外源物質對鎘脅迫下不同品種冬小麥苗期鎘吸收特征的影響

李樂樂，李中陽，吳大付，班卓昊，李寶貴，樊 濤，胡 超，趙志娟，劉 源

外源物質對鎘脅迫下不同品種冬小麥苗期鎘吸收特征的影響

李樂樂2，李中陽1，吳大付2，班卓昊3，李寶貴1，樊 濤1，胡 超1，趙志娟1，劉 源1*

（1.中國農業科學院 農田灌溉研究所，河南 新鄉 453002；2.河南科技學院，河南 新鄉 453003；3.長垣職業中等專業學校，河南 新鄉 453400）

【】分析不同外源物質對不同品種冬小麥苗期Cd吸收和遷移特征的影響及其差異性。通過向含不同質量濃度Cd（10、30 mg/L）的營養液中添加不同質量濃度的Si（28、56 mg/L）、Ca（50、100 mg/L）、Mg（50、100 mg/L）和腐殖酸（5、15 mg/L），在水培條件下研究了籽粒Cd高積累百農419和低積累百農418小麥苗期植株Cd吸收和轉運特征、植株對Ca和Mg的吸收以及根系形態指標的變化。不同品種冬小麥對Cd的吸收存在差異。隨著營養液中Cd質量濃度的升高，不同品種冬小麥根系生長受抑制程度更嚴重。與百農418相比，百農419是喜Ca品種。在低Cd質量濃度時，與CK相比，低Si添加改善百農419根系生長和降低植株Cd量的效果最好，但其他物質添加抑制了其根系生長且高質量濃度腐殖酸處理增加了根系中Cd的累積，同時所有外源物質添加均降低了其根系Ca量；對于百農418來說，加Si和Ca可以促進根系生長且低Si效果最明顯，加Mg和腐殖酸對根系生長影響不明顯，加Si顯著降低了根系和莖葉Cd量，加Ca和Mg只顯著降低了根系Cd量，加腐殖酸對植株Cd量無顯著影響。在高Cd質量濃度時，添加Si可以促進2種小麥根系生長并降低根系和莖葉Cd量，其中低Si和高Si分別對百農419和418根系生長促進效果更好；而其他外源物質添加對Cd毒害基本無明顯緩解效果。與其他處理相比，低質量濃度Cd條件下高Si顯著增加了2種小麥的Cd轉運系數，高質量濃度Cd條件下高Si顯著增加了百農419的Cd轉運系數。相比其他外源物質，添加Si對冬小麥Cd毒害緩解效果最明顯，且品種、Cd質量濃度和Si質量濃度交互作用明顯。

小麥；硅；鎘；鈣；鎂；腐殖酸

0 引言

2014年環保部和國土資源部的聯合公報表明全國土壤環境狀況總體不容樂觀，部分地區土壤污染較重，耕地土壤環境質量堪憂，其中重金屬Cd的污染物點位超標率在所有無機污染物中超標率最高[1]。【研究意義】當作物組織中的Cd積累到一定程度時，會使作物出現生長遲緩、產量下降等癥狀，嚴重時甚至會造成作物死亡[2]。Cd還會通過食物鏈進入人體內，對人體健康造成極大影響[3-5]。添加外源物質可以緩解重金屬Cd對作物的毒害作用，減少Cd在作物體內的富集[6-8]。

