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磁控濺射制備Al-Cu合金薄膜的納米壓痕力學(xué)性能與強(qiáng)化機(jī)制

2022-08-07 01:06:16上官福軍尚海龍馬冰洋李文戈趙遠(yuǎn)濤劉福康于大一
機(jī)械工程材料 2022年7期

上官福軍,尚海龍,馬冰洋,李文戈,趙遠(yuǎn)濤,劉福康,于大一

(1.上海海事大學(xué)商船學(xué)院,上海 200240;2.上海電機(jī)學(xué)院材料學(xué)院,上海 200240)

0 引 言

鋁薄膜具有許多優(yōu)異的性能,在表面技術(shù)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用[1-2]。由于純鋁薄膜的強(qiáng)度和硬度較低,研究人員通常采用向純鋁薄膜中添加合金元素,通過合金元素的固溶以及所帶來的晶粒細(xì)化等強(qiáng)化作用來提高薄膜的力學(xué)性能[3-7]。其中,銅元素的添加不僅可以提高純鋁薄膜的力學(xué)性能,而且還能使薄膜具有良好的電學(xué)性能;因此Al-Cu薄膜常被用作集成電路的內(nèi)連材料,在微電子以及電子封裝領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景,相關(guān)研究報道較多[8-12]。BOUKHRIS等[8]采用射頻磁控濺射方法制備了不同銅含量的Al-Cu合金薄膜,發(fā)現(xiàn)隨著銅含量的增加,薄膜的顯微組織由面心立方(FCC)結(jié)構(gòu)的鋁基固溶體逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)殇X基固溶體和θ相的混合組織,硬度由純鋁薄膜的1 600 MPa提高到5 000 MPa左右(此時銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為22%),展示了良好的強(qiáng)化效果。DRAISSIA等[12]采用磁控濺射方法制備了銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)在0~92.5%的Al-Cu合金薄膜,發(fā)現(xiàn)銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)在0~1.8%時薄膜的顯微組織為單一的鋁基固溶體(α-Al),銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)在1.8%~46.0%時為α-Al和θ相(Al2Cu)的混合組織,銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)在49.1%~66.6%時為α-Al、θ相和Cu3Al相的混合組織,當(dāng)銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)超過66.6%后,薄膜組織又為單一的銅基固溶體(α-Cu);薄膜硬度隨銅含量的增加呈現(xiàn)先升高后下降的趨勢,當(dāng)銅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為49.1%時達(dá)到最大值(約8 000 MPa)。

然而,以上研究大多只涉及了銅含量對Al-Cu合金薄膜顯微組織和力學(xué)性能的影響,較少涉及Al-Cu合金薄膜強(qiáng)化機(jī)制,更沒有分析各個強(qiáng)化因子對強(qiáng)化作用的貢獻(xiàn)值。合金元素的添加除了會造成成分的變化,也會導(dǎo)致晶粒尺寸的改變,對于Al-Cu合金薄膜通常還會發(fā)生第二相粒子的析出[8];細(xì)晶強(qiáng)化、固溶強(qiáng)化以及第二相強(qiáng)化等多個強(qiáng)化因子交織在一起,使得Al-Cu合金薄膜強(qiáng)化機(jī)制的揭示變得較為困難。因此,各個強(qiáng)化因子的作用和權(quán)重研究非常重要。作者采用磁控濺射技術(shù)制備不同銅含量的Al-Cu合金薄膜,研究了銅含量對薄膜微觀結(jié)構(gòu)和納米壓痕力學(xué)性能的影響規(guī)律,并分析了細(xì)晶強(qiáng)化、固溶強(qiáng)化和第二相強(qiáng)化在Al-Cu合金薄膜強(qiáng)化中的作用和權(quán)重,揭示了Al-Cu合金薄膜的強(qiáng)化機(jī)制。

