用于5G 智能手機(jī)的高隔離度雙頻8 元MIMO 天線(xiàn)

姚 婷,楊雪霞,黃 濤

(上海大學(xué)通信與信息工程學(xué)院,上海 200444)

第五代移動(dòng)通信(5G)已正式投入商用,其主要特征之一是信息的大容量和高速率傳輸[1]。作為5G 的關(guān)鍵技術(shù)之一,多輸入多輸出(MIMO)技術(shù)能夠在不增加頻譜資源的情況下提升天線(xiàn)系統(tǒng)的信道容量和數(shù)據(jù)傳輸速率[2-3]。然而,隨著終端設(shè)備向小型化發(fā)展,留給天線(xiàn)的空間越來(lái)越有限,而天線(xiàn)數(shù)量的增加需要單元緊密排列,由此引發(fā)的強(qiáng)互耦會(huì)影響MIMO 天線(xiàn)性能。另一方面,隨著5G 中3.4～3.6 GHz,4.8～5.0 GHz 頻譜資源的開(kāi)放,要求5G 手機(jī)覆蓋雙頻/多頻,以減少終端內(nèi)部天線(xiàn)個(gè)數(shù)。因此,需要MIMO 天線(xiàn)具有小尺寸、多頻段、高隔離度性能。

常用來(lái)實(shí)現(xiàn)終端天線(xiàn)多頻段的方法有耦合技術(shù)[4-6]、多枝節(jié)技術(shù)[7-8]和加載匹配電路[9]等。Li 等[4]設(shè)計(jì)了耦合饋電的T 型雙頻縫隙天線(xiàn),并通過(guò)正交排布和增大單元間距將陣列隔離度提高至12 dB,但其單元間距過(guò)大,使得MIMO 陣列整體占用空間大。Sim 等[5]采用加載寄生枝節(jié)的方法設(shè)計(jì)了多頻天線(xiàn),但MIMO 陣列的隔離度僅為10 dB。Hu 等[7]采用多枝節(jié)技術(shù)設(shè)計(jì)了雙頻倒F 天線(xiàn),并通過(guò)加載中和線(xiàn)將MIMO 陣列的隔離度提高至12 dB,但其34 mm(0.39λL,λL為3.4 GHz 自由空間波長(zhǎng))的單元間距,使得天線(xiàn)陣列尺寸太大。Chen 等[9]采用加載匹配電路的方法設(shè)計(jì)了雙頻天線(xiàn),在饋電端口處加載由電感和電容構(gòu)成的帶阻電路后,增加了新的諧振頻點(diǎn),但引入了額外的損耗,會(huì)影響天線(xiàn)的輻射效率。除了上述文獻(xiàn)中采用的去耦方法,終端MIMO 天線(xiàn)常用的去耦技術(shù)還包括蝕刻缺陷地[10]、采用正交模式[11]、加載寄生結(jié)構(gòu)[12-13]及電磁帶隙結(jié)構(gòu)[14]等,但上述文獻(xiàn)中的天線(xiàn)單元尺寸較大。

基于以上現(xiàn)狀,本文將倒F 型單極子和縫隙耦合環(huán)路枝節(jié)結(jié)合設(shè)計(jì)了一款雙頻8 元手機(jī)MIMO 天線(xiàn),且通過(guò)在單元間蝕刻T 型缺陷地去耦結(jié)構(gòu),提高了8元MIMO 陣列的隔離度。同時(shí)天線(xiàn)效率高,包絡(luò)相關(guān)系數(shù)(ECC)低,對(duì)5G 智能手機(jī)MIMO 天線(xiàn)設(shè)計(jì)具有應(yīng)用價(jià)值。

1 天線(xiàn)設(shè)計(jì)

