質子輻射對人惡性黑色素瘤A375細胞的DNA損傷影響研究

王巧娟,隋 麗,*,劉建成,汪 越,馬立秋,朱 潤,郭 剛,*

(1.中國原子能科學研究院,北京 102413;2.國家原子能機構抗輻照應用技術創新中心,北京 102413)

黑色素瘤全稱為惡性黑色素瘤,是一種具有高侵襲性、惡性度高、預后差和死亡率高等特點的惡性腫瘤,多發生于皮膚,也會出現在黏膜和內臟。近年來,惡性黑色素瘤的發生率和死亡率逐步上升,雖然皮膚黑色素瘤僅占皮膚惡性腫瘤的第3位(約占6.8%～20%),但其死亡率卻占皮膚惡性腫瘤的第1位[1-2],2020年全球癌癥統計中,新增黑色素瘤病例32萬以上,新增死亡病例5.7萬[3]。此外,2022年《柳葉刀》發表的首個針對我國兒童和青少年癌癥發病率的數據顯示,青少年中惡性上皮癌和黑色素瘤居第一[4]。

黑色素瘤常用的治療方法有手術切除、免疫療法、化療和放射治療,但手術切除會造成部分功能喪失或出現不良并發癥,化療和免疫療法有較高的不良反應發生率[5],黑色素瘤對常規放療高度抗拒,因此,常規放療在黑色素瘤的臨床應用中受到一定限制。隨著核技術的飛速發展,粒子束治療成為治療惡性腫瘤的重要手段之一[6]。質子束同時擁有優越的腫瘤物理劑量分布和良好的生物效應雙重優勢,已成為國際上治療腫瘤的重要物理療法之一[7-11]。國際粒子治療協作委員會(PTCOG)2022年9月發布的最新數據顯示,截至2021年底,全球接受質子重離子治療的患者已超過32萬例,其中接受質子治療的患者近28萬例。因此,質子束在治療具有輻射抗性的黑色素瘤中具有潛在應用價值。已有的臨床數據顯示,質子治療葡萄膜黑色素瘤(一種眼部黑色素瘤),可以達到較高的生存率(5年生存率在80%以上)和較好的預后[12],但這些報道大多都是回顧性或術后隨訪研究,對于質子治療黑色素瘤的具體機理機制的研究較少。

因此,本研究擬利用北京HI-13串列加速器提供的15 MeV質子及標準鈷源提供的γ射線,以人惡性黑色素瘤A375細胞為研究對象,以腫瘤放療中常規分割(約2 Gy)和大分割(通常為3～5 Gy,甚至會高達8 Gy)兩種分割療法中常用的劑量為參考,選擇輻照劑量為1、2、4、8 Gy,以與DNA損傷相關的細胞存活、細胞周期、細胞凋亡以及γH2AX表達為生物學終點指標,開展不同射線對A375細胞損傷效應研究,以期為質子治療黑色素瘤的優化提供基礎數據。

1 實驗材料與方法

1.1 細胞及其培養

人惡性黑色素瘤A375細胞,國家實驗細胞資源共享平臺——協和細胞資源中心;胎牛血清和DMEM培養基,Hyclone公司。

細胞培養:將A375細胞置于含10%胎牛血清的DMEM培養基中,在37 ℃、含5% CO2、飽和濕度的培養箱中培養,細胞增殖至80%～90%融合時進行傳代培養。輻照實驗前24 h將A375細胞接種于培養皿內,用于細胞克隆存活、細胞周期和細胞凋亡實驗;免疫熒光實驗樣品于照射前24 h接種于蓋玻片上,置于培養皿內培養。

1.2 輻照實驗

本研究采用的細胞克隆、細胞周期、細胞凋亡和γH2AX檢測的實驗流程如圖1所示。將A375細胞樣品隨機分為對照組和輻照組,其中,對照組不進行射線誘導,輻照組的照射劑量為1、2、4、8 Gy。對照組和輻照組均設3個平行樣品。

圖1 細胞克隆、細胞周期、細胞凋亡和γH2AX焦點檢測實驗流程圖Fig.1 Flow chart of cell cloning, cell cycle, apoptosis and γH2AX focu detection

1) 質子輻照

A375細胞的質子輻照實驗在北京HI-13串列加速器上進行。加速器引出的15 MeV質子經異步二維磁鐵擴束及均勻化后,從R20支線T4靶室引出,經100 μm封真空膜后引入大氣。質子束流穿過用5 μm mylar膜(滅菌)封口的培養皿,到達細胞表面后質子能量降為13.7 MeV,此時的質子傳能線密度(LET水)為3.6 keV/μm,質子束斑面積為5.0 cm×5.0 cm。

