三維有序金納米殼結構的可控制備及其SERS性能

饒艷英 李章良 黃建輝 姜宇杭 趙曉旭

（莆田學院環境與生物工程學院，福建省新型污染物生態毒理效應與控制重點實驗室，生態環境及其信息圖譜福建省高等學校重點實驗室，莆田351100）

表面增強拉曼光譜 （surface enhanced Raman spectroscopy，SERS）是在普通拉曼光譜的基礎上，依靠具有拉曼活性的金屬材料來增強普通拉曼信號的一門新興分析技術手段，已逐漸發展成為目前常用的一種簡單快速的分析方法。表面增強拉曼光譜不僅能提供分子的結構信息，而且具有高靈敏度、高選擇性、受水和熒光信號干擾小的優點，可廣泛應用于食品安全的監控[1-3]、環境污染物檢測[4-5]、臨床診斷[6-7]、生化分析[8]等諸多領域中，而高效的SERS基底是SERS得以廣泛應用的前提。

由于表面粗糙的金、銀納米材料具有優異的SERS增強效果，而中空多孔納米材料具有更大的比表面積可吸附更多的待測分子，聯合有序納米材料的小尺寸效應、周期性結構及相鄰結構單元間的相互作用，使得有序中空多孔金納米材料作為SERS基底在痕量分析上具有更廣泛的應用，甚至能提高拉曼檢測靈敏度達到單分子水平[9-10]。特別是金納米材料靈活的光調節功能[11]、優良的生物相容性和光化學穩定性受到國內外研究學者的廣泛關注，并發展了一系列方法實現有序多孔金納米材料的制備，包括電子束平板印刷法（electron-beam lithography）[12]、 電 化 學 刻 蝕 法 （electrochemical etching）[13-14]、自組裝法（self-assembly）[15]、微接觸印刷（micro-contact printing）法[16]、及膠體晶模板法（particle-array template methods）[17]等。 實驗利用 SiO2光子晶體為模板，H2O2為還原劑，原位制備了大面積具有可控表面形貌及周期性中空多孔結構的有序金納米殼材料，此材料粗糙的表面結構顯示出優越的SERS增強效應。

1 實驗部分

1.1 材料與試劑

二氧化硅（SiO2）水溶膠（粒徑～330 nm）購于日本Nissan 公 司 ；γ-氨 基 丙 基 三 乙 氧 基 硅 烷 （APTES，97%）購于美國 Sigma 公司；氯金酸（HAuCl4·4H2O）、硼氫 化鈉 （NaBH4）、碳 酸 鉀 （K2CO3）、過 氧 化 氫（H2O2，30%）和無水乙醇（C2H6O，99%）均為國產分析純試劑；拉曼探針分子尼羅藍A（NBA）購于Sigma-Aldrich公司。

1.2 SiO2膠體晶體模板的制備

SiO2膠體水洗5次，無水乙醇洗5次后分散于乙醇中配成 200 mL溶膠 （濃度為 0.076 g·mL-1），加入1.771 mL APTES，40℃攪拌過夜[18]。后將上述溶液用無水乙醇超聲清洗5～6次以去除多余的APTES。最后以轉速5 000 r·min-1離心20 min。棄底部沉淀及上層清液，取中間層乳液配制成0.5%（V/V）SiO2膠體溶液。將洗凈的載玻片垂直浸入盛有SiO2膠體溶液的染色缸中，開蓋，將整個裝置放置在無震動的實驗桌上，經過72 h乙醇自然揮發，取出載玻片，自然風干，載玻片的兩表面生長出SiO2膠體晶體（2 cm×3.1 cm）。

1.3 三維有序SiO2/GNPs陣列的制備

取200 mL 4℃純水在攪拌狀態下快速加入3 mL 1%HAuCl4溶液，待其在溶液中分散均勻后（約10 min）加入 1 mL 0.2 mol·L-1的 K2CO3溶液，攪拌數分鐘后快速加入新鮮配制的0.5 mg·mL-1NaBH4溶液9 mL[18]。反應溶液由淺黃色變為紫黑色再變為酒紅色，說明有金納米粒子（GNPs）的生成。取5片制備好的SiO2膠體晶體放入100 mL不斷攪拌中的上述制備的GNPs膠體溶液中吸附反應6 h。通過靜電吸附作用，GNPs吸附到SiO2-APTES表面，形成SiO2/GNPs陣列。