1.1 天線(xiàn)結(jié)構(gòu)及雙頻工作原理

所提出的雙頻8 元MIMO 天線(xiàn)陣列結(jié)構(gòu)如圖1 所示。圖1(a)為MIMO 陣列整體排布,系統(tǒng)電路板的尺寸為150 mm×75 mm,其側(cè)邊框的高度為6 mm。邊框與電路板的材料均采用厚度為0.8 mm 的FR4 介質(zhì)基板(εr=4.4,tanδ=0.002)。接地板位于電路板下表面,8 個(gè)天線(xiàn)單元印刷在側(cè)邊框內(nèi)表面和電路板上表面,天線(xiàn)1～4 與天線(xiàn)5～8 關(guān)于電路板短邊中心對(duì)稱(chēng),其中天線(xiàn)1 和2、天線(xiàn)3 和4 分別呈鏡像對(duì)稱(chēng)放置,相鄰單元間距為11.5 mm(0.13λL),在相鄰單元間蝕刻了T 型缺陷地去耦結(jié)構(gòu)。

圖1 (a) 8 元MIMO 陣列排布;(b) 天線(xiàn)單元結(jié)構(gòu);(c) 去耦結(jié)構(gòu)Fig.1 (a) The arrangement of the eight-element MIMO array;(b) The geometry of the antenna element;(c) The geometry of the decoupling structure

天線(xiàn)單元結(jié)構(gòu)和具體尺寸如圖1(b)所示,每個(gè)單元均由一段50 Ω 微帶饋線(xiàn)、倒F 型單極子和縫隙耦合環(huán)路枝節(jié)組成。倒F 型單極子通過(guò)50 Ω 的微帶線(xiàn)直接饋電,縫隙耦合環(huán)印刷在倒F 單極子長(zhǎng)枝節(jié)的正下方,并通過(guò)鄰近耦合饋電方式被激勵(lì)。倒F 型單極子在與地板平行的方向上延伸出一段長(zhǎng)為s的調(diào)諧枝節(jié),該枝節(jié)和地板之間會(huì)產(chǎn)生容性分量,與天線(xiàn)本身產(chǎn)生的感性分量相抵消,因此,調(diào)節(jié)該枝節(jié)長(zhǎng)度能改善天線(xiàn)單元的阻抗匹配。利用仿真軟件HFSS 對(duì)本文所提出的天線(xiàn)進(jìn)行仿真設(shè)計(jì)。

圖2 對(duì)比了不同調(diào)諧枝節(jié)長(zhǎng)度(s=1.6～4.4 mm)的天線(xiàn)單元反射系數(shù)。當(dāng)s較小時(shí),天線(xiàn)僅在高頻處有一個(gè)諧振頻點(diǎn),當(dāng)s增加至2.8 mm,出現(xiàn)低頻諧振點(diǎn),并且諧振頻率隨s的增大向低頻移動(dòng),諧振愈加明顯,低頻阻抗帶寬變寬。但隨著s增大至4.4 mm,諧振深度變淺,這是由于此時(shí)容性分量加載過(guò)多,導(dǎo)致低頻匹配變差。最終選擇調(diào)諧枝節(jié)s的長(zhǎng)度為4 mm,此時(shí),天線(xiàn)單元的高頻和低頻均能實(shí)現(xiàn)良好的阻抗匹配。由以上分析可知,倒F 型單極子的調(diào)諧枝節(jié)主要影響低頻諧振,對(duì)高頻諧振幾乎無(wú)影響。

為了清楚地解釋天線(xiàn)單元實(shí)現(xiàn)雙頻的工作原理,圖3 給出了天線(xiàn)單元在3.5 GHz 和4.9 GHz 時(shí)的表面電流分布。3.5 GHz 時(shí),倒F 型單極子枝節(jié)被激勵(lì),并通過(guò)鄰近耦合激勵(lì)起環(huán)路枝節(jié)的半波長(zhǎng)模式,環(huán)路枝節(jié)使得單極子的諧振頻率向更低頻段移動(dòng),兩者共同作用使得天線(xiàn)在低頻產(chǎn)生諧振;4.9 GHz 時(shí),激勵(lì)電流主要分布在耦合環(huán)路分枝上,天線(xiàn)產(chǎn)生高頻諧振。

圖3 不同頻率下天線(xiàn)單元的表面電流分布。(a) 3.5 GHz;(b) 4.9 GHzFig.3 The simulated surface current distributions of the antenna element at different frequencies.(a) 3.5 GHz;(b) 4.9 GHz

