飛思卡爾(Freescale)與意法半導體(STMicroelectronics)宣布將攜手開展一項廣泛的創新計劃,聯合組建一支微控制器設計團隊,共同利用先進工藝技術,共享知識產權,其中包括大功率MOS技術。兩家公司的協議涉及到高性能、經濟高效的32位微控制器(基于PowerPC內核)、汽車和導航應用的基本知識產權(IP)、90-nm嵌入式閃存處理技術、高壓PowerMOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術。
電子產品世界2006年6期
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