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高純度鋁制備技術(shù)與應(yīng)用研究進展

2023-08-28 04:17:32李寒蕾李永春史紹亮胡傳彬郭佳文黃玉芳羅西園龍周國李一凡
大眾科技 2023年7期
關(guān)鍵詞:生產(chǎn)

李寒蕾 李永春 史紹亮 胡傳彬 郭佳文 黃 婷 黃玉芳 羅西園 龍周國 李一凡 黃 奎

高純度鋁制備技術(shù)與應(yīng)用研究進展

李寒蕾1李永春2,3史紹亮4胡傳彬2,3郭佳文5黃 婷4黃玉芳2羅西園6龍周國2李一凡5黃 奎3

(1. 廣西職業(yè)師范學(xué)院,廣西 南寧 530000;2.廣西廣投正潤新材料科技有限公司,廣西 賀州 542800;3.廣西廣投高純鋁科技有限公司,廣西 賀州 542800;4.中國科技開發(fā)院廣西分院,廣西 南寧 530000;5.廣西產(chǎn)研院新型功能材料研究所有限公司,廣西 南寧 530000;6.賀州科技信息網(wǎng)絡(luò)中心,廣西 賀州 542800)

文章主要介紹了高純度鋁的定義、應(yīng)用領(lǐng)域,以及生產(chǎn)高純度鋁的主要方法的工作原理和技術(shù)特點,包括三層液電解法和偏析法。通過對這兩種工藝方法的基本原理進行了較為詳細(xì)的描述和比較,對國內(nèi)高純度鋁生產(chǎn)技術(shù)及應(yīng)用現(xiàn)狀進行了總結(jié)分析,對未來實現(xiàn)高純鋁高效環(huán)保生產(chǎn)進行了展望。

高純鋁;三層液電解法;偏析法;應(yīng)用

引言

根據(jù)國內(nèi)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)(YS/T 275-2018高純度鋁錠、YS/T 665-2018重熔用精鋁錠)和純度劃分,純鋁可以分為原鋁、精鋁、高純鋁,其純度范圍分別為99wt%~99.85wt%、99.9wt%~99.996wt%、高于99.999wt%,為了便于描述,本研究將原鋁、精鋁、高純鋁統(tǒng)稱為“高純度鋁”。由于鋁中雜質(zhì)元素極低,高純度鋁的純度級別通常采用“N”(英文Nine的首字母)來描述。例如,雜質(zhì)元素的總和等于10 ppm,其純度為99.999wt%,即5N;含有5 ppm雜質(zhì)的金屬具有99.9995wt%的純度,因此將純度描述為5N5。各國對高純度鋁的定義有不同的標(biāo)準(zhǔn),比如美國將不同純度的鋁分為5種,而中國分為3種,日本和俄羅斯也分為3種,其他國家高純度鋁的純度范圍均區(qū)別于中國標(biāo)準(zhǔn)[1-3]。以下對高純度鋁的應(yīng)用和生產(chǎn)技術(shù)特點進行介紹。

1 高純度鋁的下游應(yīng)用

純度越高的鋁,具有更加優(yōu)異的高導(dǎo)電性、高導(dǎo)熱性、低磁導(dǎo)率、低溫力學(xué)性能等等[4-7],可應(yīng)用于制造電解電容器、半導(dǎo)體器件、超導(dǎo)體、金屬濺射靶材等高科技產(chǎn)品[8,9]。隨著高端制造業(yè)的發(fā)展以及日漸嚴(yán)苛的環(huán)保政策,高純度鋁(包括精鋁、高純鋁)的需求不斷增長,同時對高純度鋁的純度、提純效率、能耗指標(biāo)的要求也越來越高。

