2021年NAND Flash市場競爭加劇

本報訊根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調查，長江存儲（YMTC）已在第一季度將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標是第三季度進入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時出貨給模組廠。考慮到客戶導入的時間，預估長江存儲新產(chǎn)品可能率先影響第四季度Wafer市場合約價，并自2021年起對Client SSD、eMMC/UFS等市場供給產(chǎn)生實質貢獻，在供給增加的情況下，價格下跌的可能性也將提高。

集邦咨詢表示，受到疫情影響，智能手機及筆記本電腦等終端需求將受到不小沖擊，并對NAND Flash主流供應商獲利能力造成影響，抑制未來持續(xù)擴產(chǎn)的幅度。相較之下，長江存儲目前在各類應用的市占規(guī)模仍小，因此受疫情影響較低。當前目標將著重于與OEM進行64層TLC的相關產(chǎn)品導人及提升良率，并趕在今年內送交128層產(chǎn)品樣品，將同時包含TLC以及QLC產(chǎn)品，以擴大客戶基礎。

3D NAND堆棧難度漸增，有利長江存儲縮小差距。隨著3D NANDFlash堆棧達到90層以上，主要供應商在更高層數(shù)蝕刻及堆棧技術的發(fā)展難度逐漸增加。觀察各供應商的技術路線圖，在1XX層的產(chǎn)品世代已有分歧：盡管三星、SK海力士已推出128層產(chǎn)品，但鎧俠/西數(shù)、美光、英特爾的112/128/144層產(chǎn)品要到下半年才會放量，相比前幾代3D NAND產(chǎn)品的發(fā)展進程更久，有利于長江存儲的128層產(chǎn)品迎頭趕上。

除此之外，2019年NAND Flash的價格平均跌幅達46%，導致主要供應商陷入虧損，資本支出因而轉為保守，產(chǎn)出增長規(guī)劃亦刨下歷史新低，這也讓長江存儲有了拉近差距的機會。

2021年長江存儲產(chǎn)能預估占整體NAND Flash約8%。身為新進供應商的長江存儲目前擁有武漢廠，今年目標是成都廠開始投產(chǎn)，并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴產(chǎn)。預期NAND Flash市場競爭將加劇，長期價格面臨持續(xù)下跌的壓力。