ＩＢＭ、特許半導體，英飛凌和三星聯合宣布４５納米低功耗硅電路

IBM、特許半導體(Chartered)、英飛凌科技(1nfineon Technology)和三星(Samsung)近日聯合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片，并開始供應設計套件。

這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統的工作電路，擁有成熟的硅性能，運用了聯盟伙伴聯合開發的工藝，已成功通過驗證的功能塊，有英飛凌提供的標準庫元件、輸入／輸出元件，還有聯盟開發的嵌入式存儲器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實現了特殊電路，以測試這個復雜的工藝，并取得產品架構互動方面的初步經驗。

英飛凌科技董事會成員兼通信解決方案業務部總裁Hermann Eul說：“這一研發成果，是我們住執行盡早采用最先進的技術平臺開發優化型產品解決方案這一戰略的過程中，取得的又一個重大進展。采用45納米工藝制造的首批芯片，代表了我們最尖端的技術，同時具備高性能和低功耗特性。這解決方案可很好地滿足下一代移動通信的需求。”

首批設計套件融合了四方的設計專長，能夠幫助客戶更早轉換至新的工藝，同時繼續推動單設計、多晶圓廠制造能力，從而最有效地發揮他們的設計優勢，并最終為消費者帶來實實在在的利益。45納米低功耗工藝，預期將于2007年底在特許半導體、IBM和三是的300毫米晶圓廠安裝并得到全面鑒定。首批設計套件是四大公司聯合打造的，現已開始供貨。