基底溫度對氮化硼薄膜場發(fā)射特性的影響
2004-04-29 00:00:00孫文斗顧廣瑞孫龍李全軍李哲奎蓋同祥趙永年
吉林大學(xué)學(xué)報(理學(xué)版) 2004年2期
摘要：利用射頻磁控濺射方法，真空室中充入高純N2(99．99％)和高純Ar(99．99％)的混合氣 體，在n型(100)Si基底上沉積了六角氮化硼(h—BN)薄膜．在超高真空(<10-7Pa)系統(tǒng)中測 量了BN薄膜的場發(fā)射特性，發(fā)現(xiàn)沉積時基底溫度對BN薄膜的場發(fā)射特性有很大影響．基底 溫度為500℃時沉積的BN薄膜樣品場發(fā)射特性要好于其他薄膜，閾值電場為12V／μm，電場 升到34V／μm，場發(fā)射電流為280μA／cm2．所有樣品的Fowler—Nordheim(F—N)曲線均近似為 直線，表明電子是通過隧道效應(yīng)穿透BN薄膜發(fā)射到真空的． 關(guān)鍵詞：BN薄膜；場發(fā)射；基底溫度；表面粗糙度 中圖分類號：TN873．95
文獻標(biāo)識碼：A
文章編號：1671—5489(2004)02—0251—04