【研究進展】已有研究表明不同品種冬小麥對重金屬Cd具有不同的耐受性，通過篩選重金屬Cd低積累冬小麥品種，可以有效緩解重金屬Cd污染問題[9-12]。研究發現，Cd對苗期小麥具有嚴重的毒害作用，而添加不同的外源物質會緩解這種毒害現象[13-14]。Ca是植物生長必需的營養元素，能夠作為第二信使與CaM（Calmodulin）結合偶聯胞外信號與胞內生理生化反應，通過抑制Cd的吸收，促進葉片光合作用及氣體交換速率，維持植物體的含水率、植物葉片光合色素量及礦質營養的平衡，穩定細胞壁、細胞膜結構及誘導特異性基因表達等途徑來提高植物對重金屬Cd毒害等逆境的抗性[15]。同時，Ca可與Cd形成較穩定的與土壤結合的閉蓄態Cd，從而抑制Cd進入生物體；另一方面，Ca可與Cd競爭進入植物細胞，從而降低植物細胞Cd量[16]。Mg也是植物生長必需的營養元素，參與植物根的形成、葉綠素和光合作用的產生以及酶的活化等。Mg還可影響Cd在土壤中的賦存形態以及在植物體內的累積和轉運，進而緩解Cd對植物的毒害作用[17]。Si提高植物對重金屬脅迫抗性的可能機理有以下幾方面：①Si促進根系分泌草酸，降低了Cd在植物體的積累[18]；②Si與重金屬可形成沉淀，降低了重金屬的移動性；③Si促進Ca的吸收和轉運；④Si提高了植物抗氧化系統的防御能力[19]。腐殖酸可與Cd結合形成穩定的絡合物，從而減少生物可利用態Cd，降低植物對Cd的吸收；另外，腐殖酸的添加還可改變土壤結構，進而影響土壤中一系列生化反應，間接影響Cd的毒害作用[20-21]。Zhu等[22]和李麗君等[23]研究發現，使用腐殖酸可以明顯降低土壤中有效態Cd量，并且提高作物的生物量，降低作物中Cd的積累。【切入點】添加不同的外源物質對Cd毒害的緩解作用可能與作物的種類、品種、生長條件等一系列因素有關，前人研究多關注單一外源物質或單一植物品種，而對添加不同外源物質影響富Cd能力不同的冬小麥品種Cd吸收和遷移特征的研究較少?！緮M解決的關鍵問題】本試驗選用前期研究發現的籽粒Cd積累差異明顯的2個小麥品種（籽粒Cd高積累品種百農419和籽粒Cd低積累品種百農418），通過水培試驗，研究不同外源物質對不同品種冬小麥苗期Cd吸收和富集特征的影響，為重金屬Cd污染的修復和治理提供理論依據及參考。

1 材料與方法

1.1 試驗材料與設計

根據前期Cd積累冬小麥品種篩選的大田試驗結果選用了2種小麥（百農419和百農418）進行試驗。選擇籽粒飽滿的小麥種子在75%酒精中浸泡5 min殺菌，再用蒸餾水洗掉殘余的酒精，溫水浸泡1 h后，將種子均勻擺放在帶網格的育苗盤中催芽。待小麥長到二葉一心期時，將其移栽到配制好的改良霍格蘭營養液（購自山東拓普生物工程有限公司）中[24]，成分見表1。每8株小麥放置在1個盛1 L營養液的灰色PVC小桶（直徑10 cm，高20 cm）中。營養液用400 g/L NaOH溶液調節pH值至6.0，小麥在營養液培養2 d后開始試驗。鑒于目前我國土壤Cd污染的嚴峻形勢[25-28]，本試驗營養液中Cd（CdCl2）質量濃度設置了2個水平（10、30 mg/L），縮寫為Cd10和Cd30。通過化學平衡模擬軟件Visual MINTEQ計算pH值6.0營養液中Cd的形態及質量濃度結果表明2種質量濃度下加入的Cd約99.999%存在于溶液中，基本無沉淀。在不同水平的含Cd營養液中添加不同的外源物質，每種外源物質設置2個水平。外源物質Si（Na2SiO3·9H2O）的質量濃度設置為28 mg/L（S1）、56 mg/L（S2），Ca（CaCl2）的質量濃度設置為50 mg/L（C1）、100 mg/L（C2），Mg（MgCl2）的質量濃度設置為50 mg/L（M1）、100 mg/L（M2），腐殖酸（90%黃腐酸）質量濃度設置為5 mg/L（F1）、15 mg/L（F2）。同時在2種Cd質量濃度下設置只添加Cd不添加外源物質的對照（CK），另外還設置了不加Cd不加外源物質的正常營養液CK（Cd0）。共38個處理，每個處理4次重復，總計152個小桶。水培試驗在人工氣候室中進行，溫度25 ℃，光照時間為08:00—18:00。每3天更換1次營養液，處理30 d后收樣。

