專利名稱: 一種生長可控的稀土釹摻雜二硒化鉬薄膜材料制備方法

專利申請號: CN201811121638

公開號: CN109182979A

申請日:2018.09.26

公開日:2019.01.11

申請人: 中國計量大學

本發明涉及一種釹摻雜二維層狀二硒化鉬薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：首先通過高純原料鉬、硒、釹的化學氣相輸運反應，制得釹摻雜二硒化鉬的多晶體；接著通過壓制及燒結，制得釹摻雜二硒化鉬的陶瓷靶；將陶瓷靶和清洗過的襯底置入真空腔，通過脈沖激光轟擊所制備的陶瓷靶，控制頻率、時間、功率等因素，獲得不同層數、形貌均勻、面積連續的超薄釹摻雜二硒化鉬薄膜光電材料。所制備的材料在近紅外區域具有發射光譜，可被用于構筑原子級超薄的光電子器件，如電致發光器件、平板波導、探測器等。