1 試樣制備與試驗方法

采用ANELVA SPC-350型多靶磁控濺射儀制備Al-Cu合金薄膜。鋁靶和銅靶的直徑均為76 mm,純度為99.99%,分別由直流和射頻陰極控制。不銹鋼基片經(jīng)拋光、超聲清洗并干燥后裝入真空室的基片架上,基片與靶的距離均約為50 mm。抽真空,當(dāng)達(dá)到5×10-4Pa的背底真空度后,向真空室內(nèi)充入純度為99.999%的氬氣,并維持其壓力為0.6 Pa不變,在此環(huán)境下制備薄膜。在濺射過程中,將鋁靶的電流保持在0.5 A,通過改變銅靶功率來改變銅含量,銅靶功率分別取0,5,10,15,20,25 W,通過控制沉積時間將薄膜厚度控制在2 μm。濺射過程中基片不施加負(fù)偏壓也不加熱,其轉(zhuǎn)速維持在20 r·min-1。采用OXFORDINCA型X射線能量分散譜儀(EDS)測定合金薄膜中的銅含量,在薄膜上選取多個區(qū)域進(jìn)行測定并取平均值。測得銅靶功率為0,5,10,15,20,25 W時制備得到的Al-Cu合金薄膜中的銅含量(原子分?jǐn)?shù),下同)分別為0,2.2%,4.2%,6.5%,8.9%,11.8%。

采用Rigaku D/max-2550/PC型X射線衍射儀(XRD)分析薄膜的物相組成,采用Scherrer公式,由XRD譜中Al(111)衍射峰半高寬的變化計算得到晶粒尺寸,并根據(jù)Al(111)衍射峰位置的變化計算晶面間距。用JEM-2100F型場發(fā)射透射電子顯微鏡(TEM)觀察薄膜中的晶粒形貌,并采用ImageJ軟件分析晶粒尺寸。采用Fischerscope H100VP型微力學(xué)探針進(jìn)行納米壓痕力學(xué)性能測試,采用維氏壓頭,最大壓入載荷為10 mN,測至少20個點取平均值。

2 試驗結(jié)果與討論

2.1 微觀結(jié)構(gòu)

由圖1可以看出:制備的不同銅含量Al-Cu合金薄膜均出現(xiàn)了面心立方結(jié)構(gòu)鋁的衍射峰,并且都存在Al(111)衍射峰較強(qiáng)、Al(200)和Al(220)衍射峰較弱的現(xiàn)象,表明合金薄膜出現(xiàn)了Al(111)面的擇優(yōu)取向;當(dāng)銅含量達(dá)到8.9%和11.8%時,薄膜中還出現(xiàn)了AlCu化合物相的衍射峰;隨著銅含量的增加,Al(111)衍射峰強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)而Al(200)和Al(220)衍射峰強(qiáng)度緩慢減弱,表明薄膜擇優(yōu)取向程度增大,同時各衍射峰均發(fā)生寬化,表明薄膜的晶粒尺寸減小;與未添加銅的純鋁薄膜相比,添加銅所得的Al-Cu合金薄膜的衍射峰均向大角度方向發(fā)生偏移,這是由于半徑較小(0.128 nm)的銅原子在半徑較大(0.143 nm)鋁晶格中固溶導(dǎo)致鋁晶格收縮造成的;隨著銅含量的增加,Al(111)衍射峰向大角度方向的偏移程度先增大,當(dāng)銅含量高于6.5%后,相比于銅含量為6.5%又略微向小角度方向發(fā)生偏移,這是因為當(dāng)銅含量高于6.5%后形成了AlCu化合物相,導(dǎo)致固溶于鋁晶格內(nèi)的銅原子含量降低,晶格收縮程度減小。

圖1 不同銅含量Al-Cu合金薄膜的XRD譜Fig.1 XRD patterns of Al-Cu alloy films with different copper content

由圖2可以看出,純鋁薄膜的晶粒尺寸約為126.5 nm,隨著銅含量的增加,Al-Cu合金薄膜的晶粒尺寸逐漸降低,當(dāng)銅含量增加至11.8%時,晶粒尺寸降低至34.7 nm。

圖2 由Scherrer公式計算得到Al-Cu合金薄膜的晶粒尺寸與銅含量的關(guān)系曲線Fig.2 Curve of grain size vs copper content of Al-Cu alloy films calculated by Scherrer formula