輻照前利用五路塑料閃爍體探測器對質子束流均勻性進行測量,結果顯示均勻性好于97%。然后利用塑料閃爍體探測器S1和CsI閃爍體探測器M在線監測質子注量的相對準確性,通過改變質子注量率,同時監測M和S1在束時60 s內的計數,計算質子注量率,根據式(1)計算照射劑量。調節質子注量率,使照射劑量率為0.8 Gy/min。輻照實驗中以上游的M為監督器,監測樣品的受照注量。

(1)

式中:D為吸收劑量,Gy;F為質子注量,cm-2;ρ為水的密度,g/cm3。

由于質子束流為水平出射,細胞輻照前先將培養皿中的培養基倒掉,然后用PBS潤洗。輻照時將培養皿面向束流進行輻照(圖2,箭頭所指為細胞樣品放置處),輻照完成后立即加入培養基繼續培養。

圖2 HI-13串列加速器的輻射生物效應研究平臺Fig.2 HI-13 tandem accelerator platform for radiation bioeffect research

2) γ射線輻照

A375細胞的60Co γ射線輻照實驗在國防科技工業電離輻射一級計量站的γ射線輻照實驗室進行,γ射線的LET水為0.3 keV/μm,輻照劑量為1、2、4、8 Gy。

1.3 細胞克隆實驗

輻照實驗后,立即收集細胞,計數后以單個細胞狀態接種于培養皿內,置于37 ℃、含5% CO2、飽和濕度的培養箱中培養10 d。采用Giemsa對細胞染色后,統計細胞數大于50 個的克隆數。按式(2)計算克隆形成率:

(2)

其中,PE為對照組的克隆形成率。

根據克隆形成率繪制劑量-細胞存活曲線,利用線性二次方模型進行擬合,其表達式如下:

S=e-(αD+βD2)

(3)

其中:S為細胞存活率;α為線性效應;β為平方效應。

獲取α、β參數后可得到不同射線下細胞的模型方程,采用該方程計算細胞經兩種射線照射后的存活率,以γ射線為標準計算質子的相對生物學效應(RBE)。

1.4 細胞周期和凋亡實驗

細胞周期測試:輻照后12、24、48 h,收集對照組和輻照組細胞,加入1 mL預冷的75%酒精,-20 ℃固定過夜;棄酒精,PBS清洗后收集細胞,根據細胞量,加入50～300 μL PI染液,室溫避光孵育10～15 min,用流式細胞儀檢測細胞周期。

細胞凋亡測試:輻照后12、24、48 h,收集對照組和輻照組細胞,加入預先配置好的Binding Buffer溶液,制成終濃度約為1×106mL-1的細胞懸液;取100 μL細胞懸液,分別加入5 μL Annexin V-FITC和PI染液,混勻后,室溫避光孵育15 min;再次加入100 μL稀釋的Binding Buffer,混勻后立即用流式細胞儀檢測。

1.5 輻射誘導細胞γH2AX表達實驗

以2 Gy的γ射線和質子輻照A375細胞,輻照后0.5、1、2、4、8、24 h收集長有細胞的玻片,PBS洗2遍后,用4 ℃預冷的4%多聚甲醛固定過夜;用0.3% Triton-100破膜后進行PBS清洗,然后使用3%胎牛血清白蛋白(BSA)常溫下封閉1 h;4 ℃孵育抗γH2AX的一抗過夜;用1%BSA清洗后,使用熒光標記的二抗(FITC)室溫避光孵育1 h;利用DAPI對細胞樣品染色后,再用10%甘油封片。免疫熒光標定后,用激光共聚焦掃描顯微鏡40×物鏡觀察γH2AX焦點。

1.6 數據處理

2 結果與討論

2.1 細胞克隆結果

細胞克隆形成實驗是用于檢測細胞增殖能力和對殺傷因素敏感性的重要方法,本研究首先從細胞層次研究了不同射線對A375細胞的殺傷效果。γ射線和質子以0、1、2、4、8 Gy劑量輻照A375細胞后,形成的典型克隆結果如圖3所示,劑量-存活曲線如圖4所示。由圖4可看出,在相同射線輻照下,隨著劑量的增加,γ射線和質子均能導致細胞的存活率下降;與γ射線的結果相比,相同劑量輻照后,質子輻照造成的A375細胞存活率更低,尤其是在4、8 Gy。

