何戎根,陳建榮
(空間電子信息技術研究院陜西西安 710100)
移相器是一個兩端口網絡,用于提供輸出信號與輸入信號之間的相位差,通常可分為模擬式移相器與數字式移相器。其中模擬移相器可提供在一定范圍內連續變化的相移,廣泛應用于雷達系統及轉發系統。本設計用于預失真線性化器,用來避免MMIC芯片移相器帶來的時延問題。因用于星載,故對其插入損耗、移相能力和電路尺寸等均有較高要求[2-3]。文獻[3]設計的移相器,插損平坦度小于1 dB,其通過并聯阻抗的方法以大插損來平衡平坦度,插損達到6.5 dB。文獻[4]設計了工作頻率為29~30 GHz,移相范圍為105°,僅有仿真結果。本文首先介紹反射型移相器基本原理,再給出其電路結構和從理論上分析其主要特性,最后利用專用的微波電路仿真工具進一步驗證。
反射型模擬移相器由90°電橋與變容二級管構成。如圖1所示,電橋的1、4端口分別為信號的輸入、輸出端口。輸入信號平均分配到直通端口2與耦合端口3,經變容二極管到地反射后在隔離端口4處合成輸出。相移量由2、3端口的反射系數決定[5-7]。

圖1 反射型模擬移相器原理圖
理想的3 dB分支線電橋的散射參數矩陣為:

因此2、3端口終端負載阻抗為ZL=jX,歸一化阻抗為。此時,反射系數相位,由此可見在負載阻抗X變換時,反射系數相位隨之變換,以Skyworks公司變容二極管SMV2019-079LF為例,在反偏電壓為0~20 V時,其反射系數相位改變量為如圖2所示。

圖2 二極管反射系數相移
若僅依靠改變電容來達到移相目的,其移相量遠遠不夠,通常采用增加調諧枝節及并聯多個變容二極管來增加相移量。通過增加枝節可以使反射系數的實部與虛部同時產生較大的改變,從而擴大反射系數相位可變范圍。由以上的公式同樣可以看出,在偏置電壓改變時,變容管電抗值X在不斷改變,因此也會導致插入損耗不斷變化,為了減弱這種變化,通常與變容管并聯一個電阻,當其阻值滿足一定條件時可以使插入損耗變化范圍達到最小[3]。
分支線電橋是反射型移相器的重要組成部分。通常采用傳統的方形分支線電橋形式[8-10],為了減少微帶線直角拐彎引起的諧振,本文采用環形正交分支線電橋。與傳統分支線電橋相比,它有隔離度高,回波損耗小,輸出端口幅頻相位差小的特點。環形正交分支線電橋結構如圖3所示。

圖3 環形正交分支線橋結構
采用相對介電常數9.9,損耗角正切0.002的陶瓷作為介質板,根據3 dB分支線定向耦合器設計理論可知,當輸入輸出傳輸線特性阻抗為50 Ω時,其主線特征阻抗為35.3 Ω,支線特征阻抗為50 Ω。
中心頻率為18.45 GHz時,四分之一波長支線寬度為0.24 mm,長度為1.56 mm,主線寬度為0.46 mm。環形耦合器主線和支線的弧度均為,由弧長公式l=θr。可以得到圓弧半徑的初始值,此值為弧形帶中心弧線的半徑,再根據主線和支線的不同寬度可以建立此模型,大小為4.04 mm×4.04 mm。
利用三維電磁計算軟件HFSS(High Frequency Structure Simulator)仿真結果如圖4所示。
在設計要求的17.7~19.2 GHz頻帶內,輸入端口1的反射系數均大于25 dB,輸出端口2、3幅頻小于0.25 dB,相位差為90o±0.4o,隔離端口4的隔離度大于25 dB,均滿足設計要求。
根據反射型移相原理,在變容二極管前加入調諧網絡,其主要作用是提高移相量,保證插入損耗及色散量保持在較小的值。移相器采用微帶電路實現,基板采用陶瓷基片,其相對介電常數為9.9,介質板厚度為0.254 mm,損耗角正切0.002,金屬導帶采用金,厚度T=0.005 mm,如圖5所示。

圖4 電橋仿真特性圖

圖5 移相器結構
移相器采用兩對變容二極管,通過優化調諧枝節來增加移相量,從圖上結構可以看出,由于變容管采取反偏加點,其加電枝節可以無需采用隔直流結構,直流電源不會對交流頻率信號產生影響。
仿真結果如圖6所示,由仿真結果可以看出,在不同的偏置電壓下,移相器1端口反射系數均能保持在-20 dB以下。以5 V偏置電壓為例,其插入損耗在頻帶范圍內為2.0~3.0 dB,增益不平坦度為1 dB。從圖6(c)可以看出在偏置電壓由0~20 V可以調節160°的相移。

圖6 移相器仿真結果
本文按照反射型移相器基本原理,設計出一款Ku波段電壓可調移相器,采用90°正交環形分支線橋改善傳統電橋耦合問題。利用枝節匹配增大變容管相移量,最終,仿真結果表明,頻段內反射系數優于-20 dB,插入損耗小于3.5 dB,最大增益不平坦度優于1.5 dB,在電壓0~20 V變化時,移相量160°。