CMOS 圖像傳感器及其形成方法

申請號: 202310630542.6

【申請日】2023.05.26

【公開號】CN116435323A

【公開日】2023.07.14

【分類號】H01L27/146

【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司

【發明人】羅清威; 周雨薇

【摘 要】本發明涉及一種CMOS 圖像傳感器及其形成方法。所述CMOS 圖像傳感器中，源極跟隨晶體管的柵極包括位于柵極溝槽內的第一柵極和位于半導體襯底上且與所述第一柵極連接的第二柵極，相對于在半導體襯底上方形成源極跟隨晶體管的柵極，在占據像素平面面積不變的情況下，可以增加所述源極跟隨晶體管的柵極覆蓋的半導體襯底的面積，即增加了源極跟隨晶體管的溝道長度，便于在確保源極跟隨晶體管溝道長度足夠從而確保CMOS圖像傳感器的性能的同時，縮小源極跟隨晶體管所占據的像素平面面積，有利于像素縮小，提升CMOS 圖像傳感器的性能。