表1 改良霍格蘭營養液成分

1.2 測定項目與方法

試驗處理30 d后將樣品從營養液中取出，用蒸餾水沖洗后分成根和莖葉[29]。莖葉先在烘箱中105 ℃殺青0.5 h，然后在70 ℃下烘干至恒質量。每個處理隨機挑選3株小麥根系，用WinRHI-ZO 系列植物根系掃描儀進行掃描，得出3株小麥根系總長度、根系總表面積、根系總體積和根尖數之和。然后所有根系烘干，烘干后的樣品用粉碎機（Taisite FW100）磨碎并充分混合均勻裝袋。消煮時稱取0.200 g植物樣加入10 mL濃HNO3，用微波消解儀（Mars CEM 240/50）進行消解，同時做4個空白。消煮液趕酸定容后用原子吸收分光光度計（火焰+石墨爐）（PinAAcle 900，PerkinElmer，美國）測定Cd量。轉運系數=莖葉含Cd量/根系含Cd量。

1.3 數據處理

采用Excel 2007對數據進行整理和作圖，采用SAS 9.2軟件進行單因素方差分析（One-way ANOVA），并對不同處理間的差異進行Duncan多重比較，顯著性水平為＝0.05。采用SPSS 16.0進行三因素方差分析。

2 結果與分析

2.1 不同外源物質對冬小麥根系形態的影響

小麥根系形態指標結果如表2和表3所示，所有指標均為3株小麥一起掃描的結果。在不加Cd不加外源物質的正常營養液中（表2），2種小麥品種的根系生長無顯著性差異。添加不同的外源物質對小麥根系形態指標的影響如表3所示。由表3可知，與正常營養液中根系各形態指標相比，添加2種質量濃度的Cd顯著抑制了2種小麥根系生長。在只添加低質量濃度Cd的營養液中，百農419的根系生長顯著優于百農418；但Cd高質量濃度時二者無顯著差異。

在Cd質量濃度為10 mg/L時，與CK相比，加Si增加了百農419總根長、總根表面積、總根體積和總根尖數，且在低質量濃度Si處理達顯著水平，增幅分別為92.17%、102.75%、113.73%、71.08%；在加Ca、Mg、腐殖酸條件下百農419各根系形態指標均顯著下降，加高質量濃度腐殖酸時降幅最大，分別為75.81%、68.46%、58.80%、70.16%。添加外源物質后百農418各根系形態指標相比CK均上升，加Mg和腐殖酸處理增加不顯著，加Si和Ca處理達到顯著水平，Si的效果顯著優于Ca，且低質量濃度Si增加效果顯著優于高質量濃度，低質量濃度Si時總根長、總根表面積、總根體積和總根尖數分別增加了292.94%、304.92%、320.75%、312.19%。

表2 正常營養液中不同小麥品種根系形態指標

注 表中同列不同小寫字母代表處理間差異顯著（0.05）。

表3 添加不同外源物質或Cd時不同小麥品種根系形態指標

注 表中同列不同小寫字母代表處理間差異顯著（0.05）。

當Cd質量濃度為30 mg/L時，百農419低Si處理各根系形態指標顯著優于不添加外源物質的CK處理，增幅分別為118.75%、133.68%、148.65%、83.76%；高質量濃度Si相比CK只顯著增加了總根長；添加腐殖酸、Ca、Mg的影響不顯著，低質量濃度腐殖酸對根系生長最不利，總根長、總根表面積、總根體積和總根尖數相比CK下降幅度分別為2.21%、6.93%、10.81%、18.66%。與CK相比，只有高質量濃度Si的添加顯著改善了百農418根系各形態指標，高Si時總根長、總根表面積、總根體積和總根尖數增幅分別為93.80%、159.70%、252.94%、42.37%。說明添加外源物質Si可以有效緩解根系Cd毒害現象，低質量濃度Si對百農419兩種質量濃度Cd毒害以及百農418低質量濃度Cd毒害的緩解效果較好，高質量濃度Si對百農418高質量濃度Cd毒害的緩解效果較好。

