ＺｎＯ壓敏陶瓷反射光譜的研究
2004-04-29 00:44:03向鋒李心平
西安交通大學學報 2004年6期
向 鋒 李心平
摘要：利用簡便的粉末反射光譜法，測量了不同燒結溫度下ZnO壓敏陶瓷的反射光譜，并對其影響機理進行了探討．研究結果表明，同純ZnO相比，壓敏陶瓷反射光譜吸收邊發生紅移，紅移量隨燒結溫度的提高而增大；吸收邊斜率隨著燒結溫度升高而變小．吸收邊的變化是燒結過程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互擴散隨溫度變化的結果．高溫燒結的試樣在波長為566nm、610nm、650nm處存在光反射谷，反射強度隨燒結溫度升高而降低．燒結過程中形成的界面層缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷類型與溫度變化無關，濃度隨燒結溫度的升高而增大．關鍵詞：ZnO壓敏陶瓷；燒結溫度；反射光譜中圖分類號：TM283文獻標識碼：A文章編號：0253—987X(2004)06—0641—04