由圖3可見:Al-Cu合金薄膜的晶粒尺寸隨銅含量增加逐漸減小,與Scherrer公式計算結(jié)果保持一致;純鋁薄膜的平均晶粒尺寸約為120 nm,銅含量分別為4.2%,8.9%時Al-Cu合金薄膜的晶粒尺寸分別降至約80,50 nm,這一結(jié)果與Scherrer公式計算結(jié)果基本相當(dāng)。

圖3 純鋁薄膜和不同銅含量Al-Cu合金薄膜的TEM明場像及統(tǒng)計得到的晶粒尺寸分布Fig.3 TEM bright images and statistically obtained grain size distribution of pure aluminum film (a) and Al-Cu alloy films with different copper content (b-c)

由圖4可以看出,Al-Cu合金薄膜的Al(111)晶面間距隨銅含量的增加先減小后增大,當(dāng)銅含量為6.5%時最小。晶面間距的減小是由于銅原子固溶于鋁晶格導(dǎo)致鋁晶格收縮形成的,而銅含量高于6.5%后的增大則是由于薄膜中生成了AlCu化合物,降低了鋁晶格內(nèi)的銅原子固溶量,造成鋁晶格收縮程度降低導(dǎo)致的。

圖4 Al-Cu合金薄膜Al(111)晶面間距與銅含量的關(guān)系Fig.4 Relationship between Al(111) interplanar spacing and copper content of Al-Cu alloy films

根據(jù)余瑞璜[13]的固體與分子經(jīng)驗電子理論(EET),晶面間距和鋁晶格內(nèi)銅固溶量之間的關(guān)系如下:

(1)

將上述參數(shù)和圖4中的晶面間距代入式(1),計算得到銅固溶量(原子分?jǐn)?shù),下同)。由圖5可知:當(dāng)銅含量不高于2.2%時,銅幾乎全部固溶于鋁晶格中(平衡態(tài)室溫下銅在鋁中的固溶度小于0.5%);當(dāng)銅含量由2.2%增至6.5%時,銅固溶量相應(yīng)增加,但其值低于銅含量,說明銅原子未能全部固溶于鋁晶格;當(dāng)銅含量高于6.5%時,銅固溶量呈下降趨勢,這應(yīng)是由于薄膜中形成了AlCu化合物,消耗了晶格中的銅所致。

圖5 Al-Cu合金薄膜鋁晶格中銅固溶量與銅含量的關(guān)系Fig.5 Relationship between copper solid solution in aluminum lattice and copper content in Al-Cu alloy films

2.2 納米壓痕力學(xué)性能

由圖6可以看出:隨著銅含量的增加,Al-Cu合金薄膜的納米壓痕硬度快速增加,當(dāng)銅含量達(dá)到11.8%時,納米壓痕硬度由純鋁薄膜的1.6 GPa提高至5.0 GPa,提高約212.5%;合金薄膜的彈性模量隨銅含量的增加幾乎呈線性增大趨勢,但增幅很小,與純鋁薄膜相比,最大僅提高了2.2%。

圖6 Al-Cu合金薄膜的納米壓痕硬度、彈性模量與銅含量的關(guān)系Fig.6 Relationship between nanoindentation hardness (a) and elastic modulus (b) of Al-Cu alloy films and copper content

2.3 強(qiáng)化機(jī)制

上述試驗結(jié)果表明:當(dāng)銅含量不高于6.5%時,Al-Cu合金薄膜主要形成銅原子固溶于鋁晶格中的過飽和固溶體;當(dāng)銅含量高于6.5%,銅原子部分固溶于鋁,部分與鋁反應(yīng)形成AlCu化合物;此外,隨著銅含量的增加,薄膜晶粒尺寸減小。因此,Al-Cu合金薄膜的強(qiáng)化機(jī)制包括細(xì)晶強(qiáng)化、固溶強(qiáng)化和第二相強(qiáng)化3種,則Al-Cu合金薄膜相比于純鋁薄膜的硬度增量ΔHTotal可表示為

