重慶萬國試生產啟動將打造世界一流功率半導體企業

近日，重慶萬國半導體科技有限公司12英寸功率半導體芯片項目試生產啟動儀式舉行。重慶萬國半導體科技有限公司由美國AOS萬國半導體科技有限公司、重慶戰略性新興產業股權投資基金和重慶兩江新區戰略性新興產業股權投資基金共同出資組建，是全球第一家集芯片制造及封裝測試的12英寸功率半導體企業，項目總投資10億美元。

該項目包括晶圓制造與封裝測試兩大部分，2017年2月12口開工建設，2018年1月22口封測廠開始搬入設備并裝機，3月15口晶圓廠開始搬入設備并裝機。目前封測開始進入試生產階段，晶圓廠亦將于第三季度試生產，預計今年年底，所有工程將全而完工、開始投產。項目一期預計每月生產2萬片芯片、封裝測試5億顆芯片，年產值將達4億美元;二期預計每月生產5萬片芯片、封裝測試12.5億顆半導體芯片，年產值將達10億美元。

AOS萬國半導體董事長、CEO、重慶萬國半導體董事長張復興在致辭中表示，重慶萬國半導體12英寸功率半導體芯片及封裝測試項目從2017年2月12日開工，歷時16個月。經團隊通力合作，發揚創新精神，今天迎來了項目的試生產。憑借AOS優越的技術與成熟的產品，重慶萬國半導體建設成為世界一流的功率半導體企業。

同期，AOS萬國半導體還在重慶舉辦了“AOS技術交流高峰論壇”。張復興在主題演講中對功率半導體在綠色節能產業中所發揮的作用進行了詳細介紹，同時表示AOS萬國半導體將承擔起企業社會責任，推進功率半導體技術的發展。IGBT發明人B.Jayant Baliga教授、美國倫斯勒理工學院終身教授T.Paul Chow，受到組委會特別邀請出席論壇，發表專題演講。Baliga教授以“IGBT的前生和未來”為題，分享了IGBT的起源，展望未來發展趨勢。Chow教授的演講題目為“寬禁帶應用技術”，探究隨著智能化、集成化和小型化的發展趨勢，未來功率半導體的發展方向以及發展機遇。此外，萬國半導體的高管團隊還就最新的技術進展與現場嘉賓進行了深入探討。

AOS成立于2000年9月，總部位于美國加州硅谷，是全球從事功率半導體研發、應用、設計、晶圓制造、封裝測試為一體的IDM高新技術企業。目前擁有全球授權專利近1500項。根據IHS發布的全球功率MOSFET廠商排名，AOS排名第七位。

近年來，隨著綠色節能經濟理念不斷深入人心，功率半導體市場需求持續提高。IC Insights指出，歷經2015年短暫下調后，全球功率半導體市場已經重新回到持續提升的軌道之上，市場需要不斷擴大。而在各類功率元件中，最具成長性的產品是高壓MOSFET（超過200V）與IGBT模組，兩類產品在2015年至2020年期間的復合年成長率（CAGR）預估分別為4.7%與4.0%。從技術發展趨勢看，功率半導體器件的制造技術以微細加工和MOS工藝為基礎，因此也使得功率半導體得以模塊化、集成化，促進了功率模塊（IPM）和功率IC的迅速發展。

（來源：電子信息產業網）