5N以下高純度鋁主要應(yīng)用于制造電解電容器[1]。對于純度3N8~4N8的高純度鋁,超過總量的75%被用作電解電容器用鋁箔,其中陽極箔的純度要求為99.95%,陰極箔的純度要求為99.998%。鋁電解電容器在各種產(chǎn)品和技術(shù)中都有廣泛的應(yīng)用,其中包括軌道車輛、熒光燈和視頻設(shè)備[8]。此外,3N8~4N8高純度鋁具有類似鏡子的表面質(zhì)量,從而獲得非常高的反射指數(shù)表面,使其能夠用于反射器[10,11];另一種用途是作為高溫合金的原料,用于制造火箭推進器和低壓燃?xì)廨啓C等。

對于純度5N+的高純度鋁,超過90%主要應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè),其他應(yīng)用于超導(dǎo)體領(lǐng)域。5N高純度鋁可以應(yīng)用于光電存儲介質(zhì)(如CD、DVD等)制造,還可以通過陰極濺射工藝加工成計算機存儲硬盤的電導(dǎo)體[11]。釷(Th)、鈾(U)含量極低的5N高純度鋁作為濺射涂層應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝的鍵合線,當(dāng)鋁的表面形成氧化層時,可以實現(xiàn)高耐腐蝕性和電絕緣性,這樣的特性允許在集成電路中使用高純度鋁,取代Cu和Au作為晶體管的鍵合線[5,6]。

6N以上高純度鋁主要應(yīng)用于制造磁盤襯底、濺射靶材、液晶顯示器(LCD)面板、有機發(fā)光二級管(OLED)顯示器的陰極、高純氧化鋁、超導(dǎo)體等等。因為高純度鋁的另一個特性是低磁導(dǎo)率,沒有低溫脆性,以及在低溫下增加的強度和塑性[12-15]。

2 高純度鋁的制備技術(shù)

目前,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)高純度鋁的技術(shù)方法主要有:偏析法、三層液電解法,這兩種方法均可以實現(xiàn)4N8高純度鋁的生產(chǎn),多次偏析提純或者兩種方法串聯(lián)使用可以生產(chǎn)5N、6N高純度鋁[16,17]。其他技術(shù)因為成本高、效率低難以規(guī)模化應(yīng)用,包括真空蒸餾、有機電解、區(qū)域熔煉等[18-21]。

全球生產(chǎn)高純鋁的國家有中國、日本、法國、德國、美國、挪威等,比如美國鋁業(yè)公司、挪威海德魯鋁業(yè)公司采用三層液法生產(chǎn)高純鋁,日本昭和鋁業(yè)、住友化學(xué)、三井鋁業(yè)、日本輕金屬公司普遍采用偏析法生產(chǎn)高純鋁。國內(nèi)高純鋁企業(yè)有新疆眾和、天山鋁業(yè)、中鋁包頭鋁業(yè)、廣西廣投高純鋁等少數(shù)幾家企業(yè)。

2.1 三層液電解法

三層液電解法電解槽的結(jié)構(gòu)如圖1所示。設(shè)備外層由鋼材制成,底部由陽極碳塊以及用于保溫的耐火磚組成。與熔體接觸的側(cè)壁用耐火鎂磚砌筑。在頂部,連接著一個由石墨制成的陰極[3]。

圖1 三層液電解槽結(jié)構(gòu)示意圖

三層液電解法的工藝流程是將商業(yè)級原鋁(99.7%)溶解在銅中,形成Al-Cu(33±3wt% Cu)主合金,該合金用作電池底部的高密度(3.4~3.7 g·cm-3)陽極。中間層由電解質(zhì)(2.7~2.8 g·cm-3)組成,上層則是提取出的高純度鋁(2.3 g·cm-3)。由于每一層存在密度差異以及中間電解質(zhì)層的隔離作用,保證了Al-Cu熔體和高純度鋁層在電解過程中是穩(wěn)定隔離的[16]。隨著高純度鋁通過電解液向上層遷移,需要向鋁銅合金中添加更多的鋁。在這個過程中,銅被用來提高密度,并將熔點降低到-548℃(對于33wt%Cu的共晶成分)。經(jīng)過多次電解循環(huán)后,商業(yè)級鋁中存在的雜質(zhì)仍然集中在陽極中。以Fe為例,其在陽極中的濃度增加會提高主合金的熔點,從而降低電解過程的效率。因此,母合金需要每2~3年更換一次[3]。目前使用的電解質(zhì)通常由氟化物或氯化物組成,如鈉、鋇、鋁、鈣、鎂等。雖然各生產(chǎn)企業(yè)采用的電解質(zhì)成分各不相同,但它們都必須滿足以下要求:密度位于上層高純度鋁層和鋁銅陽極主合金之間、電解溫度下的化學(xué)穩(wěn)定性和低揮發(fā)性、電阻低、熔點略高于高純度鋁、含有金屬元素且活性高于鋁、與電解槽耐火材料弱反應(yīng)。