1.4 三維有序金納米殼（GNSs）陣列的制備

1.4.1 K2CO3-HAuCl4生長液的配制

稱取150 mg的K2CO3溶于600 mL超純水中，攪拌10 min后加入9 mL濃度為1%的HAuCl4溶液，攪拌至溶液顏色由黃色逐漸變為無色，制備成K2CO3-HAuCl4生長液[19]。而后取40 mL上述生長液于燒杯中，快速加入 100 μL H2O2，反應 30 min。 為了研究GNSs陣列在不同生長階段的特性，在K2CO3-HAuCl4生長液充足的前提下取H2O2濃度分別 為 25、50、75、100、125、150、175、200、250 和 300 μmol·L-1，以上的濃度均是 H2O2的終濃度（40.1 mL的反應溶液）。在保持 K2CO3-HAuCl4120 mL，H2O2濃度 200 μmol·L-1的溶液中，分別加入 3、4、5 片上述SiO2/GNPs陣列反應，研究有序GNSs陣列的生長。

1.5 表 征

形貌表征采用Zeiss Ultra-Plus掃描電子顯微鏡（SEM，工作電壓15 kV），拉曼光譜儀為Renishaw Invia Reflex顯微共聚焦拉曼光譜儀，配備的顯微鏡為萊卡（Leica）顯微鏡；CCD（Charge-coupled Device）的冷卻選用了皮爾特（Pelier）冷卻方式，CCD的校正采用單晶硅的一級峰520 cm-1為基準；激光波長選擇785 nm，工作模式為線聚焦模式，激光功率為～0.06 mW；聚焦選用50倍長焦物鏡，激光光斑大小約為2 μm；曝光時間選擇10 s累積2次，對應的光柵選擇1 200 mm-1；每個SERS光譜測量5次，取平均值。

2 結果與討論

2.1 有序GNSs陣列的制備

GNSs陣列及其中空多孔結構制備過程如圖1所示。在H2O2介導三維有序GNSs陣列形成體系中，H2O2作為還原劑，將AuCl4-還原生成Au，其反應過程如下：

圖1 GNSs陣列及其中空多孔結構制備示意圖Fig.1 Schematic illustration of the fabrication for GNSs array and porous nanostructure

該方法首先對SiO2內核的表面進行氨基化使之帶正電后分散于乙醇相中，通過垂直自組裝方法[20]將其有序組裝在玻璃基面底上形成SiO2膠體晶，然后通過靜電吸附作用將帶負電的膠體GNPs吸附在SiO2表面形成SiO2/GNPs陣列，再以H2O2為還原劑還原AuCl4-，還原出來的Au以SiO2/GNPs陣列表面的GNPs為成核位點選擇性的沉積在SiO2/GNPs表面的GNPs上，使GNPs逐漸長大且彼此間間距逐漸減小、連接直至最終形成完整的GNSs。制備的有序GNSs結構可根據需要于4%HF溶液中去除SiO2內核，得到中空的三維有序多孔金納米材料。

可通過調節各反應參數如反應時間、反應溫度、H2O2的濃度、SiO2/GNPs陣列及 K2CO3-HAuCl4生長液的量等從而達到對此有序GNSs陣列的可控制備。在生長液過量，特定H2O2的濃度的情況下，隨著反應時間的進行，GNPs慢慢生長直至30 min后長成完整的金殼層。同樣，反應溫度對殼的生長也有影響，此反應是在溫和的條件下進行的，由于K2CO3-HAuCl4生長液是置于4℃冰箱保存備用，可直接取出使用。在低溫條件下，AuCl4-被緩慢還原成Au，以SiO2/GNPs陣列表面的GNPs為成核位點選擇性地沉積在GNPs上[21]，有利于殼的形成。當溫度過高，AuCl4-的還原速度過快，被還原出來的Au難以快速沉積在SiO2/GNPs表面的GNPs上，而會在生長液中成核生長，反應溶液由無色變至紫紅色，說明溶液中有金納米粒子的形成，不利于GNSs陣列的生長。因此，以下有序GNSs陣列的制備反應都選擇在4℃生長液中反應30 min。

