走近新一代主流內(nèi)存

DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)尸它采用了與DDR內(nèi)存相同的在時(shí)鐘的上升／卞降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有2倍于上一代DDR的內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取)。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘周期能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀／寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。同時(shí)DDR2標(biāo)準(zhǔn)放棄了目前廣泛應(yīng)用的TSOP／TSOP-Ⅱ封裝格式，規(guī)定統(tǒng)一采用FBGA封裝形式。FBGA封裝帶來(lái)了更優(yōu)秀的電氣性能與散熱效果，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在前端總線(xiàn)對(duì)內(nèi)存帶寬要求越來(lái)越高的今天，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是未來(lái)的大趨勢(shì)。