專利名稱:一種采用MOCVD設備制備硫化鉬二維材料的方法

專利申請號:CN201911065724.3

公開號:CN110655111A

申請日:2019.11.04

公開日:2020.01.07

申請人:浙江大學

本發明公開了一種采用MOCVD設備制備硫化鉬二維材料的方法，在Sapphire襯底上多步生長MoS2二維材料，包括：采用Sapphire作為襯底；將Sapphire襯底傳送至MOCVD設備內；MOCVD腔內通入N2氣體；升溫到達恒溫生長溫度，腔內初始壓強為11 998.98 Pa；通入H2S作為硫氣源；通入MO(CO)6作為鉬氣源，形核；分步降低腔內壓強，促使形核晶粒橫向生長，得到生長在Sapphire襯底上的MoS2二維材料。本發明提供的制備方法具有生長工藝簡單、材料厚度可控、質量高等優點。通過本發明提供的制備方法，生長出禁帶寬度可調，可用于柔性芯片應用的MoS2二維材料。