2.2 H2O2濃度對有序GNSs陣列制備的調控

為了研究GNSs陣列在不同生長階段的表面形貌，用掃描電鏡（SEM）對SiO2/GNPs陣列和不同生長階段的GNSs陣列的形貌進行了表征。圖2為在生長液過量條件下，通過控制所用的H2O2濃度得到GNSs陣列在不同生長階段的SEM圖。

圖2 樣品的掃描電鏡圖:（A）SiO2內核直徑為330 nm的有序SiO2/GNPS陣列;在SiO2內核直徑為330 nm,100 μmol·L-1 （B）和 250 μmol·L-1 （C）H2O2 及在 SiO2內核直徑為 180 nm,200 μmol·L-1H2O2（D）下制備的有序 GNSs陣列Fig.2 SEM images of the samples:（A）SiO2/GNPs array with core of 330 nm;（B）GNSs array produced by using SiO2/GNPs array with core of 330 nm upon reaction with 100 μmol·L-1 （B）,250 μmol·L-1（C）H2O2,and SiO2/GNPs array with core of 180 nm upon reaction with 200 μmol·L-1H2O2 （D）

由圖2A可見，在粒徑～330 nm的SiO2表面吸附了大量3～5 nm的GNPs，這些GNPs將為H2O2還原出來的Au提供附著位點；圖2B、C分別為100和 250 μmol·L-1H2O2濃度下反應 30 min 后的GNSs陣列的SEM圖。由此可見，隨著反應體系中H2O2濃度的增加，SiO2/GNPs陣列表面的GNPs將會逐漸長大，直至彼此粘連、成片，并在SiO2表面形成一層完整的金殼層，而隨著H2O2濃度的繼續增加，被還原出的Au還會繼續在金殼層表面堆積，填滿殼與殼之間的間隙。這主要是由于隨著反應的進行，H2O2還原產生的Au選擇性的以SiO2/GNPs表面的GNPs為成核位點不斷進行沉積。因此，反應體系中H2O2的濃度越高，被還原出來的Au就越多，SiO2/GNPs陣列表面的GNPs越長越大，GNPs之間的間距則隨之越來越小，直至SiO2陣列表面形成完整的金殼層。之后，隨著反應的進一步進行，被還原出的Au繼續沉積在GNSs陣列的表面而長成更厚的金殼層，直至將空隙填滿，形成表面粗糙的金納米結構。但如果繼續增大H2O2濃度至超過300 μmol·L-1，此時反應液易由原來的無色變成紫紅色，這可能是由于H2O2濃度過大導致反應速度過快，被還原的Au難以快速沉積在SiO2表面而在溶液中成核生長所致。因此，為調節有序GNSs陣列的可控生長，此反應 H2O2濃度宜控制在 0～300 μmol·L-1之間。此反應對不同的SiO2內核直徑都可適用，圖2D 為在 200 μmol·L-1H2O2作用下，SiO2內核直徑為180 nm的有序GNSs陣列的掃描電鏡圖。

2.3 SiO2/GNPs陣列加入量對有序GNSs陣列制備的調控

為了實現有序GNSs陣列的批量生產，我們研究了在 200 μmol·L-1H2O2濃度，120 mL 生長液作用下加入3～5片 SiO2/GNPs陣列的生長過程，圖3A～C分別為加入 5、4、3片 SiO2內核直徑為 180 nm的SiO2/GNPs陣列的SEM圖。由圖中結構我們發現，當多片進行反應時，只要生長液量足夠，也能形成完整的金殼層（圖3C），但有趣的是，當生長液量不足時，被還原出的Au會先在空隙內生長，而后逐漸形成完整的金殼層，這從圖3A～C可以看出。這主要是由于SiO2表面的GNPs不僅充當了成核位點，也是該反應的催化劑，而由于多片載玻片并列排列，片與片之間間隔較小，隨著生長液的快速攪動，導致形成流體流過，縮短了生長液中HAuCl4與表面GNPs的接觸時間，還原的Au不能及時沉積到GNPs上；相反，生長液進入到SiO2/GNPs陣列空隙內，在里面的停留時間較長，與生長液反應生成的Au先在空隙內及下層SiO2/GNPs陣列的GNPs上成核生長、沉積，這點從圖3D中也可以看出。圖3D為相同條件下加入4片SiO2內核直徑為330 nm的SiO2/GNPS陣列下制備的有序GNSs陣列的掃描電鏡圖，由于SiO2內核增大，核與核之間的空隙增大，可以從圖中清晰的看出下層的SiO2/GNPS陣列表面形成了完整的金殼層。而當載玻片較少，即生長液過量時，此反應會由內慢慢往外延伸至整個SiO2表面，直至形成完整的金殼層，結果如圖3C所示。因此，通過控制反應攪拌速度、反應時間、H2O2及生長液的量等參數可以實現GNSs陣列的批量可控生長。

