]。顳側放置電極電休克與視覺記憶障礙有關，雙顳側放置電極與言語記憶障礙有關[9]。

2.3 其他

電休克引起記憶障礙可能還與患者年齡、用電量高低、治療頻次、麻醉劑種類、麻醉深度等相關[9-10]。

3 MECT所致記憶障礙

3.1 即時記憶

電休克治療可致記憶的識記、保持功能受損，以記憶保持下降更明顯[11]。近年研究[12-13]發現MECT所致記憶障礙無論是對精神分裂癥還是抑郁癥患者都是暫時且可逆的，主要為對工作記憶、短時記憶的損害，治療結束后記憶功能可得到一定程度的改善。MECT可能刺激相關修復因子或神經細胞自身修復使認知、記憶等腦功能迅速恢復[14]，工作記憶的改善比短時記憶和長時記憶要早，可能與癥狀改善和疾病好轉有關[15]，但整體記憶水平不會提高[16-18]。目前MECT治療對患者長時記憶的影響研究較少，薛志強等[15]研究發現MECT后韋氏記憶量表(WMS)經歷評分提高，定向評分差異無統計學意義，認為MECT可能對患者長時記憶功能的影響不大。目前患者MECT后記憶障礙恢復時間尚無定論，大致在治療結束后1周～2個月不等，疾病不同恢復時間也不盡相同[6,19-20]。Loo等[21]研究發現電休克治療結束1個月后，大多數患者記憶恢復到治療前，若患者治療前已存在記憶障礙，記憶障礙需在2個月才能恢復到治療前水平。Ng等[22-23]等研究發現MECT對患者記憶有遠期(6個月及以上)影響。

3.2 延遲記憶

海馬體積與延遲回憶能力呈負相關，電休克可使海馬體積增加[24]。有研究[25-26]發現MECT治療可明顯降低抑郁癥患者延遲回憶能力，治療前延遲回憶能力較弱者，治療后對患者的記憶損害相對較輕。MECT對精神分裂癥患者延遲記憶的影響暫無相關報道。

3.3 前瞻性記憶

闞博等[27-28]研究證明MECT對精神分裂癥患者的前瞻性記憶有明確損害。其中基于事件的前瞻性記憶(EBPM)及基于時間的前瞻性記憶(TBPM)均受損，TBPM損害更明顯，對基于活動的前瞻性記憶(ABPM)無明顯影響，可能與前瞻性記憶任務難易程度有關[29]。

3.4 回顧性記憶

Frith等[30]研究發現MECT治療對抑郁癥患者的回顧性記憶可造成損害，近年來有關MECT對回顧性記憶的影響的研究較少。在MECT過程中外顯、內隱記憶均消失[31]。有研究[32]發現電休克治療后近事記憶較遠事記憶更易受損害。

目前有關MECT對記憶功能的影響的研究局限于精神分裂癥及抑郁癥患者，對其他疾病幾乎無研究。

4 MECT所致記憶障礙的預防及治療

4.1 根據電休克致記憶障礙的機制

4.1.1 麻醉劑的使用

MECT較單純電休克增加了麻醉劑的使用，丙泊酚(異丙酚)是目前國內外MECT治療中最常用的靜脈全身麻醉藥物，可減輕單純電休克導致的記憶損害。其機制可能有以下幾點[33]：1)抑制神經元合成Glu；2)抑制突觸釋放Glu；3)抑制炎癥因子介導的Glu攝取障礙[34]；4)升高蛋白激酶B(PKB)活性抑制神經元凋亡；5)NMDA受體阻滯，減少因NMDAR過度興奮導致的神經元損傷，進而部分逆轉電休克后學習記憶障礙。劉超等[35]〗研究證明人參皂苷Rg-1、2,6-二異丙基苯酚亦可通過緩解Tau蛋白過度磷酸化、降低海馬內谷氨酸濃度改善電休克后記憶障礙。張帆[36]發現丙泊酚聯合小劑量氯胺酮可進一步減輕電休克后抑郁大鼠的學習記憶功能損傷，機制可能與促進tPA表達上調，促進proBDNF向mBDNF的轉化，下調proBDNF/mBDNF的表達比例相關。

4.1.2 氧療

給予持續常壓、常規流量的氧氣吸入，可降低MECT引起的記憶功能損傷[37]，縮短患者記憶障礙恢復時間[38]。

4.2 改善記憶力的藥物

1)石杉堿甲：成敬等[39-40]研究發現石杉堿甲能減輕電休克模型大鼠記憶損害，其機制可能與海馬P-ERK、ARC的表達增加有關。

2)加壓素的類似物(1-脫氨-8-D-精氨酸加壓素)：有研究[41]發現加壓素的類似物能增進正常人記憶力20%左右，且抑郁癥患者在電休克治療后使用此劑，可增進記憶力一倍以上。

3)類似藥物還有胞二磷膽堿、長春西汀、絞股藍、人參根莖皂甙等。

4.3 物理治療

有研究[42]證明作業治療、經顱磁刺激、電腦輔助認知功能訓練系統、虛擬現實技術、針灸治療等康復治療方法均對認知功能障礙有治療作用，而記憶作為認知功能的重要組成部分，上述治療仍有肯定作用。

綜上所述，雖然MECT治療較單純電休克對患者記憶功能的損害減輕，但未完全消除。MECT治療對患者即時記憶及延遲記憶、前瞻性記憶及(或)回顧性記憶仍有一定損害，其嚴重程度與MECT的具體實施、個體差異性相關。隨著疾病病情好轉，記憶障礙較治療前有所改善，但不會提高患者本身記憶水平。部分記憶障礙可能持續超過6個月甚至終身，記憶的回憶部分的恢復可能比識記、保持功能需要更長時間，此觀點有待更系統更深入的研究論證。由于記憶并不是一個單一的概念，MECT治療對記憶系統的各個方面的影響可能并不一樣，故其對一種精神疾病患者記憶的影響也不能外推到另一種精神疾病患者群體中，現對除精神分裂癥及抑郁癥以外的疾病研究太少。目前研究方向可以向記憶力恢復的時間，影響記憶力恢復的因素方面轉移，這也是多數患者及家屬關注的問題。

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