ＦＳＩ發(fā)布全新無灰化、濕法光刻膠去除ＶｉＰＲ工藝技術(shù)

FSI國(guó)際有限公司近日發(fā)布全新的ViPR技術(shù)，該項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)省去了絕大多數(shù)已注入光刻膠去除所需的灰化工藝步驟，包括1×1017 離子／厘米2等離子摻雜(PLAD)光刻膠，這項(xiàng)ViPR技術(shù)同樣適用于FSI全新的ZETAG3噴霧清洗平臺(tái)。FSI公司市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁Scott Becker博土介紹說，在制造工藝不斷向亞微米和深亞微米邁進(jìn)時(shí)，芯片制造商面對(duì)的一個(gè)挑戰(zhàn)是如何減少材料的損失。