圖3 在200 μmol·L-1H2O2,120 mL生長液中分別加入內核直徑為 180 nm 的 5 片 （A）,4 片 （B）,3 片（C）SiO2,內核直徑為 330 nm 的 4 片 SiO2（D）的SiO2/GNPS陣列下制備的有序GNSs陣列的掃描電鏡圖Fig.3 SEM images of GNSs array produced by using 200 μmol·L-1H2O2,120 mL K2CO3-HAuCl4upon reaction with 5 （A）,4 （B）,3 （C）tablets of SiO2/GNPs arrays with core of 180 nm and 4 tablets of SiO2/GNPs arrays with core of 330 nm （D）

2.4 中空多孔金納米材料的制備

若將制備的有序GNSs結構放入4%HF溶液中，HF與載玻片及SiO2內核反應，使得有序GNSs結構從載玻片中脫離，并腐蝕掉SiO2內核，形成中空的三維有序多孔金納米薄膜漂浮在溶液表面，其結構如圖4所示。由圖4A、B可知，去除SiO2內核后，材料的正表面沒有明顯的變化，仍保持金納米殼的結構。圖4C為結構的反面，即原附著在載玻片的那面，可以看出明顯的多孔結構，且此結構為多層結構。研究發現，此三維有序多孔金納米薄膜結構層數與SiO2內核有明顯的關系，當SiO2內核尺寸越大，核間間距越大，金納米粒子越容易沉積到下層SiO2表面，從而更易形成多層多孔金納米結構。

圖4 有序GNSs陣列 （A）去除直徑為330 nm的SiO2內核后得到中空多孔金納米材料的正面（B）,反面 （C）,截面 （D）的掃描電鏡圖Fig.4 SEM images of GNSs array with core of 330 nm（A）,porous gold nanostructure of obverse side（B）,reverse side （C）and two sides （D）

2.5 材料的SERS性能

2.5.1 不同生長程度下基底的SERS增強效果

NBA又稱為耐爾藍或硫酸尼羅藍，是一種常見的生物染料分子，由于NBA分子的拉曼信號具有很強的特異性，同時可以與有序GNSs陣列表面緊密結合吸附，因此選擇NBA為拉曼探針分子，以研究GNSs陣列的SERS活性。在NBA的特征峰中，592 cm-1處的強度比較強，它與1 638 cm-1的拉曼位移為NBA中帶正電的氮產生的[22]。為比較不同材料的增強效果，均選取592 cm-1處特征峰強度進行比較。圖5為不同生長程度的GNSs陣列的SERS譜圖，通過控制H2O2濃度以制備不同生長程度的有序GNSs陣列，并以此為SERS基底測其拉曼光譜圖，這些拉曼光譜圖都顯示了NBA分子的特征峰，特別是由帶正電的氮離子產生的位于592 cm-1處峰的增強效果非常明顯。從該圖中可以看出，GNSs陣列生長的程度越大，即制備時所用的H2O2越多，以其為SERS基底的NBA的拉曼信號就越強，意味著該有序GNSs陣列的SERS活性越大。為研究SiO2內核尺寸對SERS活性的影響，分別選用內核為180和330 nm的SiO2制備GNSs陣列，其SERS圖如圖5A所示，由圖可知，2種內核尺寸的有序GNSs陣列的SERS活性都隨加入H2O2濃度的增大而增加， 直至 H2O2濃度為200 μmol·L-1時達到最大，而后繼續增大H2O2濃度，其SERS活性反而有少量下降。圖6A為對應系列H2O2濃度下GNSs陣列的生長過程的紫外-可見吸收光譜圖，可見隨著 H2O2加入量由 0 到 250 μmol·L-1，最大吸收峰發生紅移（由515 nm遷移到682 nm），并伴隨著吸光度的不斷增強。

