廠商動態

瑞薩與技松開發45nm CMOS SRAM制造技術

瑞薩科技與松下電器產業有限公司近日宣布，共同開發出一種新技術，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM(靜態隨機存取存儲器)穩定工作。這種SRAM可嵌入在soc(系統(集成)芯片)器件和微處理器(MPu)當中。經測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下(-40℃-125℃)穩定工作．而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元件面積僅有O.327μm2，另一個元件面積為0.245μm2，更小的存儲單元是利用減少處理尺寸裕量實現的。

FlexRay聯盟發布一致性測試

FlexRay聯盟目前發布FlexRayV2.1協議和物理層一致性測試。自2000年年底系統標準開發工作啟動以來，FlexRay聯盟(核心成員包括寶馬、戴姆勒·克萊斯勒、飛思卡爾半導體、通用汽車、恩智浦半導體(NXP semiconductors)、博世和大眾)已經在標準化、市場應用和量產方面取得了長足進展。這兩項一致性測試完善了2005年發布的FlexRay V2.]規范。隨著這兩項測試的發布，半導體供應商可向一致性測試合作伙伴提交通信控制器和物理層器件等芯片解決方案。一旦成功通過測試，這些設備將符合FleXRay V2.1標準。

synopsys DFM產品解決45納米工藝變異

EDA軟件廠商Synopsys推出了具備工藝識別功能的可制造性設計(DFM)新系列產品PA-DFM，用于分析45納米及以下工藝定制／模擬設計階段的工藝變異的影響。SynopSys PA-DFM系列的核心產品Seismos和Paramos可將制造變異信息反標回設計階段，幫助定制IC(IP、標準單元、存儲器和模擬線路)的設計人員優化布局并最大限度提高成品率?！?br>