日立與瑞薩科技發布低功耗ＭＯＳ相位轉換存儲器單元

日立有限公司（Hitachi）與瑞薩科技公司（Renesas Technology）發布低功耗能相位轉換存儲器單元的成功原型， 這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程，與采用以前技術的產品相比，每個單元的功耗可降低50%。此外，相對于現有的非易失存儲器，新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高不平集成方面均更為優異，可在下一代微控制器中為諸如信息設備、家用電器，以及車載設備和控制系統等嵌入式應用的片上編程和數據存儲提供優秀的解決方案。