1.2 天線(xiàn)陣列排布方式及去耦設(shè)計(jì)

如圖1(a)所示,由于8 元MIMO 陣列天線(xiàn)5～8與天線(xiàn)1～4 關(guān)于電路板短邊中心對(duì)稱(chēng),下文中只對(duì)天線(xiàn)1～4 進(jìn)行討論分析。

由上文可知,天線(xiàn)單元的激勵(lì)電流主要分布在縫隙環(huán)上。因此,若將單元1 和2、單元3 和4 分別鏡像對(duì)稱(chēng)放置,且在鏡像對(duì)稱(chēng)的兩單元間引入去耦結(jié)構(gòu),遏制由縫隙環(huán)枝節(jié)引起的耦合電流,即能夠?qū)崿F(xiàn)高的隔離度。與此同時(shí),單元2 和3 則是背靠背放置,兩單元相鄰近的部分為倒F 型單極子的短彎折枝節(jié),該枝節(jié)上分布的激勵(lì)電流較弱,因此在間隔一定距離時(shí),兩單元間的耦合很弱。通過(guò)以上分析,本文選擇將相鄰兩個(gè)天線(xiàn)單元1 和2、單元3 和4 分別鏡像對(duì)稱(chēng)放置的排布方式,較易實(shí)現(xiàn)更好的隔離性能。

圖4 為MIMO 陣列未增加任何去耦結(jié)構(gòu)時(shí)的S參數(shù)曲線(xiàn)圖。4 個(gè)單元的-6 dB 阻抗帶寬能夠同時(shí)滿(mǎn)足低頻和高頻的要求,單元2,3 之間的帶內(nèi)隔離度在低頻和高頻均能高于15 dB,但單元1 和2、單元3 和之間的低頻隔離度都僅為9.2 dB,且高頻隔離度也僅為11 dB。

圖4 MIMO 陣列未加載去耦結(jié)構(gòu)的S 參數(shù)Fig.4 The simulated S parameters of the MIMO array without decoupling structure

為了提高M(jìn)IMO 陣列的隔離度,在單元間引入了T 型缺陷結(jié)構(gòu),具體結(jié)構(gòu)及尺寸如圖1(c)所示。為了清楚地解釋其對(duì)天線(xiàn)陣列隔離度的影響,圖5 給出了引入該結(jié)構(gòu)前后,只激勵(lì)單元Ant 1 時(shí),在3.5 GHz和4.9 GHz 處天線(xiàn)和接地板上的電流分布情況。由圖5(a)可知,未加載去耦結(jié)構(gòu)時(shí),無(wú)論是低頻還是高頻,在單元Ant 2 上都會(huì)感應(yīng)出明顯的耦合電流,說(shuō)明兩天線(xiàn)單元間存在較強(qiáng)的互耦現(xiàn)象;加載T 型缺陷地結(jié)構(gòu)后,只激勵(lì)單元Ant 1,從圖5(b)可以看到,此時(shí)地板表面波被束縛在縫隙結(jié)構(gòu)周?chē)?單元Ant 2上的感應(yīng)耦合基本消失,說(shuō)明該結(jié)構(gòu)對(duì)地板上的耦合電流起到了很好的束縛作用,去耦效果明顯。單元3,4 和單元1,2 間的去耦分析完全一致,同時(shí),為了將單元2,3 間的隔離度也進(jìn)一步提高,從而提高M(jìn)IMO陣列的整體隔離度,在單元2,3 間引入了同樣的T 型缺陷地結(jié)構(gòu),也能起到遏制耦合電流的作用。

圖5 有無(wú)去耦結(jié)構(gòu)時(shí)天線(xiàn)和地板上的電流分布。(a)未加載T 型缺陷地;(b)加載T 型缺陷地Fig.5 The simulated surface current distributions of the antenna array and ground.(a) Without T-shape ground slot;(b) With T-shape ground slot