圖3 細胞克隆的典型照片Fig.3 Typical pictures of cell clones

圖4 A375細胞劑量-存活曲線Fig.4 Dose-survival curve of A375 cell

通過線性二次方模型S=e-(αD+βD2)擬合,可得A375細胞在γ射線和質子輻照后的細胞存活曲線方程及相應的參數α、β及二者的比值α/β,以及細胞10%存活率所對應的輻照劑量(D10),如表1所列。質子的α值大于γ射線的,說明質子的單擊效應導致A375細胞的死亡率高于γ射線;質子的α/β值較γ射線高得多,說明當細胞受到質子照射后,其基因組穩定性下降,細胞修復能力變差,在1～8 Gy劑量下,與γ射線相比,A375細胞對質子輻照更敏感。而由存活參數D10可知,在相同存活率時,所需的質子劑量低于γ射線的劑量,這也說明質子對A375細胞的殺傷作用大于γ射線。根據RBE的定義,以γ射線為參考,A375細胞10%存活水平下,13.7 MeV質子的RBE值為1.52。

表1 γ射線及質子輻照后A375細胞的克隆存活參數Table 1 Survival parameters of A375 cell after γ-ray and proton irradiation

本研究中,A375細胞的存活率隨劑量的增加(1～8 Gy)而降低,且相比于γ射線,相同劑量的質子輻照后A375細胞存活率更低,該結果與已報道的不同LET的輻射誘導鼠黑色素瘤細胞B16-F0的劑量存活曲線的趨勢一致[13]。這可能是由于與低LET輻射相比,高LET的射線可使細胞DNA產生大比例無法修復的雙鏈斷裂和集簇性DNA損傷,使細胞呈現較低的存活率。質子輻照時的劑量-存活曲線的α和β值更高,表明質子的單擊效應和損傷累積效應更顯著,獲得的RBE10=1.52,較接近重離子的RBE,說明質子有良好的生物學效應特性。

2.2 細胞周期結果

細胞周期是細胞從一次分裂完成開始到下一次分裂結束所經歷的全過程,是細胞增殖過程的控制中心。細胞周期阻滯是細胞對DNA損傷的一種響應方式,當細胞受到外界(如輻射)刺激,引起DNA損傷時會造成細胞周期紊亂。本文以細胞周期為生物學終點指標,檢測不同射線輻照后,A375細胞的周期進程隨照射劑量和照后時間的變化。

流式細胞儀檢測的周期結果如圖5所示,對A375細胞輻照后12、24、48 h的周期分布進行統計,結果示于圖6,圖5中PE-A為PI染色液在流式細胞儀中的通道。由圖5～6可知,對于γ射線,輻照后12 h,1～8 Gy誘導A375細胞G1期和G2/M期阻滯,其中,1～4 Gy時的G1期阻滯與對照組相比具有顯著性差異(P<0.05),在4 Gy時G1期阻滯最強,G1期細胞由對照組的22.56%增加至4 Gy時的42.09%;2～8 Gy時的G2/M期阻滯與對照組相比具有顯著性差異(P<0.05),8 Gy時G2/M期阻滯最強,G2/M期細胞由對照組的19.58%增加至61.05%。輻照后24 h,與對照組相比,輻照組由12 h時的G2/M期阻滯轉為明顯的G1期阻滯,且與對照組相比有顯著性差異(P<0.05),由對照組的34.87%增加至8 Gy時的54.81%。輻照后48 h,與對照組相比,除8 Gy表現為明顯的G2/M期阻滯外,1～4 Gy輻射造成的細胞周期阻滯已基本解除。

a～e——質子輻照后12 h,輻照劑量為0、1、2、4、8 Gy,f～j——γ射線輻照后12 h,輻照劑量為0、1、2、4、8 Gy圖5 流式細胞儀檢測的細胞周期結果Fig.5 Diagram of cell cycle result measured by flow cytometry

與對照組相比,1) P<0.05,2) P<0.01圖6 A375細胞在照后不同時間的周期阻滯結果Fig.6 Cell cycle arrest of A375 cell at different time after irradiation