ΔHTotal=ΔHgb+ΔHf+ΔHO

(2)

式中:ΔHgb為細(xì)晶強(qiáng)化對硬度增量的貢獻(xiàn)值;ΔHf為固溶強(qiáng)化對硬度增量的貢獻(xiàn)值;ΔHO為第二相強(qiáng)化對硬度增量的貢獻(xiàn)值。

根據(jù)Hall-Petch關(guān)系,ΔHgb可表示為

(3)

式中:α為硬度與強(qiáng)度的換算常數(shù),取3.6;Δσgb為細(xì)晶強(qiáng)化對強(qiáng)度增量的貢獻(xiàn)值;σAl-Cu為Al-Cu合金薄膜的強(qiáng)度;σAl為純鋁薄膜的強(qiáng)度;dAl-Cu,dAl分別為Al-Cu合金薄膜和純鋁薄膜的晶粒尺寸;k為常數(shù),取3.479 GPa·nm-1/2[15]。

根據(jù)Fleischer公式[16],ΔHf可表示為

(4)

G=E/2(1+ν)

(5)

(6)

將試驗測得的各參數(shù)代入式(3)~式(6),計算得到ΔHgb和ΔHf,代入式(2)得到ΔHO。由圖7可以看出:隨著銅含量的增加,ΔHgb逐漸增大,當(dāng)銅含量增至11.8%時達(dá)1.1 GPa左右;ΔHf則隨著銅含量的增加先增大后減小,當(dāng)銅含量為6.5%時達(dá)到最大值0.56 GPa;ΔHO在銅含量低于6.5%時的變化趨勢十分平緩,當(dāng)銅含量高于6.5%時迅速升高,至銅含量為11.8%時達(dá)到1.8 GPa左右;當(dāng)銅含量低于6.5%時,Al-Cu合金薄膜的強(qiáng)化主要來自細(xì)晶強(qiáng)化和固溶強(qiáng)化,二者對硬度增量的貢獻(xiàn)幾乎分別占到了總硬度增量的50%;當(dāng)銅含量高于6.5%時,ΔHO在總硬度增量中的占比迅速上升,ΔHgb和ΔHf則逐步降低,特別是當(dāng)銅含量增至11.8%時,ΔHO幾乎占到了總硬度增量的60%,ΔHgb的占比則降低至30%左右,ΔHf的占比更是降低至10%左右。

圖7 不同強(qiáng)化機(jī)制對Al-Cu合金薄膜硬度增量的貢獻(xiàn)值與銅含量的關(guān)系Fig.7 Relationship between contribution of different strengthening mechanisms to hardness increase of Al-Cu alloy films and copper content

3 結(jié) 論

(1) 采用磁控濺射法制備銅原子分?jǐn)?shù)在0~11.8%的Al-Cu合金薄膜,當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)不高于2.2%時,銅原子幾乎全部固溶于鋁晶格中,當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)由2.2%增至6.5%時,銅原子部分固溶于鋁晶格中;當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)超過6.5%后,薄膜中生成AlCu化合物,使得銅原子固溶量減少;薄膜的晶粒尺寸隨銅含量的增加而減小,當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)增至11.8%時,晶粒尺寸僅為34.7 nm。

(2) 隨著銅含量的增加,Al-Cu合金薄膜的納米壓痕硬度快速增大,彈性模量呈線性平緩增加,當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)增至11.8%時,硬度和彈性模量分別比純鋁薄膜提高了212.5%,2.2%。

(3) 當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)在0~6.5%時,Al-Cu合金薄膜的強(qiáng)化主要來自細(xì)晶強(qiáng)化和固溶強(qiáng)化,二者各占到了薄膜總強(qiáng)化效果的50%左右;當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)超過6.5%后,第二相強(qiáng)化所占比例迅速上升,當(dāng)銅原子分?jǐn)?shù)增至11.8%時,其對硬度增量的貢獻(xiàn)幾乎占到了總硬度增量的60%,細(xì)晶強(qiáng)化和固溶強(qiáng)化的占比則分別降低至約30%,10%。

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