結合掃描電鏡圖可知，H2O2濃度為 200 μmol·L-1時，SiO2表面已完全被還原的Au覆蓋，并形成了表面粗糙、殼與殼之間間隙較小的有序GNSs陣列，由于粗糙表面的縫隙及殼間間隙所形成的“納米溝”產生的大量 “熱點”使其SERS活性達到最大[23-24]。在此生長過程中SERS活性的增強主要歸結于兩方面的貢獻：（1）表面Au覆蓋率越高，使吸附在金表面的拉曼探針分子數增多；（2）表面Au覆蓋率越高，等離子吸收越強，且表面越粗糙，提供的SERS“熱點”越多，對應的SERS活性也越強。而后繼續增大 H2O2濃度至250 μmol·L-1后， 被還原的Au繼續沉積，將殼間間隙填滿，故殼間間隙所產生的“熱點”消失，SERS活性降低。此后再繼續增大H2O2濃度到 300 μmol·L-1以上，金納米粒子開始在溶液中生長，SiO2表面Au的覆蓋率下降，導致其SERS活性也降低，故選擇最佳H2O2濃度為200 μmol·L-1。 此外，研究發現，SiO2內核尺寸的大小對其SERS活性的影響不大，主要影響取決于材料表面Au的覆蓋量及表面的粗糙程度。

圖5 以1 μmol·L-1NBA為探針分子,在不同濃度H2O2作用下得到的有序GNPs陣列的SERS譜圖Fig.5 SERS spectra of 1 μmol·L-1NBA on different ordered GNPs arrays prepared using H2O2with different concentrations

圖7 為通過調節SiO2/GNPs陣列的加入量控制GNSs陣列的生長所對應的SERS譜圖，由圖可知，在 200 μmol·L-1H2O2濃度，120 mL 生長液作用下加入5片SiO2/GNPs陣列，其SERS活性較弱，加入4片其次，加入3片后達到最強，主要是由于此時生長液足量，材料表面完全被還原的Au覆蓋，同樣可形成表面粗糙、殼間間隙較小的有序GNSs陣列（圖3C），使其SERS活性達到最大。此研究結果表明，在相同條件下，加入的SiO2/GNPs陣列越少，表面沉積的Au越多，使得SiO2/GNPs生長成完整而表面粗糙的金殼層，其顯示的SERS活性也越強，通過控制SiO2/GNPs陣列的加入量同樣可以控制GNSs的厚度和表面形貌使其SERS活性達到最大[24]，說明只要K2CO3-HAuCl4生長液足量，通過調節反應參數，可實現此種SERS基底的批量生產。2.5.2 不同材料的SERS增強效果

圖6 （A）在不同H2O2濃度下SiO2內核直徑為180 nm的GNSs陣列生長過程的紫外-可見吸收光譜圖;（B）對應的吸收峰位移（黑色）及吸收峰強度（紅色）Fig.6 （A）UV-Vis absorption spectra of the GNSs array growth process under a series of H2O2concentration;（B）Corresponding absorption peak displacement（black）and absorption peak intensity （red）

圖7 以1 μmol·L-1NBA為探針分子,在相同條件下加入3～5片有序SiO2/GNPs陣列作用下的反應后產物的SERS譜圖Fig.7 SERS spectra of 1 μmol·L-1NBA on different ordered GNSs arrays prepared by different SiO2/GNPs arrays dosages

為比較不同結構有序GNSs陣列的SERS增強效果，將不同SiO2內核的有序GNSs陣列與中空GNSs陣列同時浸泡在 10 mL濃度為 0.1 μmol·L-1NBA溶液中20 min，取出后自然風干，分別測定拉曼光譜圖，測量結果如圖8所示。從殼的上層測定SERS結果顯示，去除SiO2內核后的中空結構比未去除SiO2內核的有序GNSs陣列具有更強的SERS活性；而去除SiO2內核后的中空結構從反面測其拉曼光譜卻顯示出更低的SERS活性。產生此種現象的主要原因如下：（1）有序GNSs陣列表面粗糙，表面金納米粒子間存在一定的間隙，且殼與殼之間間隙較小，產生了足夠的“熱點”而具有強的SERS活性[25]。（2）從圖4中可看出，去除內核后，材料上表面結構未發生明顯變化，SERS活性仍存在，且中空結構提供了大量的空腔，激光穿透入下層，增強了層與層之間的SERS活性，而且此種中空結構明顯地增大了材料的比表面積，能吸附更多的拉曼探針分子，致使SERS活性得到更大的增強。（3）從去除內核后中空材料的反面看（圖4C），上表面Au的覆蓋明顯減小，減小了金納米粒子之間的SERS活性，且材料孔隙較大，殼與殼之間的SERS活性減弱;同時上表面Au的覆蓋量減小也減小了NBA在上表面的吸附位點，而激光聚焦穿透深度有限，主要增強效果來自上層，使得從材料反面測定其SERS活性整體弱于有序GNSs陣列。

