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柔性OLED器件封裝技術研究進展

2021-12-09 06:38:54侯麗新王亞麗
信息記錄材料 2021年11期
關鍵詞:工藝

樊 迪,黃 達,侯麗新,王亞麗

(中國樂凱集團有限公司 河北 保定 071054)

1 引言

OLED技術又被稱之為第三代顯示和照明技術。目前,在全球廠商持續資金投入與技術研發的推動下,OLED平板顯示技術正趨向于量產技術日益成熟與市場需求高速增長階段[1]。

柔性OLED器件的關鍵核心材料為超薄的有機電致發光層,它對水、氧、熱都極其敏感,這也是導致其穩定性差的原因[2]。氧氣會淬滅三線態激子,直接導致發光量子效率顯著下降。還會氧化空穴傳輸層和發光層的有機材料,導致不飽和雙鍵被打開,器件發光效率和電子空穴傳輸能力下降。水蒸氣容易使發光層中的有機半導體發生水解反應。電極使用的金屬非常活潑,既容易被氧化,又容易與滲透進來的水蒸氣發生反應被水解[3]。柔性器件因其襯底材料的特殊性,水氧阻隔能力相比剛性材料更差,對封裝的要求更高。對柔性OLED器件進行嚴格封裝,是延長器件壽命、提高器件穩定性的必要條件,是實現柔性OLED器件量產的必經之路。

在這篇綜述中,我們主要介紹了柔性OLED器件封裝技術研究進展,為柔性OLED器件提供了多元化的封裝技術,主要包括在線封裝技術和離線封裝技術兩大類,為實現高性能柔性OLED器件提供有效途徑與保障。

2 封裝技術研究概況

OLED器件對封裝具有極為苛刻的要求,實用化OLED器件通常要求其水汽透過率(waterVapor transmission rate,WVTR)低于10-6g/m2/day且氧氣透過率(oxygen vapor transmission rate,OVTR)低于 10-5cm3/m2/day[4-5]。

目前封裝柔性OLED器件通常有兩種方法,一種是在線封裝,即在柔性OLED器件金屬電極表面直接鍍制無機有機交替阻隔層[6],見圖1所示;這種方式也是現在較為主流的封裝方式,其優點是避免了OLED器件破真空的工序,能夠避免金屬電極接觸水、氧、灰塵等雜質,可以保證OLED器件長壽命的性能要求。但是在線封裝整體來說工藝更加復雜,不易實現卷對卷生產,而且在制備阻隔層時在線加工溫度(≥90 ℃)會對OLED器件造成破壞,影響其壽命。當前國內以及國外大部分企業均采用在線封裝技術路線。

圖1 柔性OLED器件在線封裝結構圖Fig1.Online packaging structure for Flexible OLED device

另一種是壓印封裝,即在OLED器件金屬電極表面通過膠/膜貼合一層高阻隔膜,見圖2所示。壓印封裝工藝技術相對簡單,將OLED器件和高阻隔層制備工藝分離開來,方便二者分別優化性能,但封裝時,OLED器件可能會接觸水、氧和灰塵,而且封裝材料也可能會對金屬電極有破壞。由于采用的膠膜沒有阻隔性,封裝器件存在側漏問題,水氧會通過膠黏劑層侵入器件內部對其進行破壞。此外,未充分反應的膠粘劑還有可能與OLED器件發生反應,影響其壽命。

圖2 柔性OLED器件壓印封裝結構Fig2.Embossed packaging structure for flexible OLED devices

3 在線封裝技術研究進展

下文依次介紹幾種比較具有代表性的在線封裝方式。

Barix封裝技術最早開發于美國Vitex System公司,這是一種無機有機交疊的多層封裝結構[7-8]。在制備大尺寸柔性OLED器件過程中,陰極鍍制前膜層表面已經出現一些無法避免的凸起小顆粒[9],因為陰極金屬層很薄,這些凸起的小顆粒足以刺穿陰極造成陰極金屬層針孔,最終導致水氧順著針孔進入器件,對器件造成破壞。Barix封裝在無機層之上涂覆有機層,不僅能填補無機層的針孔,還能夠提升器件的耐彎折性能[10]。采用這種無機有機交疊的多層封裝結構,其透水率可做到10-4~10-6g/m2/day,透氧率可達0.005 cc/cm2/day。

