內存供電部分通常設計在內存插槽的附近,由電容、電感線圈、場效應管三部分組成。主流DDR和DDR2內存需要2.5V的核心電壓和3.3V的輸入輸出(I/O)電壓兩種電壓供應。縮水主板會省略掉電路當中的電感線圈,只保留場效應管供電。如果是兩條內存插槽的主板,有時還會采用主板和電源同時供電的設計方案,這種情況下對主機電源的要求會更高。擁有完整的電容、電感線圈、場效應管三個部分的內存供電系統也被稱為獨立內存供電,這種供電系統能為內存提供穩定強勁的電壓,對于超頻大有益處。不少廠商將它作為高端產品的一大賣點。