對于質子輻射,輻照后12 h,輻照組主要表現為G2/M期阻滯,且與對照組有顯著性差異(P<0.05),照射劑量越大,G2/M期阻滯越嚴重,G2/M期阻滯程度由對照組的13.16%增加至8 Gy時的63.67%。輻照后24 h,輻照引起的G2/M期阻滯有所緩解,但1～8 Gy仍表現為G2/M期阻滯,且與對照組相比有顯著性差異(P<0.05);輻照后48 h,2～8 Gy誘導的A375細胞的G2/M期阻滯尚未完全解除,且與對照組相比有顯著性差異(P<0.05)。

通過對比不同射線對A375周期阻滯的程度可以看出,在輻照后12 h,相同射線條件下,輻照引起的A375細胞G2/M期阻滯程度隨照射劑量的增加而增加。隨著照后時間的延長,γ射線造成的細胞周期阻滯在48 h時已基本解除,而質子輻照造成的細胞周期阻滯在48 h時,2～8 Gy引起的G2/M期阻滯尚未完全解除,說明質子誘導的A375細胞G2/M期阻滯較γ射線強。

本研究中,輻照誘導A375細胞的周期阻滯程度具有一定的劑量依賴性。γ射線在低劑量誘導G1期阻滯,高劑量誘導G2/M期阻滯,到48 h時低劑量誘導的周期阻滯已基本解除,8 Gy誘導的G2/M期阻滯有所緩解,但沒有解除。而質子誘導的A375細胞周期阻滯以G2/M期阻滯為主,到48 h時除1 Gy誘導的周期阻滯已基本解除外,2～8 Gy誘導的G2/M期阻滯有所緩解,但沒有解除。說明質子輻射對A375細胞的周期進程影響更大,需要更多的時間來修復損傷。細胞周期阻滯可為DNA損傷修復提供時間,有研究認為正是由于細胞周期阻滯這種細胞的自我保護機制,使得腫瘤細胞能逃避射線的殺傷,進而影響惡性腫瘤的放療效果[14]。

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2.3 細胞凋亡結果

射線引起的細胞增殖死亡與細胞分裂過程密切相關,但究其關鍵,還是靶分子的DNA損傷。當細胞受到外界刺激,誘發DNA損傷時,會啟動DNA損傷應答通路,當DNA損傷不能有效修復時,會發生細胞凋亡。本文以細胞凋亡為生物學終點指標,檢測不同射線輻照后,A375細胞的凋亡率隨照射劑量和照后時間的變化。細胞凋亡率的流式檢測結果如圖7所示,其中FITC-A為FITC染液在流式細胞儀中的通道。對A375細胞輻照后12、24、48 h不同劑量誘導的細胞凋亡進行統計,結果如表2、3所列。

表2 γ射線輻照后12、24、48 h A375細胞凋亡率Table 2 Apoptosis rate of A375 cell induced by γ-ray irradiation after 12, 24 and 48 h

表3 質子輻照后12、24、48 h誘導A375細胞凋亡率的結果Table 3 Apoptosis rate of A375 cells induced by proton irradiation after 12, 24 and 48 h

圖7 細胞凋亡檢測結果Fig.7 Apoptosis detected result

由表2、3可知,A375細胞輻照后12、24、48 h,在相同射線下,在1～8 Gy范圍內,細胞凋亡率隨輻照劑量的增加而增加,具有劑量依賴性,輻照誘導的凋亡率與對照組相比具有顯著性差異(P<0.05)。隨著時間的延長,同種射線誘導凋亡比例逐漸增加,γ射線輻照后,48 h相比于24 h有顯著性差異(P<0.05),而質子輻射誘導的凋亡,輻照后24 h相比于12 h以及48 h均具有顯著性差異(P<0.05)。不同射線輻照相同劑量時,在輻照后12 h,質子輻射誘導的細胞凋亡率與γ射線無顯著差異;輻照后24 h,在1～8 Gy劑量輻照下,質子誘導的A375細胞凋亡率顯著高于γ射線(P<0.05)。輻照后48 h,輻照劑量為1～2 Gy時,質子誘導的細胞凋亡與γ射線無顯著差異,輻照劑量為4～8 Gy時,質子誘導的細胞凋亡顯著高于γ射線(P<0.05)。