品種、Cd質量濃度和相同外源物質3個質量濃度的三因素方差分析結果如表4所示。從表4可以看出添加Si條件下，不同處理間根系總根長和總根表面積的差異主要是由Cd質量濃度和外源物質量濃度造成的。添加腐殖酸條件下，品種、Cd質量濃度和腐殖酸質量濃度共同造成了根系形態指標的差異。添加Ca條件下，差異主要是由Cd質量濃度造成的。添加Mg條件下，差異主要是由品種和Cd質量濃度造成的。

表4 根系形態指標的三因素方差分析

注 加粗的數值代表有顯著差異，其中<0.05代表差異顯著，<0.01代表差異極顯著。

2.2 不同外源物質對冬小麥植株Ca和Mg量的影響

不同處理條件下小麥根系Ca和Mg量圖1（a）—圖1（d）所示。在正常營養液中生長的百農419和百農418根系Ca量分別為610 mg/kg和360 mg/kg，根系Mg量分別為999 mg/kg和583 mg/kg，百農419根系的Ca和Mg量明顯高于百農418，說明百農419相比于百農418更喜Ca和Mg。在低Cd條件下，與CK相比，添加外源物質均降低了百農419根系Ca量，對百農419和百農418根系Mg量基本無影響（除了高Si處理），卻增加了百農418根系Ca量（除個別例外）。高Cd條件下，與CK相比，2種質量濃度Si處理均降低了百農419根系Ca和Mg量，而增加了百農418根系Ca量；而所有外源物質添加對百農418根系Mg量無顯著影響。

不同處理條件下小麥莖葉Ca和Mg量圖1（e）—圖1（h）所示。在正常營養液中生長的百農419和百農418莖葉的Ca量分別為1 082 mg/kg和838 mg/kg，莖葉Mg量分別為3 214 mg/kg和2 931 mg/kg。與CK相比，2種Cd質量濃度下不同外源物質添加對百農419莖葉Ca和Mg量基本無顯著影響，除了高Cd條件下高Si處理顯著增加了百農419莖葉Ca量。2種Cd質量濃度下，添加外源物質的百農418莖葉Mg量與CK無顯著差異。在低Cd條件下，高Si和低Ca處理的百農418莖葉Ca量顯著高于CK；高Cd條件下，低Ca和高Ca處理的百農418莖葉Ca量顯著高于CK。

2.3 不同外源物質對冬小麥吸收重金屬Cd的影響

添加不同外源物質對小麥根系和莖葉Cd量的影響如圖2所示。當營養液中不添加外源物質與Cd時，百農419和百農418根系和莖葉中均未檢測到Cd。添加不同的外源物質對2種小麥根系和莖葉Cd量影響不同。隨著Cd質量濃度的升高，2種冬小麥根系和莖葉Cd量均上升。從圖2（a）可以看出，在Cd質量濃度為10 mg/L時，與CK相比，外源Si顯著抑制了百農419根系對Cd的吸收，高Si降幅最大為85.62%；加Ca、Mg的根系Cd量與CK無顯著差異；加腐殖酸反而促進了根系對Cd的吸收，高腐殖酸時根系Cd量相比CK增加最多（43.48%），加重了Cd毒害作用，與根系形態結果一致。在Cd質量濃度為30 mg/L時，添加2種質量濃度的Si以及高質量濃度Mg顯著抑制了百農419根系對Cd的吸收，高Si抑制作用最強，相比CK降低了79.17%；其余處理對根系Cd量無顯著影響。這與根系形態結果不一致，說明高Si雖然沒有明顯改善百農419的根系形態，卻顯著降低了根系吸收的Cd。

圖2 添加不同外源物質時小麥根系和莖葉Cd量

不同外源物質對百農418根系Cd量影響的結果如圖2（b）所示。在Cd質量濃度為10 mg/L時，除腐殖酸外，其他處理相比CK均顯著降低了百農418根系Cd量，高Si的降幅最大為87.59%。在Cd質量濃度為30 mg/L時，添加2種質量濃度Si相比CK顯著降低了百農418根系Cd量，高Si降幅最大為64.24%；另外高Ca處理顯著降低了根系Cd量、高Mg處理顯著增加了根系Cd量。從圖2（c）可以看出，在Cd質量濃度為10 mg/L時，相比CK加Si顯著降低了百農419莖葉Cd量，但2種Si質量濃度無顯著差異，其他處理影響不顯著；Cd質量濃度為30 mg/L時不同處理與CK的差異與低質量濃度Cd類似，但低Si對百農419莖葉含Cd量的降低作用（76.87%）顯著大于高Si。不同外源物質對低質量濃度Cd條件下百農418莖葉Cd量的影響與百農419相似（圖2（d）），相比CK低Si處理對莖葉Cd量降低作用（68.07%）最明顯。在Cd質量濃度為30 mg/L時，相比CK加Ca顯著增加了百農418莖葉Cd量，最大增幅為36.32%（C1）；加Si處理顯著降低了莖葉含Cd量，最大降幅為88.18%（S2）；其余處理條件下無顯著影響。

