新技術(shù)讓6G半導(dǎo)體導(dǎo)電性增至4倍

日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國康奈爾大學(xué)的研究團(tuán)隊開發(fā)出了用于“6G”的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。研究團(tuán)隊開發(fā)出了去除成膜過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)的方法，把晶體管材料的導(dǎo)電性提高到原來的約4倍。計劃應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。

研究團(tuán)隊開發(fā)出了用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管（HEMT）制造技術(shù)。原來在成膜過程中氮化鋁表面發(fā)生氧化，由此產(chǎn)生的氧雜質(zhì)改變氮化鋁的結(jié)晶，難以獲得高導(dǎo)電性。通過形成非常薄的鋁膜，還原表面的氧化膜，并使其揮發(fā)，解決了這一問題后，導(dǎo)電性將提高到原來的3～4倍。