荷蘭Holst[11]采取Barix封裝方式,器件結構如圖3所示。在陰極上先鍍制一層SiN薄膜,SiN薄膜雖然可以覆蓋住金屬層的針孔,但是SiN薄膜本身又會形成新的針孔,在SiN上涂覆一層有機聚合物層對界面進行平坦化處理,可以有效填補SiN層的缺陷,延長水氧進入OLED器件的路徑,有機聚合物還能夠有效地提高器件的耐彎折性能。接著再鍍制一層SiN薄膜,通過增加通道長度來降低針孔對器件的影響,以此實現提高器件的阻隔性的目的。如圖4所示,采用SiN/有機聚合物/SiN結構封裝的器件與單獨一層SiN相比,在相同時間內,黑斑數量可以下降三個數量級,明顯提高阻隔性能,器件抗水氧能力進一步提升。這種工藝能夠通過卷對卷和條縫涂布工藝生產,為大尺寸OLED器件封裝產業化提供了更多的選擇。

圖3 多層結構橫截面示意圖Fig3.Schematic cross-section of multilayered

圖4 黑斑數量隨時間變化關系Fig4.Black spot area in a flexible OLED as a function of time

Samsung Display公司采用無機/有機/無機的Barix結構后,再涂布一層膠黏劑樹脂,最后進行涂層的混合封裝。這種五層式的封裝結構也使封裝效果大大提升。

原子層沉積技術(ALD)被認為是CVD技術的延申,是一種可控的化學反應[12-13]。與CVD不同的是ALD技術把化學反應拆解成了兩個步驟,通過突然充入的大量惰性氣體,讓母體材料在反應到一定程度后分離,去除掉腔室中過量的母體材料,阻止工藝的進一步進行。大部分ALD技術都是二元反應,通過上述方法使得兩種反應物能夠做到可控的定量沉積,可以制備出平滑、連續、無缺陷的薄膜。

Lee[14]提出了一種混合阻隔層,先利用化學氣相沉積(CVD)鍍制一層石墨烯,再用ALD沉積一層Al2O3。與單獨Al2O3層相比,帶混合阻隔層的阻水性及耐彎折性能都有更優異的表現。Lee小組開創了電極材料與無機材料共同作為阻隔層的先河,為OLED器件封裝提供了更廣闊的思路。文獻[15]中介紹到利用ALD先沉積20 nm的Al2O3,再沉積200 nm SiNx作為阻隔層,其透水率減少到0.058 g/m2/day,OLED器件壽命達到260 h。文獻[16]中利用ALD沉積Al2O3和ZrO2作為阻隔層,其透水率可低至4.75×10-5g/m2/day,OLED器件壽命延長至10 000 h。

真空熱沉積技術是傳統的真空鍍膜技術之一,需要設備達到至少10-3Pa。

魏斌[17]提出用真空熱沉積生長的MgF2和ZnS薄膜作為混合阻隔層,器件阻水能力有很大提升。采用三對MgF2/ZnS封裝的黃色OLED器件,在2 000 cd/m2的初始亮度下,無UV樹脂密封的條件下,亮度下降到56%的壽命超過了500 h。有UV樹脂密封的條件下,器件半衰期可達到245小時。使用MgF2/ZnS作為鈍化層,具有良好的透光性,這種封裝方式制備工藝簡單,成本低廉,適用于頂發光結構的OLED器件封裝。

總體來說,在線封裝工藝在向著工藝簡單化、過程可控化、成本低廉化的方向發展。

4 離線封裝技術研究進展

離線封裝技術是在柔性OLED器件金屬電極表面利用封裝膠/膜貼合一層高阻隔膜,整體來說比在線工藝制備難度低。離線封裝技術的優勢是可以將封裝膠/膜與高阻隔膜分別進行性能優化,但是在封裝的過程中柔性OLED器件可能會接觸水氧或灰塵,可能會對柔性器件造成破壞,不利于實現高效率長壽命的目標。

