激光晶化多晶硅的制備與ＸＲＤ譜
2004-04-29 00:00:00廖燕平黃金英郜峰利邵喜斌付國柱荊海繆國慶
吉林大學學報(理學版) 2004年1期
摘要：對氫化非晶硅(a—Si:H)進行了脫氫和不同能量密度的準分子激光晶化多晶硅的實驗，對所得樣品用X射線衍射表征．針對多晶硅(111)面特征峰的強度、晶面間距和寬化信息，分析了激光功率密度對晶化多晶硅結晶度和應力的影響，根據謝樂公式(Scherrer)估算了晶粒的大小，得到用準分子激光晶化多晶硅的較佳工藝參數，并且驗證了激光輻射對薄膜材料作用的3種情況．關鍵詞：氫化非晶硅；脫氫；激光晶化；多晶硅；X射線衍射；半寬度中圖分類號：O484．4；0471．4 文獻標識碼：A 文章編號：1671—5489(2004)0l—0099—04