圖6 為加載T 型缺陷地去耦結(jié)構(gòu)前后,MIMO 陣列中相鄰兩單元間的隔離度變化曲線(xiàn)圖。可以看出,引入T 型缺陷地結(jié)構(gòu)后,單元1 和、單元3和間的低頻隔離度均從9.2 dB 提升到20 dB以上,單元2 和間的低頻隔離度從17 dB 提升至20 dB 以上,MIMO 天線(xiàn)陣列整體的高頻隔離度從11 dB 提升到15 dB 以上。

圖6 加載去耦結(jié)構(gòu)前后相鄰兩單元間的隔離度Fig.6 The simulated isolations between adjacent elements with/without decoupling structure

2 仿真及測(cè)試結(jié)果

為驗(yàn)證所提出的8 元MIMO 天線(xiàn)陣列,對(duì)其進(jìn)行了加工實(shí)測(cè)。天線(xiàn)實(shí)物如圖7 所示,8 元MIMO 天線(xiàn)陣列中的每個(gè)單元通過(guò)50 Ω 的SMA 同軸連接器饋電,SMA 連接頭位于系統(tǒng)電路板的背面,實(shí)際測(cè)試時(shí),除測(cè)試端口外,其余端口均與50 Ω 匹配負(fù)載相連接,以減少對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(型號(hào)為N5227)測(cè)試了天線(xiàn)的S參數(shù),在微波暗室測(cè)試了天線(xiàn)的效率、增益及輻射方向圖。由于本文的8 元MIMO 陣列關(guān)于電路板短邊中心對(duì)稱(chēng),故只給出一側(cè)4 個(gè)天線(xiàn)單元(Ant 1～4)的仿真和測(cè)試結(jié)果。

圖7 8 元MIMO 天線(xiàn)陣列實(shí)物圖。(a)正面;(b)背面;(c)側(cè)面Fig.7 The photographs of the fabricated eight-element MIMO antenna array.(a) Front view;(b) Back view;(c) Side view

圖8 為8 元MIMO 天線(xiàn)陣列各個(gè)性能參數(shù)的仿真與實(shí)測(cè)結(jié)果圖。圖8(a)為天線(xiàn)單元1～4 的反射系數(shù)曲線(xiàn),可以看出,仿真和實(shí)測(cè)結(jié)果基本一致,-6 dB 阻抗帶寬能夠很好地覆蓋3.4～3.6 GHz 和4.8～5.0 GHz兩個(gè)所需頻段。與仿真結(jié)果相比,實(shí)測(cè)結(jié)果的諧振頻率向高頻偏移了0.05 GHz 左右,該誤差主要是由于天線(xiàn)實(shí)物組裝和接頭焊接產(chǎn)生;圖8(b)為天線(xiàn)單元1～4的仿真和實(shí)測(cè)隔離度,各單元間的帶內(nèi)隔離度在低頻段內(nèi)大于20 dB,在高頻段內(nèi)大于15 dB,實(shí)現(xiàn)了高隔離度性能;圖8(c)為仿真和實(shí)測(cè)的天線(xiàn)效率,在工作頻段內(nèi)所有單元的總效率均大于50%,其3.5 GHz 頻段的效率在50%～70%之間,4.9 GHz 頻段效率在65%～80%之間;圖8(d)為8 元MIMO 陣列仿真和實(shí)測(cè)的天線(xiàn)增益,低頻段內(nèi)峰值增益的變化范圍為1.3～2.6 dBi,高頻段內(nèi)峰值增益的變化范圍為1.6～3.1 dBi,滿(mǎn)足手機(jī)天線(xiàn)的基本要求。

圖9 和圖10 分別為在低頻3.5 GHz 和高頻4.9 GHz 時(shí),天線(xiàn)單元1～4 三個(gè)主平面(xoz、yoz及xoy平面)的仿真和實(shí)測(cè)歸一化輻射方向圖,可以看出,仿真和實(shí)測(cè)結(jié)果較為吻合。通過(guò)觀察兩個(gè)頻點(diǎn)的歸一化輻射方向圖可知,各個(gè)天線(xiàn)單元在三個(gè)主平面上的EPhi和ETheta分量均表現(xiàn)出了良好的互補(bǔ)特性,沒(méi)有同時(shí)為0 的情況,即天線(xiàn)單元在工作頻段內(nèi)的輻射能夠覆蓋全方向。且天線(xiàn)單元1～4 在xoz平面上顯示出互補(bǔ)的輻射方向圖,不同天線(xiàn)的最大輻射方向不同,表現(xiàn)出良好的分集性能;在yoz和xoy平面,4 個(gè)天線(xiàn)單元輻射方向圖較為相似,雖不是嚴(yán)格的全向,但是互相彌補(bǔ),近似表現(xiàn)出全向輻射的效果。