植株Cd量的三因素方差分析結果如表5所示。由表5可知，添加Si條件下，根系Cd量差異主要是Cd質量濃度和Si質量濃度造成的，莖葉Cd量差異主要是由品種、Cd質量濃度和Si質量濃度造成的。添加腐殖酸條件下，根系Cd量差異主要由是品種和Cd質量濃度引起的，而莖葉Cd量差異主要是由Cd質量濃度引起的。添加Ca條件下，根系Cd量差異主要是由品種、Cd質量濃度和Ca質量濃度導致的，莖葉Cd量差異主要是由品種和Cd質量濃度導致的。添加Mg條件下Cd質量濃度是造成植株Cd量差異的主要因素。

表5 植株Cd量和Cd轉運系數的三因素方差分析

注 加粗的數值代表有顯著差異，其中<0.05代表差異顯著，<0.01代表差異極顯著。

2.4 不同外源物質對冬小麥Cd轉運系數的影響

由圖3可知，在Cd質量濃度為10 mg/L時，百農419的轉運系數普遍高于百農418，高Si處理條件下百農419和百農418轉運系數＞1，顯著高于其他處理條件下百農419和百農418轉運系數。在Cd質量濃度為30 mg/L時，只有高Si處理百農419轉運系數＞1，顯著高于其他處理條件下百農419轉運系數，百農418在所有處理條件下轉運系數均＜1。

植株Cd轉運系數的三因素方差分析結果如表5所示。由表5可知，添加Si條件下，轉運系數差異主要是由品種、Cd質量濃度和Si質量濃度造成的。添加腐殖酸條件下，轉運系數差異主要是Cd質量濃度引起的。添加Ca條件下，轉運系數差異主要是源于Cd質量濃度和Ca質量濃度差異。

圖3 添加不同外源物質時不同品種冬小麥Cd轉運系數

3 討論

根系形態指標是評價作物對Cd耐性的重要指標。當作物生長環境中Cd質量濃度過高會導致作物生長緩慢并矮化，而添加不同外源物質可以緩解這一現象。本研究中2種小麥都是敏感品種，表現為在Cd處理條件下根系生長都受到了明顯的抑制，且隨著Cd質量濃度的升高，抑制作用更明顯，根系以及莖葉含Cd量明顯上升。在低Cd質量濃度時，與CK相比，百農418在各處理條件下各根系形態指標均改善，改善效果表現為：Si＞Ca＞Mg＞腐殖酸；而百農419只在Si處理條件下各根系形態指標優于CK。在高Cd質量濃度時，不同外源物質對2種小麥品種的影響也不同。造成這種差異的原因主要是種內差異[30]。二者對Cd毒害的解毒機制差異可能是導致這種差異的原因之一。吸收到植物體內的Cd會啟動植物的自我保護系統以降低Cd在植株體內的轉運和累積，而這種自我保護系統在不同植物或品種的差異會造成植物的不同器官和不同品種間Cd的積累量不同[31]。在本研究中體現為低Cd無外源物質的CK下，百農418根系Cd量明顯高于百農419，而百農419的轉運系數高于百農418。另一個可能的原因是二者對Ca的需求量不同。百農419需Ca量較多，但所有外源物質添加均導致了根系Ca量減少，其中腐殖酸處理還導致根系累積Cd增加，而百農418根系在添加外源物質后Ca量未下降且Cd量下降，因此百農419的根系生長相對于CK受抑制作用明顯，百農418的根系未受到明顯影響。另外，不同植物或品種根系陽離子交換量、Zeta電位等帶電性質的差異會影響根系對Cd的吸附和吸收[32]，環境條件的改變也會導致植物不同品種對Cd的耐受能力的差異[8]。因此，依據小麥不同品種Cd吸收的差異特性[10-11,33]可以在篩選重金屬低積累小麥品種的基礎上施用合適的外源物質并配合適當的栽培措施降低小麥重金屬超標的風險[34]。