細胞凋亡是細胞針對所處環境的某種特定因素而產生的一種應答,電離輻射也是環境因素之一。γ射線和質子輻射對A375細胞凋亡的影響如下:1～8 Gy內,隨著輻照劑量的增加,細胞的凋亡率也顯著升高,具有明顯的劑量依賴性;輻照后48 h內,隨著時間的延長,細胞凋亡率也逐漸升高,具有較明顯的時間依賴性。閔鳳玲等[15]比較了等存活劑量的高LET12C6+離子(70 keV/μm,4.2 Gy)和低LET X射線(1.5 keV/μm,7.5 Gy)誘導A375的細胞凋亡,高LET輻射誘導的凋亡細胞比例增加,細胞凋亡高峰出現在輻照后48～72 h,凋亡率最高約為12%。本研究中,4 Gy的13.7 MeV質子輻照后48 h,A375細胞凋亡比例為10.4%,略低于閔鳳玲等的結果,根據文獻[15]中A375細胞凋亡隨時間的變化趨勢,推測輻照后72 h,4 Gy質子輻照后A375細胞凋亡比例還會有所增加。

目前,已有研究表明細胞周期和細胞凋亡密切相關[16]。綜合分析本研究中不同射線對人黑色素瘤A375細胞的周期和凋亡變化,發現在照后12 h,2、4、8 Gy組均開始出現較明顯的凋亡,并隨時間的延長而逐漸增多,結合細胞周期變化發現,輻照后12 h,γ射線在輻照2 Gy后開始出現明顯G2/M期阻滯,質子在輻照1 Gy后開始出現明顯的G2/M期阻滯,這說明A375細胞在周期阻滯啟動時,有可能細胞凋亡也被啟動。

2.4 A375細胞形成的γH2AX焦點數和大小

在對電離輻射誘導的DNA雙鏈斷裂(DSB)的應答過程中,H2AX是最早被磷酸化的底物,是細胞中感應DNA雙鏈損傷最敏感的分子,可作為DNA DSB損傷的標志物,并且γH2AX焦點數與DSB數基本是1∶1的關系[17-18],能實現DSB的準確定量。為深入研究輻射對細胞DNA的損傷情況,以DNA DSB標志物——γH2AX為生物學終點指標,用免疫熒光檢測A375細胞照射后形成的γH2AX焦點數和大小隨照后時間和射線的變化,結果如圖8所示。

圖8 2 Gy輻照下不同時間點A375細胞中的γH2AX焦點分布Fig.8 γH2AX foci distribution of A375 cell irradiated by 2 Gy at different time points

從圖8a可見,與對照組細胞相比,γ射線輻照后0.5 h,細胞中γH2AX焦點數明顯增加,隨著時間的增加,焦點數呈先增大后減小的變化趨勢,到輻照后24 h,γH2AX表達水平顯著下降,只有在極少數細胞中能觀察到γH2AX焦點。γH2AX焦點在細胞核中的分布較均勻和分散,在焦點數很多的細胞中表現出相同的分布趨勢,體現了γ射線稀疏電離輻射的特點。

從圖8b可見,2 Gy質子輻照后,隨著時間的增加,γH2AX的表達也呈先增加后減小的變化趨勢,與γ射線輻照下的趨勢相同。但在相同時刻,質子輻射誘導A375細胞形成的γH2AX焦點的大小、亮度以及分布規律與γ射線輻照明顯不同,質子誘導的γH2AX在細胞核有些區域十分集中,形成了尺寸較大的大焦點,焦點亮度較大,而且焦點在核內局部區域成簇出現,表現出與高LET射線造成的DSB簇損傷類似的情況。

統計γ射線和質子輻照后不同時間點A375細胞樣品中的γH2AX焦點和細胞數,得到2種射線誘導的平均每個細胞中γH2AX焦點數隨時間的變化,如圖9所示。對于γ射線,輻照后0.5 h焦點數增加到1.2,至1 h時γH2AX表達達到峰值,焦點數增加至7.9,是0.5 h時的6倍以上,而后迅速減少,4 h時的焦點數與0.5 h時的相當,到24 h時焦點數與對照組水平一致,僅有0.056個焦點。質子輻照后0.5 h時,焦點數為3.1,到1 h時達到峰值,焦點數增加至9.6,1～8 h時,焦點數迅速下降,2 h時的焦點數為8.89,較γ射線峰值大,8 h時的焦點數為2.5,8～24 h焦點數減少十分緩慢,24 h時每個細胞中還有1.7個焦點,是γ射線的28倍,表明質子誘導的γH2AX表達持續的時間更長。焦點數的減少過程反映了細胞對DNA DSB損傷的修復水平。γH2AX高表達的持續時間越長,表明細胞進入快速修復的時間越滯后,細胞對DNA DSB損傷的修復能力越弱。