4.1 高阻隔膜

第一代柔性阻隔膜材料以有機薄膜為主,如聚乙烯(PE)、聚酯(PET)、聚偏二氯乙烯(PVDC)等,這些材料自身的結構特性決定了其阻水能力有限。第二代柔性阻隔材料以鋁箔、鍍鋁膜為阻隔層,其阻隔性能優異且制備工藝簡單,但是鋁箔需要具有一定的厚度才能達到阻水要求,阻隔材料的成本升高。鋁箔材質較脆,易在折痕處出現裂紋而影響其阻隔性。此外,鋁箔和鍍鋁膜不透明,限制了其應用的范圍[18]。第三代高阻隔膜的研發起步于20世紀80年代中期,日本三菱樹脂將無機硅蒸鍍到聚乙烯醇、PET、聚酰胺等基材上制備阻隔膜。到2001年,在德國研發的100 kW大功率電子槍的助力下,氧化硅阻隔層取得技術突破,使氧化物阻隔膜的應用得到了快速發展。2007年以后,高阻隔膜的研究開始應用于太陽能電池封裝、OLED及量子點顯示等行業。

阻隔膜層又經歷了單層、雙層和多層結構的演變過程。單層結構阻隔膜的構造簡單、工藝成熟、透光率高,但阻隔性較差;雙層結構阻隔膜工藝簡單、透光率較高,但阻隔性仍然達不到封裝OLED的指標要求;多層結構阻隔膜構造和工藝復雜,聚合物層和有機層多次交疊的結構使其阻隔性高,一般是在柔性基材PET、PEN或PI表面先進行平坦化處理,即涂布一層有機平坦化材料,然后通過PECVD或ALD工藝制作氮化硅、氧化硅或氧化鋁無機阻隔層;接著循環制作有機平坦化層/無機阻隔層,可比肩玻璃阻水阻氧性能,能夠滿足OLED封裝的指標要求。Cho等[19]在PEN基板上沉積AlNx/UVR/AlNx作為阻擋層,并將其用作OLED封裝的柔性基板。在溫度85 ℃,濕度85%RH的條件下進行老化試驗,發現封裝后的OLED器件在750 h后亮度與標準玻璃基板上封裝的器件相比,僅下降9%。

4.2 封裝膠/膜

封裝膠/膜包括封裝膠和封裝膜兩種,封裝膠一般指液體封裝膠黏劑,封裝膜主要是封裝膠膜。

液體封裝膠粘劑通常分為溶劑型和無溶劑型。溶劑很容易對柔性OLED器件中金屬電極、發光層及載流子傳輸材料造成破壞,因此要求封裝膠黏劑無溶劑、UV固化、呈中性不能腐蝕金屬電極。

封裝膠膜分為熱熔膠膜和常溫壓敏膠膜。采用熱熔膠膜進行封裝,需要將膠膜加熱至140 ℃以上,使其受熱達到熔融狀態才能將電池與高阻隔膜粘結起來。但是140 ℃工藝溫度會使基材產生熱變形,同時也會破壞OLED發光層薄膜和其他功能層材料,使器件光電性能大幅衰減。壓敏膠膜兩側均有保護膜,去除保護膜后可以與阻隔膜及OLED器件進行粘結。與熱熔膠膜相比,壓敏膠膜的工藝溫度非常低,室溫條件下層壓復合即可以完成封裝操作,可以避免基材及各功能層受熱產生形變及分解。普通壓敏膠膜一般沒有阻隔性,為防止OLED器件在濕熱環境下,水汽從邊緣側漏,可采用高阻隔壓敏膠膜。因此使用壓敏膠膜要求封裝膠膜能夠低溫或常溫貼合,貼合過程無氣泡產生,膠膜最好有阻隔性。

5 結論

為滿足未來OLED產品的市場需求,外觀上大尺寸化、透明化、柔性化、可任意造型的方向發展,性能上不斷提高出光效率、提升壽命,成本上持續降低。本文介紹了適用于柔性OLED器件封裝技術的研究進展,為柔性OLED器件提供了多元化的封裝技術,為實現高性能OLED器件提供有效途徑與保障。

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