本研究比較了4種外源物質對Cd毒害的緩解效果，但4種物質的效果在2種小麥品種表現不盡相同。不同外源物質中Si對不同品種冬小麥根系和莖葉Cd量降低效果最好，但添加Ca、Mg和腐殖酸并不總是緩解Cd毒害。研究表明，水稻幼苗在Ca質量濃度較低時，Cd在根部和莖葉的量高于Cd單獨處理時[35]，說明Ca在一定質量濃度會促進作物對Cd的吸收，加重Cd的毒害。熊禮明等[36]研究也證明了上述結果。朱華蘭[37]研究表明，缺Mg和Mg過量均不能緩解玉米對Cd的吸收，即Mg對Cd毒害的緩解作用取決于添加Mg的質量濃度。孫梟瓊等[38]研究表明，腐殖酸鈉對冬小麥種子Cd毒害的緩解作用也依賴于添加的質量濃度。這也部分解釋了本研究在一定Cd質量濃度脅迫下添加Ca、Mg和腐殖酸反而降低了各根系形態指標。

轉運系數體現出植物地上部轉運根部重金屬的能力，系數的高低將直接影響植物抵御重金屬毒害的能力。由圖3可知，在CK、F1、F2、S1、C1、C2、M1和M2處理下2種小麥轉運系數均＜1，說明Cd主要積累在根系中，這與前人研究結果[12]相同。而在高質量濃度Si處理下不同品種冬小麥轉運系數＞1，說明加入高質量濃度Si抑制了根系對Cd的吸收，卻提升了Cd向莖葉轉運的能力。也有研究表明加Si可降低Cd轉運系數[39]，與本研究結論不一致，可能是由于本試驗Si添加量較高，而且本研究也證實2種Si添加量下Cd轉運系數有顯著差異。Si并不總是降低Cd轉運系數。有研究表明加Si后Cd在水稻各部位的轉運系數因土壤pH而異[40]。另一個關于大蒜的研究中也發現加Si提高了Cd的轉移系數[41]。另外，加Si對重金屬轉運系數的影響隨著生育期的推進而改變[42]。說明Si對Cd在植物體內轉運的影響還有待進一步研究。另外，低Cd時百農419表現出較強的Cd轉運能力，這與前期大田試驗結果[43]一致，說明在Cd污染土壤中種植百農419有較高風險，可能會導致地上部分和籽粒積累較高的Cd。

4 結論

百農419和百農418均為Cd敏感小麥品種，百農419比百農418對Ca的需求更高。

在Cd質量濃度為10 mg/L時，對于百農419來說，加Si緩解了Cd毒害，但加其他物質無緩解作用；對于百農418來說，加Si同樣緩解了Cd毒害，加Ca促進了根系生長且降低了根系Cd量，加Mg只降低了根系Cd量，加腐殖酸無明顯作用。

在Cd質量濃度為30 mg/L時，加Si促進了2種小麥根系生長并降低了植株Cd量，其中低Si和高Si分別對百農419和百農418根系生長促進效果更好；而其他物質添加對Cd毒害基本無明顯緩解效果。

高Si顯著增加了低Cd條件下2種小麥品種的Cd轉運系數以及高Cd條件下百農419的Cd轉運系數。

因此，不同外源物質對2種小麥品種Cd毒害緩解效果最好的為Si，且存在品種、Cd質量濃度和Si質量濃度的明顯交互作用。

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Cadmium Accumulation in Wheat of Different Varieties at Seedling Stage as Impacted by Addition of Exogenous Elements

LI Lele2, LI Zhongyang1, WU Dafu2, BAN Zhuohao3, LI Baogui1, FAN Tao1, HU Chao1, ZHAO Zhijuan1, LIU Yuan1*