圖9 每個細胞的焦點數與照后時間的關系Fig.9 Relationship between average number of γH2AX foci per cell and time after irradiation

輻射誘導的γH2AX焦點尺寸也能反映DNA的損傷情況,焦點尺寸越大,說明在該區域形成的損傷越復雜并難以修復。圖10為統計得到2 Gy γ射線和質子輻照后不同時間點(0.5、2、8 h)A375細胞γH2AX焦點平均尺寸。γ射線輻照后,0.5、2、8 h焦點尺寸均處于0.4～0.7 μm2范圍內。質子誘導的γH2AX尺寸在2 h時最大,為2 μm2,0.5 h和8 h時焦點平均尺寸均為0.8 μm2。相同照后時間,質子輻射形成的γH2AX焦點尺寸較γ射線大,且有顯著性差異(P<0.05),說明在照后0.5～8 h,質子輻射對A375細胞的DNA損傷更嚴重。

與γ射線相比,1) P<0.05,2) P<0.01圖10 不同LET射線輻照后不同時間點平均每個細胞的焦點尺寸Fig.10 Average focal size of each cell at different time points after irradiation by different rays

DSB損傷形成后,在損傷位點可迅速形成γH2AX焦點,在0.5～1 h達到峰值,然后隨著DSB損傷的修復而逐漸消退,在24 h內迅速下降,并在幾天內下降到基線水平(其修復時間與輻照劑量有關),故γH2AX焦點分析可較準確反映電離輻射誘導的DSB損傷修復,是理想的DSB損傷評價指標[19]。董雋等[20]、王依朝等[21]的研究顯示,輻射誘導細胞DSB損傷后,細胞γH2AX焦點在1 h內迅速達到峰值并隨時間延長而減少,呈現出動力學變化過程。本研究以不同射線誘導細胞DNA損傷,照后1 h出現γH2AX焦點峰值,隨時間的延長,焦點數逐漸減少,反映了DSB損傷修復的動力學修復過程,且LET較高的質子輻射誘導的γH2AX焦點數及尺寸大于LET值較低的γ射線。本研究利用質子誘導的γH2AX焦點尺寸在照后2 h為2 μm2,與前期利用重離子射線(Li和C)誘導的MEF細胞的γH2AX焦點尺寸[22]類似,說明質子可能誘發了DNA較復雜的集簇性損傷,實際觀察到的γH2AX焦點數與DSB數在數量上不完全是1∶1,這有可能是質子誘導的DNA損傷有復雜集簇性損傷,使得多個γH2AX焦點聚集,形成了尺寸較大的γH2AX焦點。由此可見,本文結果與文獻結果基本相符,γH2AX焦點分析可較準確地反映A375細胞受輻射后,DNA DSB的損傷修復過程。

此外,γH2AX不僅參與DNA DSB的識別與修復,還可與p53相互作用,激活細胞周期檢查點,阻滯細胞周期[23],使DNA損傷有時間修復,以此來保證遺傳信息的正確性;當修復不能完成時,啟動凋亡通路,使細胞發生程序性死亡[24]。

此外,近年來,隨著先進的高通量測序技術出現,已有研究發現,長編碼RNA(lncRNA)、微小RNA(miRNA)有抑癌或促癌作用,如已在肝細胞癌、胃癌、肺癌、乳癌等多種癌癥中都異常表達的lncRNA[2]和miRNA[25]。因此,在今后的研究中,或許可以利用測序手段篩選出的lncRNA和miRNA,并采用沉默或過表達干預的方法,結合質子輻射,篩選可用于惡性黑色素瘤早期診斷的敏感標志物或治療的分子靶點,為惡性黑色素瘤治療提供新技術。

3 結論

本文系統探討了輻射誘導A375細胞DNA損傷時,γH2AX焦點的動力學變化及其在DSB損傷評估中的應用,以及由DNA損傷引起的細胞周期阻滯、細胞凋亡和細胞存活,結果表明,質子輻射對A375細胞的DNA損傷更嚴重,A375細胞的存活率明顯降低、周期阻滯程度更嚴重、凋亡率也更高,說明質子輻射可有效殺傷A375細胞,這表明質子束在治療具有輻射抗性的惡性黑素瘤中具有潛在應用價值。

感謝北京HI-13串列加速器運行人員在輻照實驗中給予的幫助與支持,感謝國防科技工業電離輻射計量一級站在60Co γ射線照射實驗中給予的幫助和支持。