三層液電解法的提純原理是利用電解液中金屬離子的電極電位差。也就是說,比Al元素的正電性更強的元素,如Fe、Si、Cu和Mn,將留在主合金中,而帶負(fù)電荷的元素,如Na、Ca、Ba和Mg,將與鋁一起電離。然而,Al3+離子會優(yōu)先在陰極析出,而其他離子會留在電解質(zhì)中。采用原料Al-Cu合金層厚度為200~300 mm,電解質(zhì)層厚度為100~200 mm,高純度鋁層厚度為100~150 mm。直流功耗通常為13 000 kWh/t,電流效率為95%~98%[16]。采用三層液電解法得到的高純度鋁極限純度可達(dá)4N8,主要殘留雜質(zhì)為Fe、Si、Zn、Mg、Cu等[16]。

2.2 偏析法

與三層液電解法相比,偏析法具有能耗成本低、產(chǎn)品極限純度高的優(yōu)點,是生產(chǎn)高純度鋁(精鋁、高純度鋁)的最主要技術(shù)之一,目前主要用于原鋁提純制備高純度鋁[4,5]。偏析提純是指利用金屬凝固過程中溶質(zhì)元素在固相與液相中的溶解度差異實現(xiàn)提純,而溶質(zhì)元素分配系數(shù)(公式1)是衡量溶質(zhì)元素理論偏析程度的重要指標(biāo):>1的雜質(zhì)元素在固相金屬中聚集,<1的在液相金屬中聚集。Curtolo、Drapal等利用熱力學(xué)軟件計算了二元系純鋁中雜質(zhì)元素的分配系數(shù),如表1所示[3,6]。

=CS/CL(1)

公式(1)中,CS為溶質(zhì)元素在固相中的含量,CL為溶質(zhì)元素在液相中的含量。

表1 鋁中主要雜質(zhì)元素的分配系數(shù)

元素k元素k Ga0.088Ag0.2~0.3 Ni0.004~0.09Mg0.29~0.5 Ca0.006~0.08Zn0.35~0.47 P<0.01Mn0.55~0.9 Na0.013K0.56 Fe0.018~0.053Sc0.9 Si0.082~0.12Cr1.8 Sb0.09Zr2.3~3 Cu0.15~0.153V3.3~4.3 Au0.18Ti7~11

溶質(zhì)元素分配系數(shù)k定義了金屬凝固過程中理論上可以達(dá)到的提純極限,反映的是特定溫度下金屬凝固過程中固液兩相達(dá)到完全平衡的狀態(tài),這個系數(shù)是基于以下假設(shè)的:固相成分均勻一致,不存在晶內(nèi)偏析;固相在凝固前沿排出的雜質(zhì)元素在液相中完全擴散,液相成分均勻一致。但在實際凝固過程中,由于微觀偏析(包括晶內(nèi)偏析、晶界偏析)和濃度邊界層效應(yīng)是難以避免的,固液兩相中溶質(zhì)元素含量均存在不均勻分布現(xiàn)象。

偏析法又可以分為分步結(jié)晶法、定向凝固提純法、區(qū)域熔煉法,目前廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)的主要包括Pechiney偏析法、冷卻手指法、定向結(jié)晶法、區(qū)域熔煉法。