圖9 3.5 GHz 時(shí)8 元MIMO 天線(xiàn)陣列的仿真和實(shí)測(cè)歸一化方向圖。(a)天線(xiàn)1;(b)天線(xiàn)2;(c)天線(xiàn)3;(b)天線(xiàn)4Fig.9 The simulated and measured normalized radiation pattern of the proposed eight-element MIMO antenna array at 3.5 GHz.(a)Ant1;(b)Ant2;(c)Ant3;(d)Ant4

圖10 4.9 GHz 時(shí)8 元MIMO 天線(xiàn)陣列的仿真和實(shí)測(cè)歸一化方向圖。(a)天線(xiàn)1;(b)天線(xiàn)2;(c)天線(xiàn)3;(b)天線(xiàn)4Fig.10 The simulated and measured normalized radiation pattern of the proposed eight-element MIMO antenna array at 4.9 GHz.(a)Ant1;(b)Ant2;(c)Ant3;(d)Ant4

包絡(luò)相關(guān)系數(shù)(Envelop Correlation Coefficient,ECC)是指兩個(gè)天線(xiàn)單元接收信號(hào)的相關(guān)性,是衡量多天線(xiàn)系統(tǒng)分集性能的指標(biāo),其表達(dá)式[15]如式(1)所示。

式中:Sij代表單元i和j之間的S參數(shù);ηrad,i和ηrad,j分別代表單元i和j的輻射效率。圖11 為由式(1)根據(jù)實(shí)測(cè)的S參數(shù)及相應(yīng)單元的輻射效率計(jì)算所得的包絡(luò)相關(guān)系數(shù)。可以看出各單元間的ECC 在工作頻段內(nèi)均小于0.006,滿(mǎn)足手機(jī)MIMO 天線(xiàn)對(duì)ECC 的要求(小于0.5)。

圖11 由實(shí)測(cè)結(jié)果計(jì)算所得的單元間包絡(luò)相關(guān)系數(shù)(ECC)Fig.11 The calculated ECC from the measured results

表1 選取了部分參考文獻(xiàn)中所設(shè)計(jì)的雙頻MIMO天線(xiàn)與本文進(jìn)行對(duì)比。可以看出,本文設(shè)計(jì)的MIMO天線(xiàn)具有較高的隔離度,同時(shí)尺寸小、效率高且ECC極低,能夠很好地滿(mǎn)足5G 智能手機(jī)MIMO 天線(xiàn)的實(shí)際應(yīng)用要求。

表1 天線(xiàn)性能比較Tab.1 Comparison of antenna's performances

3 結(jié)論

本文提出了一種可用于5G 智能手機(jī)的高隔離度雙頻(3.4～3.6 GHz,4.8～5.0 GHz)8 元MIMO 天線(xiàn)陣列。通過(guò)將倒F 型單極子和縫隙耦合環(huán)路分支結(jié)合實(shí)現(xiàn)了雙頻段工作,天線(xiàn)單元尺寸僅為16.3 mm×5.2 mm (0.18λL×0.06λL)。為了減小相鄰天線(xiàn)單元間的互耦,在接地板上引入了T 型缺陷地結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了低頻隔離度高于20 dB,高頻隔離度高于15 dB,具有高隔離性能。工作頻段內(nèi)天線(xiàn)單元效率均大于50%,ECC 均小于0.006,具有極低的包絡(luò)相關(guān)性。本設(shè)計(jì)對(duì)5G 智能手機(jī)MIMO 天線(xiàn)的研究具有很好的參考價(jià)值。