摘 要:近年來,隨著對(duì)功率的需求越來越高,PCB板的散熱設(shè)計(jì)變得更為關(guān)鍵。本文以幾個(gè)實(shí)例論述了MOSFET封裝如何改善整個(gè)電路板的溫度,使其在期望的范圍之內(nèi)、除了DC總線轉(zhuǎn)換器(可達(dá)220W級(jí)別),本文還討論了在控制和同步FET插座內(nèi)帶有不同MOSFET的同步降壓轉(zhuǎn)換器。對(duì)不同設(shè)備的相關(guān)性能進(jìn)行了比較,通過測(cè)試同步降壓轉(zhuǎn)換器和DC總線轉(zhuǎn)換器,發(fā)現(xiàn)并聯(lián)MOSFET并不像期望的那樣會(huì)降低電路板的溫度。優(yōu)化DC總線轉(zhuǎn)換器會(huì)得到比較好的效果;這說明每個(gè)插座中的單個(gè)設(shè)備只有具備良好的Rdson和散熱性能,才能達(dá)到最佳的整體性能。