2.2.1 Pechiney偏析法

日本三井鋁業(yè)公司在法國Pechiney偏析法基礎(chǔ)上改進的偏析法技術(shù),如下圖2所示。該技術(shù)的工作過程是:首先在坩堝中熔化原料鋁,坩堝由幾個單獨控制的加熱器組成;隨后,鋁液在冷卻棒上緩慢冷卻結(jié)晶,從固相中分離出來的雜質(zhì)進入鋁液基體中;當(dāng)結(jié)晶層的厚度足夠大時,冷卻棒向上提升,一個石墨環(huán)將冷卻棒上的這一層高純度結(jié)晶鋁剝離;由于密度的差異,結(jié)晶鋁沉淀在坩堝底部,安裝在冷卻棒底部的搗固器將坩堝底部形成的高純度鋁晶體壓實,并擠壓排出大部分富含雜質(zhì)元素的殘余熔體。以上這一過程反復(fù)多次,直到坩堝底部形成一層一定厚度的高純度鋁。在生產(chǎn)過程中,還要略微提高底部加熱元件的溫度,將先前凝固的高純鋁部分重熔,并通過擠壓以確保先前晶體層之間的殘余熔體被重熔并排出[22]。

圖2 日本三井鋁業(yè)公司采用的Pechiney偏析法示意圖

在Pechiney偏析法生產(chǎn)過程中,當(dāng)達(dá)到所需的生產(chǎn)成品率(通常為40%~70%)時,可以將坩堝傾斜,倒出殘余的熔融鋁,也可以將熔體留到完全凝固。這就需要在后面的工序中鋸切掉所獲得的鋁錠的不純部分[23]。盡管該技術(shù)在生產(chǎn)高純度鋁方面取得了成功,但對溫度和操作條件的微小變化非常敏感,依賴于對許多工藝參數(shù)的精確并行控制,這些參數(shù)直接影響最終產(chǎn)品純度和產(chǎn)量。對于該技術(shù),冷卻氣體流速、熔體溫度和結(jié)晶過程中的底部加熱器溫度是該技術(shù)中最關(guān)鍵的工藝參數(shù),熔體溫度和冷卻體內(nèi)部氣體流速的組合直接決定了熔體中的溫度梯度,這最終影響晶體生長速率和各雜質(zhì)元素分布。此外,底部加熱器的精細(xì)控制對于高雜質(zhì)元素含量的結(jié)晶固態(tài)鋁部分重熔至關(guān)重要。另外,壓力、活塞尺寸、搗固壓實頻率等對生產(chǎn)效率和最終產(chǎn)品質(zhì)量也起著直接作用[22]。

2.2.2 冷卻手指法(Cooled Finge)

另外一種定向凝固提純法是“冷卻手指法(Cooled Finger)”,其技術(shù)主要來自于來自日本昭和鋁業(yè)公司的專利,因工藝簡單、提純加工時間短、成品率高,使其成為生產(chǎn)高純度鋁的主要技術(shù)之一。冷卻手指法的裝置示意圖如圖3所示。

圖3 冷卻手指法(Cooled Finger)示意圖

冷卻手指法裝置主要由一個雙壁的、流體冷卻的旋轉(zhuǎn)鋼軸組成,鋼軸外表面覆蓋著一個陶瓷或石墨套管,該冷卻棒被插入電爐內(nèi)的坩堝中,其中鋁是熔融的并保持在特定的溫度。生產(chǎn)過程中,控制石墨覆蓋的冷卻棒形成必要的溫度梯度,使得高純鋁度鋁在冷卻棒表面結(jié)晶,當(dāng)冷卻棒表面沉積了一定量的高純度鋁后,將冷卻棒從熔體中取出,并收集純化的鋁。

與Pechiney偏析法技術(shù)類似,冷卻手指法需要對冷卻氣體流速和熔體溫度進行非常精細(xì)的調(diào)整,以控制結(jié)晶速率。此外,冷卻棒的旋轉(zhuǎn)被認(rèn)為有助于均勻化熔體中的溶質(zhì)濃度,比自然對流更快地均勻化溶質(zhì)元素。該工藝方法通過強制對流促進位于凝固前沿處的溶質(zhì)向熔體稀釋,從而減少了凝固前沿擴散邊界層的厚度,從而保障了提純效率[24,25]。