(1. Farmland Irrigation Research Institute, Chinese Academy of Agricultural Sciences, Xinxiang 453002, China; 2. Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China;3. Changyuan Vocational Secondary Professional School, Xinxiang 453400, China)

【】Cadmium (Cd) is one of contaminants found in agricultural soils caused by anthropogenic activities including wastewater irrigation and application of phosphate fertilizers rich in Cd impurities, sludges and composts. In China, Cd contamination comes to the top in soils contaminated by all heavy metals and their metalloids. Since Cd is toxicto all organisms and highly mobile in soil for plants to take up, excessive Cd accumulation in crop tissues could impede its growth and even lead to mortality. Numerous studies showed that adding exogenous substances to soil could alleviate toxic effects of Cd on crops, but if and how their efficacy varies with crop variety remains poorly understood.【】Taking winter wheat as an example, this paper aimed to investigate the effects of exogenous Si, Ca, Mg and humic acid on uptake of Cd by different cultivars and its subsequent translocation at seedling stage.【】Wheat varieties Bainong 419 (419) with high Cd accumulation in grain and Bainong 418 (418) with low Cd accumulation in grain were taken as the model plants. They were grown in hydroponic culture with the Cd content in it spiked to 10 mg/L or 30 mg/L respectively. We added Si, Ca, Mg and humic acid at different rates to the medium and harvested the crops 30 days later. We then measured Cd accumulation and transportation in roots and shoots, as well as root morphology traits.【】Crop absorption of Cd varied with the wheat varieties, and the total length, surface area, volume and tip number of the roots in both varieties decreased with the increase in Cd concentration. Compared to variety 418, variety 419 took more Ca for its root developments. At low Cd concentration and compared to CK, adding Si at low dose improved root growth of the variety 419 and reduced Cd accumulation in its roots and shoots, while adding other elements inhibited root growth; applying humic acid at high dose enhanced Cd accumulation in the roots. It was found that compared to CK, adding any exogenous element reduced Ca content in the roots of the variety 419 when Cd concentration was low. For the variety 418 grown in medium with low Cd concentration, adding Si and Ca was more effective to promote root growth than adding Si alone, while adding Mg and humic acid did not show noticeable effects. Adding Si reduced Cd accumulation in roots and shoots at significant level, while adding Ca and Mg only impeded Cd accumulation in the root. Humic acid did not appear to have a noticeable impact on plant Cd. For the crops growing in medium with high Cd concentration, adding Si boosted root growth of both varieties regardless of its application rate, while in contrast, adding other elements were unable to alleviate Cd toxicity to plants at significant level. Compared with other treatments, adding Si at high does significantly increased the translocation factor (TF) for both varieties growing in medium with low Cd concentration, and it was also effective at boosting the TF for the variety 419 growing in medium with high Cd concentration.【】The most effective conditioner to alleviate Cd toxicity to winter wheat was Si, although its efficacy varies with wheat cultivar, Si application rate and Cd concentration in the medium where the crop grows.

winter wheat; Si; Cd; Ca; Mg; humic acid

X703.5

A

10.13522/j.cnki.ggps.2019467

1672 - 3317（2021）01 - 0079 - 12

2019-12-26

“十三五”國家重點研發計劃項目（2017YFD0801103-2）；中國農業科學院基本科研業務費專項所級統籌項目（FIRI2016-14）；中國農業科學院基本科研業務費專項院級統籌項目（Y2016XT02）；國家自然科學基金青年科學基金項目（41701265）

李樂樂（1994-），男。碩士研究生，主要從事重金屬污染土壤修復研究。E-mail: 13939805310@163.com

劉源（1988-），女。副研究員，博士，主要從事非常規水資源安全利用研究。E-mail: liuyuanfiri88@163.com

李樂樂, 李中陽, 吳大付, 等. 外源物質對鎘脅迫下不同品種冬小麥苗期鎘吸收特征的影響[J]. 2021, 40(1): 79-90.

LI Lele, LI Zhongyang, WU Dafu, et al. Cadmium Accumulation in Wheat of Different Varieties at Seedling Stage as Impacted by Addition of Exogenous Elements[J]. Journal of Irrigation and Drainage, 2021, 40(1): 79-90.

責任編輯：趙宇龍