圖8 以0.1 μmol·L-1NBA為探針分子,不同基底的SERS譜圖Fig.8 SERS spectra of 0.1 μmol·L-1NBA on different SERS substrates

圖9 純4-ATP的拉曼光譜 （A）和有序GNSs陣列 （B）,中空GNSs陣列正面 （C）,中空GNSs陣列反面 （D）為基底,以1 μmol·L-14-ATP為探針分子的SERS譜圖Fig.9 （A）Raman spectrum of pure 4-ATP and SERS spectra of 1 μmol·L-14-ATP on ordered GNSs array （B）,and ordered porous gold nanostructure of obverse side （C）,reverse side （D）

研究結果表明，SiO2內核為180和330 nm的有序GNSs陣列材料都顯示出同樣的結果，即SERS活性順序為：有序中空GNSs陣列正面＞GNSs陣列＞反面多孔結構。比較圖8A、B還發現，SiO2內核大小的改變對SERS活性的影響并不明顯。因此，金納米殼材料SERS活性的大小主要取決于以下兩方面：一是材料表面的結構，表面Au覆蓋率越高，表面越粗糙，SERS活性越強；二是材料比表面積，比表面積越大，吸附拉曼探針分子越多，SERS活性也越強。為此，本研究制備的有序中空GNSs陣列綜合了上述兩方面的優點，極大的增強了材料的SERS活性。

為更好地證實此有序中空GNSs陣列的SERS活性，再將不同SiO2內核的有序GNSs陣列與中空GNSs陣列同時浸泡在 10 mL 濃度為 1 μmol·L-1的對氨基苯硫酚（4-aminothiophenol，4-ATP）溶液中 20 min，取出自然風干后分別測其拉曼光譜圖，結果如圖9所示。實驗結果表明中空有序GNSs陣列具有最強的SERS活性，其次是有序GNSs陣列，中空GNSs陣列反面的多孔結構SERS活性最弱。

2.5.3 SERS增強因子計算

為進一步研究材料的SERS增強活性，采用分析增強因子 （analytical enhanced factor，AEF）對其SERS增強因子進行計算，計算公式如下[26]：

其中，ISERS代表了有SERS增強基底時所得光譜中某一特征峰的強度；IRS代表在沒有SERS基底時所得光譜中同一特征峰的強度；CSERS和CRS分別代表了各自測定的濃度。所有測定條件如激光波長、激光功率、激光光斑、聚焦模式等均一致。計算選用NBA為拉曼探針分子，選擇CRS=0.01 mol·L-1和CSERS=0.1 μmol·L-1下對應的 592 cm-1處的特征峰強度為比較對象進行計算，其特征峰強度IRS為1 203 counts，ISERS如圖8所示,計算后對應AEF值列在表1中。

表1 不同SERS基底的AEFTable 1 AEF calculated for different SERS substrates

3 結 論

采用金種子生長法，以H2O2為還原劑，還原HAuCl4成Au沉積在SiO2膠體晶體模板表面制備出三維有序GNSs陣列，并以此為SERS基底研究了其生長過程中SERS活性的改變。結果表明，通過控制反應時間、反應溫度、還原劑H2O2及生長液K2CO3-HAuCl4的量等參數可實現三維有序GNSs陣列的可控批量制備，并可根據需要去除SiO2內核得到中空有序GNSs結構。研究發現，材料的SERS性能與其殼層厚度及表面形貌密切相關，且去除SiO2內核后的中空有序GNSs結構顯示出更優異的SERS活性。此制備方法簡單、高效，整個制備過程無需復雜昂貴的儀器，得到的有序GNSs陣列及其中空結構可作為良好的SERS基底應用于食品安全監控、痕量分析、生化分析等諸多領域。

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