2.2.3 定向結(jié)晶法

與任何偏析過程一樣,定向結(jié)晶的主要原理也是通過凝固過程去除雜質(zhì)元素來提純鋁。與其他偏析法工藝不同的是,該工藝是從下往上逐漸凝固鋁液。該技術(shù)的工作原理是在坩堝旁邊使用電阻加熱器來產(chǎn)生驅(qū)動結(jié)晶的溫度梯度,如圖4所示。在某些情況下,在兩個坩堝處放置種晶,以影響結(jié)晶鋁的生長形態(tài)。此外,可以使用冷卻氣體流來冷卻坩堝底部,增加結(jié)晶早期階段的溫度梯度[26]。

圖4 定向結(jié)晶法示意圖

如圖4所示的技術(shù)原理圖,該工藝可以在有強制攪拌和沒有強制攪拌的情況下使用。在無強制攪拌的情況下,晶體生長形態(tài)得到了更好的控制,而熔體的強制攪拌有助于凝固前沿排出雜質(zhì)元素,從而產(chǎn)生更好的凈化提純效果[26]。

影響雜質(zhì)偏析的主要參數(shù)是固體生長速率,而固體生長速率直接受到熔體溫度梯度的影響。該工藝方法的關(guān)鍵工藝參數(shù)主要是加熱器溫度分布的精確組合(通過調(diào)整每個單獨的加熱器)以及坩堝底部的氣體冷卻。在施加強制攪拌的過程中,凝固邊界處的攪拌強度和流場也直接影響雜質(zhì)元素分布。

2.2.4 區(qū)域熔煉法

區(qū)域熔煉法是對進一步提純高純度鋁的有效方法,如圖5所示,通過定向移動感應(yīng)加熱固態(tài)鋁,形成可移動的液相區(qū)域。雜質(zhì)元素從固相中排出,并隨著液相區(qū)域移動并在凝固末端積累,從而達(dá)到提純效果。影響高純度鋁錠純度水平的主導(dǎo)因素包括液相區(qū)長度、加工道次、固液界面移動速度和溫度梯度等因素。有報道稱,通過區(qū)域熔煉提純可以制備7N純度的鋁[21,27]。

圖5 區(qū)域熔煉法示意圖

3 結(jié)束語

近年來,隨著高端制造業(yè)的發(fā)展,高純度鋁(包括精鋁、高純鋁)的需求不斷增長,在實際生產(chǎn)應(yīng)用中,為了實現(xiàn)高純度鋁的低成本制造工藝、高生產(chǎn)效率、靈活應(yīng)用,多個技術(shù)被應(yīng)用和不斷改進。盡管真空蒸餾、有機電解都能實現(xiàn)高純度,但其工作原理決定了以上方法缺乏大批量工業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用所需的生產(chǎn)效率。因此,可以得出結(jié)論,三層液電解法和偏析法仍然是主流的工業(yè)生產(chǎn)方法,但是三層液電解法能耗高,而偏析法生產(chǎn)效率低且生產(chǎn)6N以上高純鋁對原料成分有要求,可見持續(xù)改進高純鋁生產(chǎn)方法仍有實際意義。本文主要介紹了高純鋁的應(yīng)用領(lǐng)域,以及三層液電解法和偏析法的工作原理和特點,通過分析比較不同方法的特點,提出未來實現(xiàn)高純鋁高效環(huán)保生產(chǎn)的建議。

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Research Progress in Preparation Technology and Application of High Purity Aluminum

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high purity aluminum; three-layer liquid electrolysis method; segregation method; application

TQ13

A

1008-1151(2023)07-0077-04

2023-03-05

南寧市新型功能材料技術(shù)創(chuàng)新中心能力建設(shè)(20221021)。

李寒蕾(1978-),廣西邕寧人,廣西職業(yè)師范學(xué)院副教授,研究方向區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展。

李永春,廣西廣投正潤新材料科技有限公司高級管理人員,研究方向為金屬材料加工。

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